专利名称：高温高延展电解铜箔制造工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种高温高延展电解铜箔制造工艺，属于电解铜箔制造技术领域。
背景技术：
电解铜箔是制作印制电路板(PCB)的重要材料。PCB主要用于电子计算机、工业控制、航空航天及所有消费类电器等领域，印制电路板(PCB)行业技术的高速发展和需求量的日益增长，对电解铜箔性能提出了更高的要求。特别是高端的多层电路板行业发展迅猛，由于它技术含量高，附加值高，受到国内外电路板生产厂家重视，将生产重点开始转移到多层电路板生产，多层电路板市场会越来越大。
虽然有着良好的市场前景和发展机遇，但多层电路板对电解铜箔的性能要求非常高，特别是对多层电路板内层电解铜箔的高温延伸性能提出了很高的要求，如果高温延伸性能不好，就会出现内层铜箔经多次压板升温或焊接过程发生铜箔线路断裂现象，严重影响电路板的质量。现多层电路板生产厂家使用的电解铜箔大都从日本、台湾等铜箔生产企业进口，成本较高。
目前国内铜箔生产厂家采用的生产方法和添加剂各不相同，大都采用明胶、盐酸等简单的添加剂，高温延伸率一般小于3％，这样的高温延伸率是无法满足多层电路板需要的，所以开发一种新的生产高温高延展电解铜箔技术是刻不容缓的。
发明内容
本发明目的在于提供一种能够解决高温延展性低问题，还可保证电解铜箔的各项性能处于稳定状态的高温高延展电解铜箔的制造工艺。
本发明一种高温高延展电解铜箔的制造工艺，该技术是在电解铜箔制造过程中采用不同的工艺和添加剂，使电解铜箔的高温延展性能大幅提高。
本发明高温高延展电解铜箔制造工艺一、电解液工艺范围电解铜箔的生产过程为先将阴极铜、浓硫酸、软水、蒸汽混合溶解，生成硫酸铜溶液，再进入电解槽中进行电解，生成铜箔，其中，Cu2+90-140g/l、H2SO4140-200g/l、t45-70℃，最佳工艺范围Cu2+100-130g/l、H2SO4150-180g/l、t60-70℃；二、添加剂的选择在电解液中连续添加添加剂，能得到性能稳定的电解铜箔；所述添加剂为明胶、羟乙基纤维素、十二烷基苯磺酸钠、丙烯基硫脲、聚丙烯酰胺、混合物A中的一种或几种混合使用，其中混合物A为聚乙二醇PEG(环氧乙烷缩合物，分子量400-6000)、聚醚(烯丙醇聚氧烷基醚)、糖精(邻苯甲酰磺酰亚胺)、聚二硫二丙烷磺酸、干酪素中的任意二种或三种的百分比混合，添加剂的使用直接用水或电解液溶解；三、电解液净化电解液中杂质总量不超过0.1％，电解液要求过滤精度达到0.1um，电解液活性炭用量为1-3g/L·天；四、电解铜箔生产电流密度在40-90A/dm2、极距在10-30mm范围中，最佳电流密度在50-80A/dm2、极距在15-25mm。
所述添加剂的组成及含量为明胶0.01～0.1g/L及混合物A 0.01～0.05g/L；所述添加剂的组成及含量为丙烯基硫脲0.01～0.1g/L、十二烷基苯磺酸钠0.005～0.03g/L及混合物A 0.02～0.06g/L；所述添加剂的组成及含量为明胶0.01～0.1g/L、羟乙基纤维素0.01～0.05g/L及混合物A 0.01～0.05g/L；所述添加剂的组成及含量为明胶0.01～0.1g/L、聚丙烯酰胺0.01～0.05g/L及混合物A 0.01～0.05g/L；所述添加剂的组成及含量为混合物A 0.03～0.08g/L。
