一种mems器件及其制作方法和电子装置的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种MEMS器件及其制作方法和电子装置，所述方法包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆包括MEMS元件，围绕MEMS元件的密封环和位于密封环外侧的若干焊盘，以及暴露密封环的第一开口和暴露所述焊盘的第二开口；提供盖帽晶圆，在盖帽晶圆上形成与所述密封环位置对应的环状的第一凸起结构和与所述焊盘位置对应的第二凸起结构；在第一凸起结构上形成第一键合层；进行键合工艺，以使所述第一键合层与所述密封环相键合，并使得部分第二凸起结构位于第二开口内且与所述焊盘间隔。根据本发明的方法，有效阻止切割过程中产生的硅碎屑污染焊盘，进而提高了所述MEMS器件的性能和良率。
【专利说明】
一种MEMS器件及其制作方法和电子装置
技术领域
[0001]本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种MEMS器件及其制作方法和电子装置。【背景技术】
[0002]随着半导体技术的不断发展，在传感器(mot1n sensor)类产品的市场上，智能手机、集成CMOS和微机电系统(MEMS)器件日益成为最主流、最先进的技术，并且随着技术的更新，这类传动传感器产品的发展方向是规模更小的尺寸，高质量的电学性能和更低的损耗。
[0003]其中，MEMS传感器广泛应用于汽车电子:如TPMS、发动机机油压力传感器、汽车刹车系统空气压力传感器、汽车发动机进气歧管压力传感器(TMAP)、柴油机共轨压力传感器； 消费电子:如胎压计、血压计、橱用秤、健康秤，洗衣机、洗碗机、电冰箱、微波炉、烤箱、吸尘器用压力传感器，空调压力传感器，洗衣机、饮水机、洗碗机、太阳能热水器用液位控制压力传感器；工业电子:如数字压力表、数字流量表、工业配料称重等。
[0004]在MEMS领域中，MEMS器件的制作工艺往往需要在MEMS器件晶圆上键合盖帽晶圆， 之后再对盖帽晶圆进行切割以暴露铝焊盘(PAD)。然而在切割过程中产生的硅碎肩会污染 MEMS器件晶圆上的铝焊盘，由于焊盘的高度低于MEMS器件晶圆的表面，又使得污染焊盘的硅碎肩很难被清洗去除。一旦硅碎肩接触铝焊盘，并暴露于酸性溶液中，很容易产生S1-Al 的电化学反应，其反应式为:A1作为阳极，Al+3e — A13+，Si作为阴极，2H++2e — H2。众所周知，电化学反应的反应速度比普通化学反应的反应速度快几个数量级，因此导致铝焊盘可能被很快的腐蚀，如图1所示，盖帽晶圆110下方的焊盘111在切割过程中被腐蚀，进而影响了 MEMS器件的性能和良率。
[0005]因此需要对目前MEMS器件的制作方法作进一步的改进，以便消除上述各种弊端。
【发明内容】
[0006]在
【发明内容】
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在【具体实施方式】部分中进一步详细说明。本发明的
【发明内容】
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
[0007]为了克服目前存在的问题，本发明提供一种MEMS器件的制作方法，包括:
[0008]提供器件晶圆，所述器件晶圆包括MEMS元件，围绕所述MEMS元件的密封环和位于所述密封环外侧的若干焊盘，以及暴露所述密封环的第一开口和暴露所述焊盘的第二开 P ;
[0009]提供盖帽晶圆，在所述盖帽晶圆上形成与所述密封环位置对应的环状的第一凸起结构和与所述焊盘位置对应的第二凸起结构；
[0010]在所述第一凸起结构上形成第一键合层；
[0011]进行键合工艺，以使所述第一键合层与所述密封环相键合，并使得部分所述第二凸起结构位于所述第二开口内且与所述焊盘间隔。
[0012]进一步，所述第二凸起结构的宽度略小于所述第二开口的宽度。
[0013]进一步，所述第二凸起结构的宽度略小于70 μπι。
[0014]进一步，所述第二凸起结构的宽度范围为50?70 μπι。
[0015]进一步，所述密封环的位置高度大于所述焊盘的位置高度，所述焊盘位于第一钝化层内，所述焊盘与其下方的互连金属结构的顶层金属层相电连接，所述密封环位于所述第一钝化层上。
[0016]进一步，所述密封环的材料选自铝、铜、金、银、钨或锡中的一种或几种。
