技术特征：
技术总结
本发明提供了一种TSV快速填充方法与装置，TSV快速填充方法包括如下步骤：预处理：将含TSV盲孔的硅片保持开口向上在金属纳米粒子悬浮液中放置20小时以上；取出所述硅片，在200‑500℃下加热15‑60min；电镀铜：将加热后的硅片进行电镀铜，至TSV盲孔被完全填充。TSV快速填充装置，包括电镀阳极、电镀阴极、电镀电源、电镀液和超声变幅杆。预处理后TSV孔中预先沉积有金属纳米粒子，再用上述TSV快速填充装置进行电镀铜，加快了铜的沉积速度，提高了生产效率。
技术研发人员：王彦;王福亮;陈卓;何虎;李军辉
受保护的技术使用者：中南大学
技术研发日：2019.01.30
技术公布日：2019.04.16