技术总结
本发明提供一种微热导检测器及制备方法：所述微热导检测器具有三明治结构，从下而上依次是玻璃衬底、带微沟槽的SOI硅片和带微沟道的玻璃；交叉网状结构制作于SOI硅片表面并悬浮于微通道之中，其结构包括SOI硅片的顶层硅、由两层氧化硅/氮化硅薄膜所保护的热敏电阻；关键工艺包括刻蚀SOI硅片的衬底硅、埋氧层（或埋氧层及第二介质层）释放交叉网状结构，通过两次静电键合完成微热导检测器芯片的制作。本发明以SOI硅片顶层硅为热敏电阻的主要支撑层，与高掺杂硅相比较，顶层硅中晶格完整，缺陷少，作为支撑层具有更好的机械强度，且其厚度可根据性能要求灵活选择。本发明减小了交叉网状结构的形变，大大提高了热敏电阻支撑结构的强度及稳定性。
技术研发人员：冯飞;田博文;侯磊;李昕欣;
受保护的技术使用者：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
技术研发日：2016.12.08
技术公布日：2018.06.19