[0017]进一步，所述焊盘为铝焊盘。
[0018]进一步，所述第一键合层的材料选自锗、金、锡、锗硅或铟中的一种或几种。
[0019]进一步，所述键合为Al-Ge共晶键合工艺。
[0020]进一步，在所述器件晶圆内还形成有CMOS器件。
[0021]进一步，所述键合工艺之后还包括对所述盖帽晶圆进行切割以露出所述焊盘。
[0022]进一步，在对所述盖帽晶圆进行切割的步骤中，使用能产生气泡的切割清洗剂。
[0023]本发明实施例二提供一种采用前述方法制作的MEMS器件。
[0024]本发明实施例三提供一种MEMS器件，包括:
[0025]器件晶圆，所述器件晶圆包括MEMS元件；
[0026]围绕所述MEMS元件的密封环，以及暴露所述密封环的第一开口 ；
[0027]位于所述密封环外侧的若干焊盘，以及暴露所述焊盘的第二开口 ；
[0028]盖帽晶圆，所述盖帽晶圆包括与所述密封环位置对应的环状的第一凸起结构和与所述焊盘位置对应的第二凸起结构；
[0029]第一键合层，所述第一键合层位于所述第一凸起结构上表面；
[0030]其中所述第一键合层与所述密封环相键合，部分所述第二凸起结构位于所述第二开口内并与所述焊盘间隔。
[0031]本发明实施例四提供一种电子装置，所述电子装置包括实施例二中的MEMS器件或实施例三中的MEMS器件。
[0032]综上所述，根据本发明的制作方法，通过在封盖晶圆上增加与焊盘相对应的凸起结构，来减小焊盘相对应区域的盖帽晶圆和器件晶圆之间的间隙，有效阻止切割过程中产生的硅碎肩污染焊盘，进而提高了所述MEMS器件的性能和良率。
【附图说明】
[0033]本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。
[0034]附图中:
[0035]图1为现有的MEMS器件的铝焊盘被腐蚀后的局部示意图；
[0036]图2A-2C为现有技术中MEMS器件的制作过程示意图；
[0037]图3A-3D示出了根据本发明的制作方法依次实施所获得MEMS器件的示意图，其中，图3A为本发明的制作方法所提供的器件晶圆的俯视图，图3B为沿图3A中剖面线所获得器件晶圆的局部剖视图，3C-3D为相应步骤所获得器件的剖视图；
[0038]图4示出了根据本发明的制作方法依次实施步骤的工艺流程图。
【具体实施方式】
[0039]在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
[0040]应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
[0041]应当明白，当元件或层被称为“在…上”、“与…相邻”、“连接至IJ”或“耦合至IJ”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在…上”、“与…直接相邻”、“直接连接至IJ”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
[0042]空间关系术语例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在…下面”和“在…下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
[0043]在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
[0044]为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤，以便阐释本发明提出的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。
[0045]目前，所述MEMS器件的制作方法如图2A-2C所示，首先，参考图2A，提供器件晶圆，所述器件晶圆包括MEMS元件，围绕所述MEMS元件的密封环101和位于所述密封环101外侧的若干焊盘102，以及暴露所述密封环101的第一开口 1a和暴露所述焊盘102的第二开P 1b0
[0046]接着，如图2B所示，提供盖帽晶圆200,在所述盖帽晶圆200的正面形成有与所述密封环位置对应的凸起结构201，在所述凸起结构201上形成有键合层202。在所述盖帽晶圆200的背面形成有对准标记203。
