RRAM材料和装置的制作方法

文档序号:30434989发布日期:2022-06-15 20:04阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种用于合成钛酸锶纳米立方体分散体的方法,该方法包括:制备包含锶源、钛源、羟基源、表面活性剂和有机溶剂的混合物;以及在环境压力下将该混合物在搅拌下加热至足以引起水解和形成分散的钛酸锶纳米立方体的温度和时间,其中该表面活性剂具有大于80,000g.mol-1
的分子量。2.一种用于合成钛酸锶纳米立方体分散体的方法,该方法包括:制备包含锶源、钛源、羟基源、表面活性剂和有机溶剂的合成混合物;以及在环境压力下将该混合物在搅拌下加热至足以引起水解和形成分散的钛酸锶纳米立方体的温度和时间,其中在开始热水解之前将碱源在搅拌下逐滴添加到其他组分的混合物中。3.一种用于合成钛酸锶纳米立方体的方法,该方法包括制备包含锶源、钛源、羟基源、表面活性剂和有机溶剂的混合物;以及在环境压力下将该混合物在搅拌下加热至足以引起水解和形成分散的钛酸锶纳米立方体的温度和时间,其中在大于两小时的时间段内将该混合物加热至150℃与200℃之间的温度。4.一种用于合成钛酸锶纳米立方体的方法,该方法包括如权利要求1至3所述的方法中的任两种或更多种的任何组合。5.如前述权利要求中任一项所述的方法,其中,该羟基源是nh4oh。6.如权利要求1至4中任一项所述的方法,其中,该羟基源不是有机的。7.如权利要求3所述的方法,其中,将该混合物加热至160℃的温度。8.如权利要求3所述的方法,其中,在三小时或更长并且优选四小时或更长的时间段内将该混合物加热至期望的温度。9.如前述权利要求中任一项所述的方法,其中,这些溶剂是含氧溶剂。10.如权利要求9所述的方法,其中,该溶剂为选自醇、二醇醚、乙酸甲酯、乙酸乙酯、酮、酯以及二醇醚/酯衍生物中的一种或多种溶剂。11.如权利要求9所述的方法,其中,这些溶剂是乙烯或丙烯的二醇并且最优选地是乙烯的二醇。12.如权利要求11所述的方法,其中,该溶剂为三甘醇(teg)。13.如权利要求1所述的方法,其中,该表面活性剂具有100k或更大、200k或更大、或者300k或更大的分子量。14.如权利要求1所述的方法,其中,该表面活性剂具有360k g.mol-1
的分子量。15.如前述权利要求中任一项所述的方法,其中,该表面活性剂是吸湿的。16.如前述权利要求中任一项所述的方法,其中,该表面活性剂是由n-乙烯吡咯烷酮制备的聚合物或共聚物。17.如权利要求16所述的方法,其中,该聚合物是聚乙烯吡咯烷酮(pvp)。18.一种钛酸锶纳米立方体溶胶,其包含钛酸锶纳米立方体、有机溶剂和分子量大于80,000g.mol-1的表面活性剂。19.一种通过如权利要求1至17所述的方法中的任一种制备的钛酸锶纳米立方体溶胶。20.一种涂覆分散体或油墨,其包含用一种或多种溶剂稀释的如权利要求18或19所述的溶胶。21.如权利要求20所述的涂覆分散体或油墨,其包含一种或多种有机溶剂。22.如权利要求21所述的涂覆分散体或油墨,其包含醇,优选乙醇和/或二醇衍生物。
23.如权利要求1至17中任一项所述的方法,其中,通过向该溶胶中添加水从这些溶胶中沉淀从而分离钛酸锶纳米立方体。24.如权利要求23所述的方法,其中,使用的水:溶胶的重量比大于30:1,更优选大于40:1,并且最优选为50:1或更大。25.一种用于制造钛酸锶纳米立方体层的方法,该方法包括:将如权利要求22至24中任一项所述的钛酸锶纳米立方体的涂覆分散体沉积到适合的基板上或将如权利要求22至24中任一项所述的钛酸锶纳米立方体的油墨打印到适合的基板上;以及干燥所沉积或所打印的钛酸锶纳米立方体层。26.一种金属氧化物层,其包含如权利要求1至17、23或24中任一项制备的钛酸锶纳米立方体。27.一种金属氧化物层,其包含钛酸锶纳米立方体和表面活性剂残留物和/或二醇溶剂残留物和/或碳质沉积物。28.一种金属氧化物层,其包含钛酸锶纳米立方体并且具有至少100的hrs/lrs比。29.一种金属氧化物层,其包含钛酸锶纳米立方体并且具有2伏特或更低的稳定的设定电压和复位电压。30.一种电子装置,其包括一个或多个沉积层和/或打印层,这些层包含如权利要求1至17中任一项制备的钛酸锶纳米立方体。31.一种rram电子装置,其包括一个或多个沉积层和/或打印层,这些层包含如权利要求1至17中任一项制备的钛酸锶纳米立方体。

技术总结
公开了用于制造稳定的钛酸锶纳米立方体溶胶的方法。这些溶胶可用于制造适用于RRAM应用的可切换层,并且切换性能是稳定且可重复的。这些RRAM层包含钛酸锶纳米立方体和表面活性剂的混合物。性剂的混合物。性剂的混合物。


技术研发人员:储德韦 万涛 西恩
受保护的技术使用者:澳大利亚高级材料有限公司
技术研发日:2020.07.03
技术公布日:2022/6/14
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