本发明具有如下优点1、本电解铜箔制造工艺，溶液成份Cu2+90-140g/L，H2SO4140-200g/L，电流密度50-80A/dm2均可生产出合格产品；2、本电解铜箔制造工艺用添加剂采用连续添加的方法，能得到性能稳定的电解铜箔；3、本电解铜箔制造工艺用添加剂的使用方法简单，直接用水或电解液溶解；4、本电解铜箔制造工艺生产的电解铜箔Rz值均匀，对电解铜箔后处理奠定基础；5、本电解铜箔制造工艺生产的电解铜箔高温延伸率＞6％，工艺及添加剂控制稳定能达到8％以上，采用复合添加剂后高温延伸率＞10％。
本发明高温高延展电解铜箔制造工艺生产的电解铜箔，使用一种添加剂，高温延伸率＞6％，使用二种添加剂，高温延伸率＞8％，使用三种添加剂，其中包含独立研发的复合添加剂中的一种，高温延伸率＞10％；在电解铜箔制造过程中采用不同的工艺和添加剂，使电解铜箔的高温延展性能大幅提高，不仅解决了高温延展性低的问题，还可保证电解铜箔的其他性能处于稳定状态。
图1为本电解铜箔制造技术生产的18um电解铜箔2000倍形貌图；图2为本电解铜箔制造技术生产的35um电解铜箔2000倍形貌图。
具体实施例方式
实施例一本实施例的高温高延展电解铜箔制造工艺如下一、电解液工艺电解铜箔的生产过程为先将阴极铜、浓硫酸、软水、蒸汽混合溶解，生成硫酸铜溶液，再进入电解槽中进行电解，生成铜箔，其中，Cu2+90g/l、H2SO4200g/l、t45℃；二、添加剂的选择在电解液中连续添加添加剂，能得到性能稳定的电解铜箔；所述添加剂为明胶、羟乙基纤维素、十二烷基苯磺酸钠、丙烯基硫脲、聚丙烯酰胺、混合物A中的一种或几种混合使用，其中混合物A为聚乙二醇PEG(环氧乙烷缩合物，分子量400-6000)、聚醚(烯丙醇聚氧烷基醚)、糖精(邻苯甲酰磺酰亚胺)、聚二硫二丙烷磺酸、干酪素中的任意二种或三种的百分比混合，添加剂的使用直接用水或电解液溶解；三、电解液净化电解液中杂质总量不超过0.1％，电解液要求过滤精度达到0.1um，电解液活性炭用量为1-3g/L·天；四、电解铜箔生产电流密度40A/dm2、极距30mm。
本实施方式电解铜箔制造工艺，生产的电解铜箔高温延伸率＞6％。
实施例二本实施方式与实施例一不同在于一、电解液工艺Cu2+140g/l、H2SO4140g/l、t70℃；二、添加剂的选择在电解液中连续添加添加剂，能得到性能稳定的电解铜箔；所述添加剂为明胶、羟乙基纤维素、十二烷基苯磺酸钠、丙烯基硫脲、聚丙烯酰胺、混合物A的2种混合使用，添加剂的使用，直接用电解液溶解；四、电解铜箔生产电流密度90A/dm2、极距15mm。
生产的电解铜箔高温延伸率＞8％。
实施例三本实施方式与实施例一不同在于一、电解液工艺 Cu2+100g/l、H2SO4150g/l、t60-70℃；二、添加剂的选择添加剂为明胶、羟乙基纤维素、十二烷基苯磺酸钠、丙烯基硫脲、聚丙烯酰胺、混合物A中的三种混合使用，添加剂的使用，直接用水溶解；四、电解铜箔生产电流密度50A/dm2、极距20mm。
生产的电解铜箔高温延伸率＞10％。
实施例四添加剂组成在电解液中加入明胶0.01～0.1g/L及混合物A 0.01～0.05g/L可以使电解铜箔毛面结晶细化。
高温延伸率测试结果平均值9.5％。
实施例五添加剂组成在电解液中加入丙烯基硫脲0.01～0.1g/L、十二烷基苯磺酸钠0.005～0.03g/L及混合物A 0.02～0.06g/L可以使电解铜箔毛面结晶致密。
高温延伸率测试结果平均值12.8％。
实施例六添加剂组成在电解液中加入明胶0.01～0.1g/L、羟乙基纤维素0.01～0.05g/L及混合物A 0.01～0.05g/L可以使电解铜箔毛面结晶更加致密。
高温延伸率测试结果平均值13.2％。
实施例七添加剂组成在电解液中加入明胶0.01～0.1g/L、聚丙烯酰胺0.01～0.05g/L及混合物A 0.01～0.05g/L可以使电解铜箔毛面结晶更加致密。
