一种新的疏水改性体系对羧基化MWCNT/PVDF共混膜表面修饰的方法与流程

文档序号:12785405阅读:1308来源:国知局
一种新的疏水改性体系对羧基化MWCNT/PVDF共混膜表面修饰的方法与流程

本发明涉及一种新的疏水改性体系对羧基化mwcnt/pvdf共混膜表面修饰的方法,属于功能材料技术领域。



背景技术:

聚偏氟乙烯(pvdf)材料具有良好的热稳定性、力学性能及耐化学性,并能溶于有机极性溶剂,已经成为超滤与微滤领域中一种应用广泛的膜材料。然而聚偏氟乙烯膜的疏水性较强,极容易受到膜污染,从而导致水通量的降低。碳纳米管也鉴于较高的长径比和表面积、优异的电学性能、力学性能和热学性能,以及它的可加工性,一直是受欢迎的聚合物纳米填充材料。但是mwcnt分散性不好,在溶剂中较易团聚,所以采用功能化碳纳米管与pvdf共混可调控膜表面疏水性能。为了控制共混膜的疏水性能、渗透通量以及pvdf膜的抗污性能,将氟硅烷接枝于共混膜表面形成微纳米粗糙结构,并同时降低表面能,使得共混膜有形成超疏水膜的趋势。

由于受到自然界荷叶效应的启发,研究者开始对超疏水材料有极大地兴趣。它的自清洁性、抗黏着、抗润湿、抗污染的特性,更是受到了人们的广泛关注。在某些方面例如油水分离、涂层、过滤、蒸馏等都有很多地应用。有研究者曾经采用cf4或者直接接枝氟硅烷偶联剂改性聚合物膜表面,所获得膜的有如下局限性,如:疏水性低于100°,改性后膜的孔隙率明显减小,通量降低等。

对疏水聚合物膜材料的研究已经广泛展开,通过科研工作者的努力,这一领域已经取得了明显的进步。超疏水材料制备方法很多,包括表面改性法,例如涂覆、接枝、大分子的加入,等离子体刻蚀,激光刻蚀,化学气相沉积,静电纺丝,阳极氧化,溶胶-凝胶法,层层沉积法等等,技术已日趋成熟。但是,超疏水膜材料的疏水性与渗透通量有时不能同时增大,制备技术的有效控制还有待进一步完善,因而仍然存在一些需要解决的问题。

本发明介绍了一种新的疏水改性体系对羧基化mwcnt/pvdf共混膜表面修饰方法。采用表面接枝聚合法将硅烷偶联剂溶液接枝到改性膜表面,结合碱预处理,使得表面接枝更完全。用时短效果好且操作方便,可以通过控制碱预处理时间、硅烷偶联剂浓度制得表面结构较好和疏水性较强的膜。



技术实现要素:

本发明的目的是提供一种新的疏水改性体系对羧基化mwcnt/pvdf共混膜表面修饰较好的方法。

本发明采用的技术方案是提供一种新的疏水改性体系对羧基化mwcnt/pvdf共混膜表面修饰的方法,该方法步骤如下:

(1)mwcnt/pvdf共混膜制备:

将0.05gmwcnts-cooh(0.49%,2%),30mldmf,超声40min使mwcnts-cooh充分分散,加入5gpvdf粉末在70℃的恒温水浴中剧烈搅拌4h,配成铸膜液;

(2)碱预处理:

将羧基化含量不同的mwcnt/pvdf共混膜先用乙醇润湿,再将其浸泡于naoh溶液中(ph=10)碱处理0,5,10,15min;

(3)硅烷化改性:

将98%ots和90%(w/w)的乙醇/水分别配制成浓度2%,5%,7%的硅烷偶联剂溶液,将碱处理后的共混膜浸入,放置于振荡摇床中反应4个小时;

(4)后处理阶段:

将反应后的共混膜取出,放置于真空烘箱中,在50-80℃下热处理2小时,随后用30%乙醇/水洗涤三次。

采用溶液共混法制备mwcnt/pvdf共混膜,再用表面接枝聚合法制备硅烷化膜;所述共混材料为羧基化多壁碳纳米管,聚偏氟乙烯,dmf,十八烷基三氯硅烷(98%,ots),氢氧化钠,无水乙醇,去离子水。

