微机电系统传感器的封装方法和封装结构与流程

文档序号:20577761发布日期:2020-04-29 01:15阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种微机电系统传感器的封装方法,其特征在于,所述微机电系统传感器包括上盖板和设置于所述上盖板下方的下盖板,所述封装方法包括以下步骤:

在上盖板的下表面制作第一封装电极结构和第一电容电极结构,并在所述第一封装电极结构的下表面制作第一键合结构;

在下盖板的上表面对应所述第一封装电极结构制作第二封装电极结构,对应所述第一电容电极结构制作第二电容电极结构;

在所述下盖板的上表面制作导电铝层,所述导电铝层覆盖所述第二封装电极结构、所述第二电容电极结构及所述下盖板的上表面;

对所述导电铝层进行腐蚀,得到暴露所述第二封装电极结构的电镀区域,在所述电镀区域内电镀第二键合结构,并去除剩余的导电铝层;

将所述上盖板的所述第一键合结构对准所述下盖板的所述第二键合结构,进行键合封装。

2.如权利要求1所述的微机电系统传感器的封装方法,其特征在于,在上盖板的下表面制作第一封装电极结构和第一电容电极结构的步骤中,包括:

在上盖板的下表面沉积第一粘附层,在第一粘附层的下表面沉积第一种子层;

对所述第一种子层和所述第一粘附层进行刻蚀腐蚀,得到第一封装电极结构和第一电容电极结构。

3.如权利要求2所述的微机电系统传感器的封装方法,其特征在于,对所述第一种子层和所述第一粘附层进行刻蚀腐蚀,得到第一封装电极结构和第一电容电极结构的步骤之前,还包括:

在所述第一种子层的下表面设置第一光刻胶结构,所述第一光刻胶结构部分覆盖所述第一种子层;

对所述第一种子层和所述第一粘附层进行刻蚀腐蚀,得到第一封装电极结构和第一电容电极结构的步骤包括:

将未被所述第一光刻胶结构覆盖的第一种子层和对应第一粘附层进行刻蚀腐蚀,并去除所述第一光刻胶结构,得到第一封装电极结构和第一电容电极结构。

4.如权利要求1所述的微机电系统传感器的封装方法,其特征在于,在下盖板的上表面对应所述第一封装电极结构制作第二封装电极结构,对应所述第一电容电极结构制作第二电容电极结构的步骤中,包括:

在下盖板的上表面沉积第二粘附层,在第二粘附层的上表面沉积第二种子层;

对所述第二种子层和所述第二粘附层进行刻蚀腐蚀,得到第二封装电极结构和第二电容电极结构,所述第二封装电极结构对应所述第一封装电极结构,所述第二电容电极结构对应所述第一电容电极结构。

5.如权利要求4所述的微机电系统传感器的封装方法,其特征在于,对所述第二种子层和所述第二粘附层进行刻蚀腐蚀,得到第二封装电极结构和第二电容电极结构的步骤之前,还包括:

在所述第二种子层的上表面设置第二光刻胶结构,所述第二光刻胶结构部分覆盖第二种子层;

对所述第二种子层和所述第二粘附层进行刻蚀腐蚀,得到第二封装电极结构和第二电容电极结构的步骤包括:

对未被所述第二光刻胶结构覆盖的第二种子层和对应第二粘附层进行刻蚀腐蚀,并去除所述第二光刻胶结构,得到第二封装电极结构和第二电容电极结构。

6.如权利要求1所述的微机电系统传感器的封装方法,其特征在于,对所述导电铝层进行腐蚀,得到暴露所述第二封装电极结构的电镀区域,在所述电镀区域内电镀第二键合结构,并去除剩余的导电铝层的步骤之前,还包括:

在所述导电铝层的上表面设置第三光刻胶结构,所述第三光刻胶结构部分覆盖所述导电铝层;

对所述导电铝层进行腐蚀,得到暴露所述第二封装电极结构的电镀区域,在所述电镀区域内电镀第二键合结构,并去除剩余的导电铝层的步骤包括:

将未被所述第三光刻胶结构覆盖的导电铝层进行腐蚀,得到暴露所述第二封装电极结构的电镀区域;

在所述电镀区域内电镀第二键合结构,并去除所述第三光刻胶结构和剩余的导电铝层。

7.如权利要求1所述的微机电系统传感器的封装方法,其特征在于,在去除剩余的导电铝层的步骤中,包括:

采用氢氧化钠溶液去除剩余的导电铝层。

8.如权利要求1所述的微机电系统传感器的封装方法,其特征在于,所述第一键合结构和所述第二键合结构的其中之一为金键合结构,其中之另一为锡键合结构。

9.如权利要求8所述的微机电系统传感器的封装方法,其特征在于,所述将所述上盖板的所述第一键合结构对准所述下盖板的所述第二键合结构,进行键合封装的步骤包括:

对所述上盖板和所述下盖板进行加热下压,所述第一键合结构和所述第二键合结构熔化冷却,形成金锡键合封装。

10.如权利要求1至9中任一项所述的微机电系统传感器的封装方法,其特征在于,在上盖板的下表面制作第一封装电极结构和第一电容电极结构,并在所述第一封装电极结构的下表面制作第一键合结构的步骤中,包括:

在上盖板的下表面制作两个第一封装电极结构和一个第一电容电极结构,两个所述第一封装电极结构分别位于所述第一电容电极结构的两侧;

在每一个所述第一封装电极结构的下表面均制作一个第一键合结构。

11.如权利要求1至9中任一项所述的微机电系统传感器的封装方法,其特征在于,所述上盖板和所述下盖板的其中之一为玻璃板,其中之另一为硅基板。

12.一种微机电系统传感器的封装结构,其特征在于,所述封装结构是由如权利要求1至11中任一项所述的封装方法制作得到。


技术总结
本发明公开一种微机电系统传感器的封装方法和封装结构。所述方法包括以下步骤:在上盖板的下表面制作第一封装电极结构和第一电容电极结构,并在第一封装电极结构的下表面制作第一键合结构;在下盖板的上表面对应第一封装电极结构制作第二封装电极结构,对应第一电容电极结构制作第二电容电极结构;在下盖板的上表面制作导电铝层,导电铝层覆盖第二封装电极结构、第二电容电极结构及下盖板的上表面;对导电铝层进行腐蚀,得到暴露第二封装电极结构的电镀区域,在电镀区域内电镀第二键合结构,并去除导电铝层;将第一键合结构对准第二键合结构,进行键合封装。本发明的技术方案能够解决腐蚀液在腐蚀电极层时优先腐蚀电镀锡而造成封装失败的问题。

技术研发人员:邱文瑞;王德信
受保护的技术使用者:青岛歌尔智能传感器有限公司
技术研发日:2019.12.30
技术公布日:2020.04.28
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