1.一种完全可控弯折角的折点纳米线阵列的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
(1)将硅或III-V族半导体材料的工件进行清洗，然后干燥待用；
(2)在步骤(1)得到的工件上沉积单层聚苯乙烯(PS)小球，并通过反应离子刻蚀减小PS小球的直径，使原来致密排列的PS小球变得相对疏松；然后，在工件上表面依次蒸镀钛(Ti)和金(Au)层，由于PS小球起到了掩模的作用，因此可在工件上产生有序排列的贵金属网孔；
(3)根据不同的刻蚀角度配置相应的刻蚀液，所述刻蚀液可沿着所述工件的某一晶向进行刻蚀，形成相应的孔道；
(4)将所述工件放入对应起始角度的刻蚀液中进行刻蚀，通过刻蚀时间控制刻蚀长度，以此确定弯折点；
(5)将工件取出，经过清洗干燥处理后，浸入预设刻蚀角度对应的刻蚀液中进行刻蚀，通过刻蚀时间控制刻蚀长度，以此确定弯折点；刻蚀后进行清洗干燥处理；
若需要多个弯折点，则重复步骤(4)和步骤(5)。
2.根据权利要求1所述的一种完全可控弯折角的折点纳米线阵列的制备方法，其特征在于：所述刻蚀液的组分包括：氢氟酸、氧化剂、水和添加剂，其通过改变添加剂的材质和用量来控制所述刻蚀液对工件的刻蚀角度。
3.根据权利要求1所述的一种完全可控弯折角的折点纳米线阵列的制备方法，其特征在于：步骤(1)中的所述清洗为将工件置于浓硫酸和过氧化氢的混合热溶液中，并用去离子水冲洗；所述浓硫酸与过氧化氢的配比为1:1，所述混合热溶液的温度为20-70℃；所述干燥为采用氮气进行干燥。
4.根据权利要求1所述的一种完全可控弯折角的折点纳米线阵列的制备方法，其特征在于：所述工件被刻蚀的速度为0.5-5μm/min。
5.根据权利要求1所述的一种完全可控弯折角的折点纳米线阵列的制备方法，其特征在于：步骤(5)中所述清洗干燥处理为取出刻蚀完成后的工件采用去离子水冲洗干净和采用氮气来吹干。
6.根据权利要求1所述的一种完全可控弯折角的折点纳米线阵列的制备方法，其特征在于：所述刻蚀液保存于密闭容器中，所述密闭容器为聚四氟乙烯容器。
7.一种完全可控弯折角的折点硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
(1)将单晶硅的工件进行清洗，然后干燥待用；
(2)在步骤(1)得到的工件上沉积单层聚苯乙烯(PS)小球，并通过反应离子刻蚀减小PS小球的直径，使原来致密排列的PS小球变得相对疏松；然后，在工件上表面依次蒸镀钛(Ti)和金(Au)层，由于PS小球起到了掩模的作用，因此可在工件上产生有序排列的贵金属网孔；
(3)根据不同的刻蚀角度配置相应的刻蚀液，所述刻蚀液可沿着所述工件的某一晶向进行刻蚀，形成相应的孔道；所述刻蚀液的组分包括氢氟酸、氧化剂、水，以及不同比例的添加剂，其通过改变添加剂的材质和用量来控制所述刻蚀液对工件的刻蚀角度；
(4)将所述工件放入对应起始角度的刻蚀液中进行刻蚀，通过刻蚀时间控制刻蚀长度，以此确定弯折点；
(5)将工件取出，经过清洗干燥处理后，浸入预设刻蚀角度对应的刻蚀液中进行刻蚀，通过刻蚀时间控制刻蚀长度，以此确定弯折点；刻蚀后进行清洗干燥处理；
若需要多个弯折点，则重复步骤(4)和步骤(5)。
8.根据权利要求7所述的一种完全可控弯折角的折点硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于：所述添加剂包括乙醇、乙二醇和丙三醇中的任意一种。