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零电荷电位基电容去离子的制作方法
文档序号:11281912
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来源:国知局
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零电荷电位基电容去离子的制造方法与工艺
技术特征:
技术总结
本发明是通过经表面改性改变电极表面的零电荷电位解决传统电容去离子(CDI)和膜电容去离子(MCDI)装置和方法的短寿命问题的电容(又称静电)去离子装置和方法。这样的电极表面改性提供极长寿命的电容去离子装置和方法。
技术研发人员:
高欣;A·欧姆赛比;J·R·兰登;K·刘
受保护的技术使用者:
肯塔基大学研究基金会
技术研发日:
2016.01.15
技术公布日:
2017.09.26
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