切割及湿法腐蚀双结合的封装结构的制作方法

技术特征：

1.切割及湿法腐蚀双结合的封装结构，包括有衬底圆片，其特征在于：所述衬底圆片上分布有引线焊盘，所述引线焊盘上分布有MEMS器件，所述引线焊盘位于MEMS器件的外围，设置有键合环，所述键合环的顶端分布有括盖板圆片。

2.根据权利要求1所述的切割及湿法腐蚀双结合的封装结构，其特征在于：所述盖板圆片的厚度为300至600um。

3.根据权利要求2所述的切割及湿法腐蚀双结合的封装结构，其特征在于：所述盖板圆片的厚度为500um。

4.根据权利要求1所述的切割及湿法腐蚀双结合的封装结构，其特征在于：所述衬底圆片的厚度为300至600um。

5.根据权利要求4所述的切割及湿法腐蚀双结合的封装结构，其特征在于：所述衬底圆片的厚度为500um。

6.根据权利要求1所述的切割及湿法腐蚀双结合的封装结构，其特征在于：所述键合环的厚度为10至50um。

7.根据权利要求6所述的切割及湿法腐蚀双结合的封装结构，其特征在于：所述键合环的厚度为20um。