1.一种超声速混合层控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，利用射流对超声速混合层施加扰动；
所述射流设置在超声速混合层上游，即隔板靠近尾端的区域，通过射流对超声速来流施加横向以及展向的扰动，使超声速来流具有一定的横向和展向速度。
2.根据权利要求1所述的一种超声速混合层控制方法，其特征在于：所述射流或布置在隔板的上下表面，或布置在隔板的尾端。
3.根据权利要求2所述的一种超声速混合层控制方法，其特征在于：
若所述射流布置在隔板上下表面，则射流出口角度或垂直于超声速来流方向，或与超声速来流方向倾斜0～45度；
若所述射流布置在隔板尾端，则射流出口角度或平行于超声速来流方向，或与超声速来流方向倾斜0～45度。
4.根据权利要求1～3所述的任意一种超声速混合层控制方法，其特征在于：所述射流采用等离子体合成射流。
5.根据权利要求4所述的一种超声速混合层控制方法，其特征在于：所述射流采用等离子体合成射流激励器。
6.根据权利要求5所述的一种超声速混合层控制方法，其特征在于：所述等离子体合成射流激励器布置在两股超声速气流之间的隔板内，等离子体合成射流激励器的射流出口或布置在隔板的上下表面，或布置在隔板的尾端。
7.根据权利要求5所述的一种超声速混合层控制方法，其特征在于：所述等离子体合成射流激励器或为一个，或为一组等离子体合成射流激励器组成的阵列。
8.根据权利要求5所述的一种超声速混合层控制方法，其特征在于：所述等离子体合成射流激励器或为单个两电极，或为单个三电极等离子体合成射流激励器。
9.根据权利要求5所述的一种超声速混合层控制方法，其特征在于：
所述两电极等离子体合成射流激励器，由直流电源、放电电容、激励器正极、激励器负极、激励器腔体和激励器出口组成；工作时直流电源为放电电容充电，达到击穿电压后在激励器腔体内气体的电离，使得激励器腔体内气体膨胀并高速喷出，随后由于射流喷出及激励器腔体冷却使得激励器腔体内温度和压力下降，外部气体重新充填激励器腔体，为下一个循环做准备；
所述三电极等离子体合成射流激励器，由直流电源、高压脉冲电源、放电电容、激励器正极、激励器负极、激励器点火电极、激励器腔体和激励器出口组成；工作时直流电源为放电电容充电，高压脉冲电源在激励器腔体内火花放电产生等离子体，使得激励器正负极之间击穿电压降低，从而触发放电电容放电，使得激励器腔体内气体膨胀并高速喷出，随后由于射流喷出及激励器腔体冷却使得激励器腔体内温度和压力下降，外部气体重新充填激励器腔体，为下一个循环做准备。
10.根据权利要求1所述的一种超声速混合层控制方法，其特征在于：还包括S2步，即利用射流诱导产生激波，对超声速混合层进一步施加扰动；所述射流设置在超声速混合层流场内的中游或下游区域。
11.根据权利要求10所述的一种超声速混合层控制方法，其特征在于：所述超声速混合所述射流设置在超声速混合层转捩的流向位置壁面上。
12.根据权利要求11所述的一种超声速混合层控制方法，其特征在于：沿流向布置多个等离子体合成射流激励器，来流工况变化时，混合层转捩位置也随之变化，根据混合层转捩位置开启相应位置的等离子体合成射流激励器，诱导产生激波。
13.根据权利要求10所述的一种超声速混合层控制方法，其特征在于：所述步骤S2选用和步骤S1相同的装置产生射流。