高温延伸率测试结果平均值12.2％。
实施例八添加剂组成在电解液中加入混合物A 0.03～0.08g/L可以使电解铜箔毛面结晶更加致密。
高温延伸率测试结果平均值10.8％。
由于电解铜箔生产各厂家的设备差异，所用生产技术也各不相同，只要采用本专利技术方案的电解铜箔生产工艺，高温延展性能都会有很大的提高。
本发明技术解决了铜箔高温延展性能问题，但添加剂的浓度分析控制上需要辅助红外和紫外分析仪器。
权利要求
1.高温高延展电解铜箔制造工艺，其特征在于(1)、电解液工艺范围电解铜箔的生产过程为先将阴极铜、浓硫酸、软水、蒸汽混合溶解，生成硫酸铜溶液，再进入电解槽中进行电解，生成铜箔，其中，Cu2+90-140g/l、H2So4140-200g/l、t45-70℃；(2)、添加剂的选择在电解液中连续添加添加剂，能得到性能稳定的电解铜箔；所述添加剂为明胶、羟乙基纤维素、十二烷基苯磺酸钠、丙烯基硫脲、聚丙烯酰胺、混合物A中的一种或几种混合使用，其中混合物A为聚乙二醇PEG(环氧乙烷缩合物，分子量400-6000)、聚醚(烯丙醇聚氧烷基醚)、糖精(邻苯甲酰磺酰亚胺)、聚二硫二丙烷磺酸、干酪素中的任意二种或三种的百分比混合，添加剂的使用直接用软水或电解液溶解；(3)、电解液净化电解液中杂质总量不超过0.1％，电解液要求过滤精度达到0.1um，电解液活性炭用量为1-3g/L·天；(4)、电解铜箔生产电流密度在40-90A/dm2、极距在10-30mm范围。
2.权利要求1所述的高温高延展电解铜箔制造工艺，其特征在于(1)、电解液工艺范围最佳工艺范围Cu2+100-130g/l、H2So4150-180g/l、t60-70℃；(4)、电解铜箔生产最佳电流密度在50-80A/dm2、极距在15-25mm。
3.权利要求1所述的高温高延展电解铜箔制造工艺，其特征在于所述添加剂的组成及含量为明胶0.01～0.1g/L及混合物A 0.01～0.05g/L。
4.权利要求1所述的高温高延展电解铜箔制造工艺，其特征在于所述添加剂的组成及含量为丙烯基硫脲0.01～0.1g/L、十二烷基苯磺酸钠0.005～0.03g/L及混合物A 0.02～0.06g/L
5.权利要求1所述的高温高延展电解。铜箔制造工艺，其特征在于所述添加剂的组成及含量为明胶0.01～0.1g/L、羟乙基纤维素0.01～0.05g/L及混合物A0.01～0.05g/L。
6.权利要求1所述的高温高延展电解铜箔制造工艺，其特征在于所述添加剂的组成及含量为明胶0.01～0.1g/L、聚丙烯酰胺0.01～0.05g/L及混合物A0.01～0.05g/L。
7.权利要求1所述的高温高延展电解铜箔制造工艺，其特征在于所述添加剂的组成及含量为混合物A 0.03～0.08g/L。
全文摘要
本发明涉及一种高温高延展电解铜箔制造工艺，属于电解铜箔制造技术领域，主要解决电解铜箔高温延展性偏低的问题。特征主要包含(1)电解液工艺范围；(2)添加剂的选择；(3)电解液净化；(4)电流密度、极距的选择。本发明高温高延展电解铜箔制造工艺生产，采用不同的工艺和添加剂，使电解铜箔的高温延展性能大幅提高，不仅解决了高温延展性低的问题，还可保证电解铜箔的其他性能处于稳定状态，满足印制电路板的需求，特别适应于多层电路板内层需求。
文档编号C25D3/38GK1995469SQ200610070550
公开日2007年7月11日 申请日期2006年11月28日 优先权日2006年11月28日
发明者徐树民, 胡旭日, 杨祥魁, 郑小伟, 刘建广, 王维河 申请人:招远金宝电子有限公司