[0047]接着，如图2C所示，进行键合工艺，以使所述键合层202与所述密封环101相键合。键合后，焊盘对应的区域的器件晶圆与盖帽晶圆之间存在很大的间隙，使得在之后对盖帽晶圆进行切割工艺时产生的硅碎肩很容易进入第二开口内，而污染MEMS器件晶圆上的铝焊盘，由于焊盘的高度低于MEMS器件晶圆的表面，又使得污染焊盘的硅碎肩很难被清洗去除。一旦硅碎肩接触铝焊盘，并暴露于酸性溶液中，很容易产生S1-Al的电化学反应， 其反应式为:A1作为阳极，Al+3e — A13+，Si作为阴极，2H++2e — H2。众所周知，电化学反应的反应速度比普通化学反应的反应速度快几个数量级，因此导致铝焊盘可能被很快的腐蚀，进而影响了 MEMS器件的性能和良率。
[0048]因此，需要对目前所述方法作进一步的改进，以便能够消除上述各种问题。
[0049]实施例一
[0050]下面，将参照图3A-3D及图4对本发明的MEMS器件的制作方法做详细描述。
[0051]首先，参考图3A和3B，其中图3A为器件晶圆的俯视图，图3B为局部剖视图，提供器件晶圆30,所述器件晶圆30包括MEMS元件300,围绕所述MEMS元件300的密封环301 和位于所述密封环301外侧的若干焊盘302,以及暴露所述密封环301的第一开口 310a和暴露所述焊盘的第二开口 310b。
[0052]其中所述器件晶圆30可以为运动传感器的晶圆或者压力传感器的晶圆，并不局限于某一种，还可以为其他器件。所述器件晶圆30包括MEMS元件300，围绕所述MEMS元件 300的密封环301和位于所述密封环301外侧的若干焊盘302。
[0053]其中所述MEMS元件300是指所述MMES器件中必要的各种元器件，以运动传感器为例，首先提供MEMS衬底，所述MEMS衬底下方还可以进一步形成有CMOS器件，所述CMOS 器件通过金属互联结构和所述MEMS衬底相连接，在此不再赘述。
[0054]在一个示例中，所述密封环301的位置高度大于所述焊盘302的位置高度，在所述器件晶圆30上形成有第一钝化层303,所述焊盘302位于第一钝化层内，所述焊盘302与其下方的互连金属结构的顶层金属层相电连接，所述密封环301位于所述第一钝化层303上。 在所述第一钝化层303、所述焊盘302和所述焊盘302上还形成有第二钝化层304,在所述第二钝化层304上还依次形成有MEMS元件的功能材料层305,例如锗层和锗硅层等。示例性地，在所述功能材料层上还形成有光阻层306。在所述第二钝化层304和所述功能材料层305和所述光阻层306内形成有暴露所述密封环301的第一开口 310a和暴露所述焊盘的第二开口 310b。
[0055]可选地，所述第一钝化层303和所述第二钝化层304的材料可以为氧化硅层、氮化硅层或磷硅玻璃层等。
[0056]由于所述密封环301的位置高度大于所述焊盘302的位置高度，相应的第二开口 310b的深度大于第一开口 310a的深度
[0057]示例性地，所述密封环301和所述焊盘302的材料选自铝、铜、金、银、钨或锡中的一种或几种，较佳地，所述密封环301选用铝，所述焊盘302为铝焊盘。
[0058]另外，所述器件晶圆30的背面还可以形成有对准图形(图中未示出)。
[0059]参考图3C，提供盖帽晶圆40，在所述盖帽晶圆40上形成与所述密封环301位置对应的环状的第一凸起结构401a和与所述焊盘302位置对应的第二凸起结构401b。
[0060]示例性地，盖帽晶圆40可为硅晶圆、玻璃或者陶瓷材料。本实施例中，所述盖帽晶圆40为硅晶圆。可采用化学同向刻蚀、异向刻蚀或者光刻刻蚀工艺刻蚀所述盖帽晶圆40，形成环状的第一凸起结构401a，所述第一凸起结构401a的内部构成所述用于密封MEMS元件400的凹槽，第一凸起结构401a的平面结构可以为方形、矩形、圆形等适合的形状。
[0061 ] 同样，可采各向同性刻蚀、各向异性刻蚀或者光刻刻蚀工艺刻蚀所述盖帽晶圆40，形成第二凸起结构401b，第二凸起结构401b与所述焊盘302位置对应。所述第二凸起结构401b的宽度略小于所述第二开口 310b的宽度，以使之后键合时，第二凸起结构401b位于第二开口 310b内。进一步，所述第二凸起结构401b的宽度略小于70 μπι。例如，所述第二凸起结构的宽度范围为50?70 μ m，上述数值范围仅是示例性地，其实际取决于第二开P 310b的宽度。
[0062]作为一个实例，在凹槽内形成有吸气剂激活结构404，所述吸气剂的材料可选用金属Ti。所述吸气剂404的沉积方法可为化学气相沉积、磁控溅射、丝网印刷或者蒸镀。
