一种MEMS器件及其形成方法与流程

文档序号:23668474发布日期:2021-01-15 14:08阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种mems器件,其特征在于,所述mems器件包括:

检验质量块(1);

感测梳(2),设为四组,分别设置于所述检验质量块(1)的四侧,每组所述感测梳(2)包括多个可移感测梳齿(21)、集成多个所述可移感测梳齿(21)的第一框架(22)、多个固定感测梳齿(23)以及集成多个所述固定感测梳齿(23)的第二框架(24),所述可移感测梳齿(21)和所述固定感测梳齿(23)相互交叉形成叉指结构,并沿着平行于其所在侧对应的所述检验质量块(1)边长的方向延伸,其中,所述固定感测梳齿(23)固定在第一衬底(4)上,所述第一框架(22)与所述检验质量块(1)弹性连接;

驱动梳(3),设为四组,一一对应设置于四个所述感测梳(2)远离所述检验质量块(1)的一侧,每组所述驱动梳(3)包括多个可移驱动梳齿(31)、集成多个所述可移驱动梳齿(31)的第三框架(32)、多个固定驱动梳齿(33)以及集成多个所述固定驱动梳齿(33)的第四框架(34),所述可移驱动梳齿(31)和所述固定驱动梳齿(33)相互交叉形成叉指结构,并沿着垂直于其所在侧对应的所述检验质量块(1)边长的方向延伸,其中,所述固定驱动梳齿(33)固定在所述第一衬底(4)上,所述第三框架(32)连接所述第一框架(22)。

2.如权利要求1所述的mems器件,其特征在于,所述mems器件还包括所述第一衬底(4),以及固定设置于所述第一衬底(4)上的第一传感平面电极(41),所述第一传感平面电极(41)设置于所述检验质量块(1)下方。

3.如权利要求2所述的mems器件,其特征在于,所述mems器件还包括固定设置于所述第一衬底(4)上的第一驱动平面电极(42),所述第一驱动平面电极(42)设置于所述检验质量块(1)下方。

4.如权利要求3所述的mems器件,其特征在于,所述mems器件还包括多个锚点(5),多个所述锚点(5)均固定在所述第一衬底(4)上,所述第一框架(22)和所述第三框架(32)均与一个或多个所述锚点(5)弹性连接。

5.如权利要求1所述的mems器件,其特征在于,部分所述可移驱动梳齿(31)和部分所述固定驱动梳齿(33)组成功能梳(35),其余所述可移驱动梳齿(31)和其余所述固定驱动梳齿(33)组成设于所述功能梳(35)侧方的一个或多个补偿梳(36)。

6.如权利要求4所述的mems器件,其特征在于,所述mems器件还包括设置于所述检验质量块(1)远离所述第一衬底(4)的一侧的第二衬底(6),所述第一衬底(4)和所述第二衬底(6)两端相连,形成放置所述检验质量块(1)、所述感测梳(2)、所述驱动梳(3)、所述锚点(5)、所述第一传感平面电极(41)及所述第一驱动平面电极(42)的空腔。

7.如权利要求6所述的mems器件,其特征在于,所述mems器件还包括设置于所述第二衬底(6)上的第二传感平面电极(61)和第二驱动平面电极(62),所述第一传感平面电极(41)和所述第二传感平面电极(61)、所述第一驱动平面电极(42)和所述第二驱动平面电极(62)两两相对设置。

8.如权利要求6所述的mems器件,其特征在于,所述检验质量块(1)内穿设有多个通孔(11)。

9.一种如权利要求1所述mems器件的形成方法,其特征在于,所述形成方法包括:

将基板(7)研磨到形成mems器件结构所需的厚度;

在所述基板(7)上刻蚀形成检验质量块(1)、感测梳(2)、驱动梳(3)及弹性悬架(8),其中,所述弹性悬架(8)弹性连接第一框架(22)与所述检验质量块(1)。

10.如权利要求9所述的形成方法,其特征在于,所述形成方法还包括:

在第一衬底(4)上蚀刻,形成第一传感平面电极(41)和第一驱动平面电极(42),在第二衬底(6)上蚀刻,形成第二传感平面电极(61)和第二驱动平面电极(62);

将所述检验质量块(1)、感测梳(2)、驱动梳(3)及弹性悬架(8)封装在所述第一衬底(4)和所述第二衬底(6)围成的空腔内,并将所述第一衬底(4)和所述第二衬底(6)的两端相连接。


技术总结
本发明涉及一种MEMS器件及其形成方法,所述MEMS器件包括检验质量块、设为四组并分别设置于所述检验质量块的四侧的感测梳,以及设为四组并一一对应设置于四个所述感测梳远离所述检验质量块的一侧的驱动梳,通过在检验质量块的四侧设置感测梳,并在四个所述感测梳远离所述检验质量块的一侧一一对应设置四组驱动梳,使得所述MEMS器件单个器件既能够感应旋转,也能够感应加速度,实现相关技术中至少两个MEMS传感器才能达到的等效功能,从而降低生产成本。

技术研发人员:李森科·伊戈尔·叶夫根耶维奇;徐宝;徐元;吴刚
受保护的技术使用者:杭州麦新敏微科技有限责任公司
技术研发日:2020.12.09
技术公布日:2021.01.15
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