所述共混膜可通过相转化过程溶剂与非溶剂的交换成膜。

所述naoh溶液的ph=10,且碱预处理0,5,10,15min。

所述98%ots以90%乙醇/水作为溶剂形成不同浓度的硅烷偶联剂。

所述的制备的硅烷化改性后的膜,疏水性明显比原始膜增强。

所述的共混膜随着碱处理时间的增加,产生较多羟基与硅烷水解产物硅醇形成氢键。但是碱处理时间太长会对膜结构造成破坏,所以比较适宜的碱处理时间为5-10min。

所述的共混膜随着硅烷浓度的增加,与共混膜表面的羟基反应更完全。但是浓度太大,硅烷分子会堵塞膜孔,造成膜孔隙率大大减少。所以比较适宜的硅烷浓度为5%。

本发明的有益效果是:

(1)可以制备出多种硅烷接枝疏水膜,应用范围广,这大大简化了工艺过程。

(2)实验过程中分四个阶段:共混膜的制备、预处理、硅烷接枝及后处理,操作较简单且所用时间短,大大降低了能耗和时间。

(3)能够通过控制碱处理时间和接枝硅烷偶联剂浓度,有效地控制孔结构和疏水性,所以适用范围较广,可以制备出一系列疏水性强,孔结构分布均匀的改性膜。

附图说明

图1是实施例1制备的制备的5%ots接枝共混膜的扫描电子显微镜图(sem)。

图2是实施例2制备的5%ots接枝不同羧基化mwcnt/pvdf共混膜的接触角图(ca)。

具体实施方式

采用表面接枝法,以十八烷基三氯硅烷和乙醇水混合液作为硅烷偶联剂制备疏水性膜。

下面结合实施例对本发明作进一步的描述,以使本领域的技术人员可以更好的理解本发明并能予以实施,但所举实施例不作为对本发明的限定。

实施例1

一种新的疏水改性体系对羧基化mwcnt/pvdf共混膜表面修饰的方法,该方法步骤如下,

(1)mwcnt/pvdf共混膜制备:

将0.05gmwcnts-cooh(0.49%,2%),30mldmf,超声40min使mwcnts-cooh充分分散,加入5gpvdf粉末在70℃的恒温水浴中剧烈搅拌4h,配成铸膜液;

(2)碱预处理:

将羧基化含量不同的mwcnt/pvdf共混膜先用乙醇润湿,再将其浸泡于naoh溶液中(ph=10)碱处理0,5,10,15min;

(3)硅烷化改性:

将98%ots和90%(w/w)的乙醇/水分别配制成浓度2%,5%,7%的硅烷偶联剂溶液,将碱处理后的共混膜浸入,放置于振荡摇床中反应4个小时;

(4)后处理阶段:

将反应后的共混膜取出,放置于真空烘箱中,在50-80℃下热处理2小时,随后用30%乙醇/水洗涤三次。

图1是制备的5%ots接枝共混膜的sem图。由图可见,制得的硅烷化改性膜在碱处理10min后,表面孔隙率较大,孔径分布较均匀。并且断面指状孔也较多,在过滤、膜蒸馏方面具有良好的应用潜能。

图2是制备的5%ots接枝共混膜的接触角图。由图可见,制得的膜可以用来做疏水涂层,在膜污染防治方面具有良好的应用潜能。



技术特征:

技术总结
本发明涉及一种新的疏水改性体系对羧基化MWCNT/PVDF共混膜表面修饰的方法。该方法包括以下步骤:1.MWCNT/PVDF共混膜制备:将0.05gMWCNTs‑COOH(0.49%,2%),30ml DMF,超声40min使MWCNTs‑COOH充分分散,加入5g PVDF粉末在70℃的恒温水浴中剧烈搅拌4h,配成铸膜液;2.碱预处理:将羧基化含量不同的MWCNT/PVDF共混膜先用乙醇润湿,再将其浸泡于NaOH溶液中(pH=10)碱处理0,5,10,15min;3.硅烷化改性:将98%OTS和90%(w/w)的乙醇/水分别配制成浓度2%,5%,7%的硅烷偶联剂溶液,将碱处理后的共混膜浸入,放置于振荡摇床中反应4个小时;4.后处理阶段:将反应后的共混膜取出,放置于真空烘箱中,在50‑80℃下热处理2小时,随后用30%乙醇/水洗涤三次。本发明的方法具有工艺简单、实验周期短、成本低等优点。

技术研发人员:李广芬;张艳霞;李志鹏;史乐;蒋策
受保护的技术使用者:天津工业大学
技术研发日:2017.04.05
技术公布日:2017.07.04
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