技术特征：
技术总结
本发明提供了一种MEMS的深硅刻蚀方法，属于深硅刻蚀技术领域。其技术方案为：一种MEMS的深硅刻蚀方法，包括沉积步骤、清理步骤、刻蚀步骤、吹扫步骤、重复沉积步骤、重复清理步骤、重复刻蚀步骤和重复吹扫步骤，经过若干次沉积步骤，清理步骤，刻蚀步骤和吹扫步骤侧循环，样品出真空。本发明的有益效果为：本发明的深硅刻蚀方法能够在大规模集成电路工业制造环境下应用，尤其是能够使传感器件元在长时间的刻蚀中，能够保持器件的完整性，以及能够满足器件设计的需求，添加吹扫步骤，可以降低真空反应腔室和样品台的温度，使真空反应腔室保持在一个恒定的范围内，有助于提供大尺寸样品刻蚀后的均匀性以及MEMS器件侧壁的粗糙度。
技术研发人员：王珏斌;许开东;胡东东;车东晨
受保护的技术使用者：江苏鲁汶仪器有限公司
技术研发日：2019.07.11
技术公布日：2019.08.27