[0063]接着继续参考图3C，在所述第一凸起结构401a上形成第一键合层403。
[0064]第一键合层403的材料可以为锗(Ge)、金、锡、锗硅或铟中的一种或几种。可选地，所述第一键合层403的厚度范围为3000?6000埃。在一个示例中，第一键合层403的材料为锗(Ge)，可采用化学气相沉积、物理沉积、原子层沉积等工艺形成覆盖第一凸起结构401的锗材料层，之后，再通过光刻工艺刻蚀锗层，只保留位于第一凸起结构401a顶面上的锗层。
[0065]进一步地，在形成所述第一键合层之前，还可在所述第一凸起结构的顶面上沉积形成金属层，例如Ti金属层，以增加盖帽晶圆与键合层之间的粘附力，防止键合层脱落。
[0066]在第一键合层形成的过程中，避免在第二凸起结构401b上形成键合层，以防止第二凸起结构的高度过大，而在之后的键合步骤中，与焊盘键合。
[0067]可选地，在所述第二凸起结构的暴露的顶面上也可形成金属层。
[0068]接着，参考图3D，进行键合工艺，以使所述第一键合层403与所述密封环301相键合，并使得部分所述第二凸起结构401b位于所述第二开口 310b内，且与所述焊盘302间隔。
[0069]所述键合方法选自阳极键合、熔融键合、共晶键合或焊料键合。在一个示例中，当密封环301的材料为铝，第一键合层403的材料为锗(Ge)，则键合方法为Al-Ge共晶键合。
[0070]最后，对所述盖帽晶圆进行切割以露出所述焊盘。
[0071]进行切割工艺，去除对应于器件晶圆30上焊盘302上方的部分盖帽晶圆，以暴露焊盘302 ο所述切割工艺可通过本领域技术人员熟知的任何切割方法实现，例如物理切割或激光切割等。键合之后，由于盖帽晶圆40上的第二凸起结构401b与焊盘302对应，且其第二凸起结构401b的宽度小于第二开口 310b的宽度，使得部分第二凸起结构401b位于第二开口 310b内，相应的减小了焊盘相对应区域的盖帽晶圆和器件晶圆之间的间隙，可有效阻碍切割过程中产生的硅碎肩进入第二开口 310b而污染焊盘。
[0072]在一个示例中，在对所述盖帽晶圆进行切割的步骤中，使用能产生气泡的切割清洗剂。例如，使用diamaf low清洗剂，在切割的过程中产生的气泡可填充焊盘相对应区域的盖帽晶圆和器件晶圆之间的间隙，而更进一步的阻止切割过程中产生的硅碎肩污染焊盘。
[0073]所述第二凸起结构401b在切割过程中也会随着被切割去除的盖帽晶圆而被去除。
[0074]至此，完成了本发明实施例的MEMS器件制作的相关步骤的介绍。在上述步骤之后，还可以包括其他相关步骤，此处不再赘述。并且，除了上述步骤之外，本实施例的制作方法还可以在上述各个步骤之中或不同的步骤之间包括其他步骤，这些步骤均可以通过现有技术中的各种工艺来实现，此处不再赘述。
[0075]综上所述，根据本发明的制作方法，通过在封盖晶圆上增加与焊盘相对应的凸起结构，来减小焊盘相对应区域的盖帽晶圆和器件晶圆之间的间隙，有效阻止切割过程中产生的硅碎肩污染焊盘，进而提高了所述MEMS器件的性能和良率。
[0076]参照图4,示出了本发明一个【具体实施方式】依次实施的步骤的工艺流程图，用于简要示出整个制作工艺的流程。
[0077]在步骤401中，提供器件晶圆，所述器件晶圆包括MEMS元件，围绕所述MEMS元件的密封环和位于所述密封环外侧的若干焊盘，以及暴露所述密封环的第一开口和暴露所述焊盘的第二开口；
[0078]在步骤402中，提供盖帽晶圆，在所述盖帽晶圆上形成与所述密封环位置对应的环状的第一凸起结构和与所述焊盘位置对应的第二凸起结构；
[0079]在步骤403中，在所述第一凸起结构上形成第一键合层；
[0080]在步骤404中，进行键合工艺，以使所述第一键合层与所述密封环相键合，并使得部分所述第二凸起结构位于所述第二开口内且与所述焊盘间隔；
[0081]在步骤405中，对所述盖帽晶圆进行切割以露出所述焊盘。
[0082]实施例二
[0083]本发明还提供了一种MEMS器件，所述MEMS器件通过实施例一中所述方法制作得到。
[0084]所述MEMS器件包括但不限于传感器、微传感器、共振器、制动器、微制动器、微电子器件及转换器等。
[0085]由于实施例一中的制作方法具有优异的技术效果，通过所述方法制作的MEMS器件的焊盘在盖帽晶圆切割的过程中不会被硅碎肩污染，因此采用该制作方法形成的MEMS 器件其具有更高的性能和可靠性。
