应用于MEMS器件的TiN薄膜刻蚀方法与流程

技术特征：

1.一种应用于MEMS器件的TiN薄膜刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、对覆盖有非晶硅膜或者氧化硅膜的硅基板进行加热，通过加热对硅基板进行表面处理，去除硅基板表面的水汽；

步骤2、在所述硅基板的表面形成一层Ti薄膜，然后对硅基板进行N2吹扫处理；

步骤3、在所述硅基板的Ti薄膜上端形成一层TiN薄膜。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤2所述Ti薄膜的厚度为

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤2所述Ti薄膜采用PVD成膜方法形成。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤2所述N2吹扫处理的时间为30s。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤3所述TiN薄膜的厚度为

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤3所述TiN薄膜采用CVD方法形成。