本实用新型属于化学合成设备技术领域，具体涉及一种SPS的合成系统。
背景技术：
SPS的化学名为聚二硫二丙烷磺酸钠，主要应用于电镀酸性镀铜。作为酸性镀铜中间体，属于镀铜添加剂中的主要添加成分，能起到使镀层结晶细化，有效提高电流密度的作用。在整个酸铜光亮剂市场上，此产品需求量很大，应用效果优良。在国内市场上，酸铜光亮剂产品主要以成品的形式进口，不仅垄断着国内的大部分市场，而且价格昂贵。国产的酸铜光亮剂，客户一般优先选用进口SPS来添加，其含量可达到80～90％，杂质少，但由于产品价格较高，给客户带来一定的竞争压力。而国内一些厂家，因为技术等诸多因素，生产出SPS的含量在50～60％，纯度不够，杂质比较多，限制了在国内市场的应用。为了改变SPS在国内的销售困境，寻找一种提高SPS含量及纯度的合成方法，具有重要的意义。目前，国内外对该产品的合成总体来看有两种。一种是以硫化钠和硫粉反应，生成二硫化钠，再与1，3-PS反应成SPS，国内路线大多如此。这条线路是国内生产SPS的主要线路，通过对这条线路大量的研究工作，发现以这条线路生产的SPS其有效含量只有80％左右，含有大量的多硫化合物杂质，这一点可通过核磁分析、紫外分析可看出。这也是国内SPS质量始终比不上进口产品的根本原因，造成杂质的原因在于合成第一步硫化钠和硫粉反应，副反应是不可避免的，所以这条线路是无法生产出高品质的SPS。另外一种是HO(CH2)3SO3Na与硫脲反应得HSCH2CH2CH2SO3R(R＝胍基)经氧化、中和得到SPS。这条线路是将HO(CH2)3SO3Na与HCL或HBr作用后与硫脲反应的得49-70％的H2N(NH2)+C:S(CH2)3SO3-(I)，将(I)转变为3-硫基丙烷磺酸胍盐(II)，再在KU-2上将(II)转为HSCH2CH2CH2SO3H，后者再转为NaSO3(CH2)3SS(CH2)3SO3Na。通过研究实验，产品的质量尚可，但整个工艺线路复杂，总收率只有20％，生产成本很高。随着SPS生产工艺的方法，SPS的生产设备也相应的完善，但任然存在需要进一步优化的地方。
技术实现要素：
为解决现有技术的不足，本实用新型提供了一种SPS的合成系统。一种SPS的合成系统，包括依次串联的加料装置、反应罐、脱色装置、过滤罐和成品收集罐，所述脱色装置包括通过缓冲管道连通的缓冲柱和脱色罐，在所述缓冲管道内设置有多层竖向的第一活性炭吸附网，在所述脱色罐的上部设置有多层水平的第二活性炭吸附网，在所述脱色罐的上部还设置有出液管，在所述出液管上还依次设置有进气管、出液阀和真空泵，所述进气管设置有进气阀。具体的，所述出液管的开口高度高于各层所述的第二活性炭吸附网。具体的，最低层的所述第二活性炭吸附网的高度高于各层所述第一活性炭吸附网的高度。优选的，所述缓冲柱和所述脱色罐在底部连通。进一步的，所述缓冲柱的高度小于或等于最低层的所述第二活性炭吸附网的高度。进一步的，在所述缓冲柱的上部设置有进液管，所述进液管的开口高度高于各层所述第一活性炭吸附网的高度。通过本实用新型所提供的SPS合成系统，可以通过负压来对SPS的合成中间产品进行缓和上行的活性炭吸附脱色。工作过程通过泵和阀门即可以操控，设备简单，易于操作。附图说明图1是本实用新型所提供的SPS的合成系统的脱色装置部分的示意图。附图1中，各标号所代表的结构列表如下：1、缓冲柱，2、脱色罐，3、缓冲管道，4、第一活性炭吸附网，5、第二活性炭吸附网，6、出液管，7、进气管，8、出液阀，9、真空泵，10、进气阀。具体实施方式以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实施例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。在一个具体实施方式中，如图1所示，一种SPS的合成系统，包括依次串联的加料装置、反应罐、脱色装置、过滤罐和成品收集罐，脱色装置包括通过缓冲管道3连通的缓冲柱1和脱色罐2，在缓冲管道3内设置有两层竖向的第一活性炭吸附网4，在脱色罐2的上部设置有三层水平的第二活性炭吸附网5。缓冲柱1和脱色罐2在底部连通。缓冲柱1的高度小于最低层的第二活性炭吸附网5的高度。在脱色罐2的上部还设置有出液管6，出液管6的开口高度高于各层的第二活性炭吸附网5。最低层的第二活性炭吸附网5的高度高于各层第一活性炭吸附网4的高度。在缓冲柱1的上部设置有进液管，进液管的开口高度高于各层第一活性炭吸附网4的高度。在出液管6上还依次设置有进气管7、出液阀8和真空泵9，进气管7设置有进气阀10。在本实用新型的工作过程中，关闭进气阀，打开出液阀和真空泵，调节真空度，即可以调节脱色罐内液位的上升速度，从而控制脱色过程的速度。当需要重复脱色过程时，关闭真空泵，打开进气阀，液位即可恢复至活性炭吸附网以下，即可准备下一个过程。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。