[0086]实施例三
[0087]参考图3D，对本发明提供的一种MEMS器件做详细描述。
[0088]所述MEMS器件包括器件晶圆。所述器件晶圆可以为运动传感器的晶圆或者压力传感器的晶圆，并不局限于某一种，还可以为其他器件。
[0089]所述器件晶圆包括MEMS元件。其中所述MEMS元件是指所述MEMS器件中必要的各种元器件，以运动传感器为例，首先提供MEMS衬底，所述MEMS衬底下方还可以进一步形成有CMOS器件，所述CMOS器件通过金属互联结构和所述MEMS衬底相连接，在此不再赘述。
[0090]所述MEMS器件还包括围绕所述MEMS元件的密封环301，以及暴露所述密封环301 的第一开口 310a ;位于所述密封环301外侧的若干焊盘302,以及暴露所述焊盘302的第二开口 310b〇[0091 ] 在一个示例中，所述密封环301的位置高度大于所述焊盘302的位置高度。在所述器件晶圆30上形成有第一钝化层303，所述焊盘302位于第一钝化层内，所述焊盘302与其下方的互连金属结构的顶层金属层相电连接，所述密封环301位于所述第一钝化层303上。在所述第一钝化层303、所述焊盘302和所述焊盘302上还形成有第二钝化层304，在所述第二钝化层304上还依次形成有MEMS元件的功能材料层305，例如锗层和锗硅层等。示例性地，在所述功能材料层上还形成有光阻层306。在所述第二钝化层304和所述功能材料层305和所述光阻层306内形成有暴露所述密封环301的第一开口 310a和暴露所述焊盘的第二开口 310b。
[0092]可选地，所述第一钝化层303和所述第二钝化层304的材料可以为氧化硅层、氮化硅层或磷硅玻璃层等。
[0093]由于所述密封环301的位置高度大于所述焊盘302的位置高度，相应的第二开口310b的深度大于第一开口 310a的深度
[0094]示例性地，所述密封环301和所述焊盘302的材料选自铝、铜、金、银、钨或锡中的一种或几种，较佳地，所述密封环301选用铝，所述焊盘302为铝焊盘。
[0095]所述MEMS器件还包括盖帽晶圆，所述盖帽晶圆包括与所述密封环位置301对应的环状的第一凸起结构401a和与所述焊盘302位置对应的第二凸起结构。
[0096]示例性地，盖帽晶圆可为硅晶圆、玻璃或者陶瓷材料。本实施例中，所述盖帽晶圆为硅晶圆。可采用化学同向刻蚀、异向刻蚀或者光刻刻蚀工艺刻蚀所述盖帽晶圆，形成环状的第一凸起结构401 a，所述第一凸起结构401 a的内部构成所述用于密封MEMS元件的凹槽，第一凸起结构401a的平面结构可以为方形、矩形、圆形等适合的形状。
[0097]示例性地，所述第二凸起结构401b的宽度略小于所述第二开口 310b的宽度，以使之后键合时，第二凸起结构401b能位于第二开口 310b内。进一步，所述第二凸起结构401b的宽度略小于70 μπι。例如，所述第二凸起结构的宽度范围为50?70 μm，上述数值范围仅是示例性地，其实际取决于第二开口 310b的宽度。
[0098]作为一个实例，在凹槽内形成有吸气剂激活结构404，所述吸气剂的材料可选为金属Ti。
[0099]所述MEMS器件还包括第一键合层403，所述第一键合层403位于所述第一凸起结构401a上表面。
[0100]第一键合层403的材料可以为锗(Ge)、金、锡、锗硅或铟中的一种或几种。可选地，所述第一键合层403的厚度范围为3000?6000埃。在一个示例中，第一键合层403的材料为锗(Ge)。进一步地，在所述第一键合层与所述第一凸起结构之间还形成有金属化层，例如T1、Cr等金属层，以增加盖帽晶圆与键合层之间的粘附力，防止键合层脱落。
[0101]所述第一键合层403与所述密封环301相键合，并使得部分所述第二凸起结构401b位于所述第二开口 310b内，且与所述焊盘302间隔。
[0102]在一个示例中，当密封环301的材料为铝，第一键合层403的材料为锗(Ge)，则键合方法为Al-Ge共晶键合。
[0103]上述MEMS器件结构，对焊盘起到很好的保护作用，可有效防止MEMS器件的器件晶圆切割过程中硅切割碎肩污染铝焊盘。
[0104]实施例四
[0105] 本发明还提供一种电子装置，其包括实施例二中的MEMS器件，或其包括采用实施例一种方法制作获得的MEMS器件。
[0106] 本发明另外还提供一种电子装置包括实施例三中的MEMS器件。
[0107]由于包括的MEMS器件具有更高的性能，该电子装置同样具有上述优点。
[0108]该电子装置，可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、上网本、游戏机、电视机、VCD、 DVD、导航仪、照相机、摄像机、录音笔、MP3、MP4、PSP等任何电子产品或设备，也可以是具有上述MEMS器件的中间产品，例如:具有该集成电路的手机主板等。
[0109] 本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。
【主权项】
1.一种MEMS器件的制作方法，包括: 提供器件晶圆，所述器件晶圆包括MEMS元件，围绕所述MEMS元件的密封环和位于所述密封环外侧的若干焊盘，以及暴露所述密封环的第一开口和暴露所述焊盘的第二开口 ；提供盖帽晶圆，在所述盖帽晶圆上形成与所述密封环位置对应的环状的第一凸起结构和与所述焊盘位置对应的第二凸起结构； 在所述第一凸起结构上形成第一键合层； 进行键合工艺，以使所述第一键合层与所述密封环相键合，并使得部分所述第二凸起结构位于所述第二开口内且与所述焊盘间隔。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二凸起结构的宽度略小于所述第二开口的宽度。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二凸起结构的宽度略小于70 μ mD4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二凸起结构的宽度范围为50 ?70 μ mD5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述密封环的位置高度大于所述焊盘的位置高度，所述焊盘位于第一钝化层内，所述焊盘与其下方的互连金属结构的顶层金属层相电连接，所述密封环位于所述第一钝化层上。6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述密封环的材料选自铝、铜、金、银、钨或锡中的一种或几种。7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述焊盘为铝焊盘。8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一键合层的材料选自锗、金、锡、锗硅或铟中的一种或几种。9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述键合为Al-Ge共晶键合工艺。10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述器件晶圆内还形成有CMOS器件。11.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述键合工艺之后还包括对所述盖帽晶圆进行切割以露出所述焊盘。12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，在对所述盖帽晶圆进行切割的步骤中，使用能产生气泡的切割清洗剂。13.一种采用如权利要求1-12中任一项所述的方法制作的MEMS器件。14.一种MEMS器件，其特在于，包括: 器件晶圆，所述器件晶圆包括MEMS元件； 围绕所述MEMS元件的密封环，以及暴露所述密封环的第一开口 ； 位于所述密封环外侧的若干焊盘，以及暴露所述焊盘的第二开口 ； 盖帽晶圆，所述盖帽晶圆包括与所述密封环位置对应的环状的第一凸起结构和与所述焊盘位置对应的第二凸起结构； 第一键合层，所述第一键合层位于所述第一凸起结构上表面； 其中所述第一键合层与所述密封环相键合，部分所述第二凸起结构位于所述第二开口内并与所述焊盘间隔。15.—种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括如权利要求13或14所述的MEMS器 件。
【文档编号】B81C1/00GK105984835SQ201510084494
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年2月16日
【发明人】何昭文
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司