1.一种硅材料制作方法，其特征在于包括以下步骤：
s1，将cacl2-(2～5％)sio2-(2～5％)cao或cacl2-(1～5％)casio3原料加入石英坩埚中；在400～600℃真空烘干预处理24～48h，随后在高纯氩气850℃下保温24～48h；
s2，采用两个电极分别作为阴极和阳极，在1.5～2.5v电压下进行间歇性预电解12～72h，从而获得熔盐电解池系统；
s3，将所述电极缓慢插入所述熔盐电解池系统中；保护气氛为高纯氩气，然后采用恒电流、恒电压连续性电沉积制备高纯硅材料；定期加入1～5％的sio2或casio3构成电沉积体系；
s4，将所述电沉积所得阴极产物用去离子水清洗以去除残留熔盐，然后烘干后即得高纯硅材料。
2.根据权利要求1所述的电沉积制备高纯硅的方法，其特征在于，所述方法采用廉价氧化钙、二氧化硅、三氧化二硼、三氧化二锑、硅酸钙为原料。
3.根据权利要求1或2所述的电沉积制备高纯硅的方法，其特征在于，所述步骤s2还包括通过对所述熔盐电解池系统进行预电解净化，净化技术条件为两根规格相同的高纯碳棒作为阴极和阳极，在850℃和1.5～2.5v电压下进行预电解4～12h，然后取出电极并让熔盐体系保温静置8～12h后，采用新石墨电极重复此预电解步骤1～8次。
4.根据权利要求1或2所述的电沉积制备高纯硅的方法，其特征在于，可通过在熔盐中定期加入适量b2o3作为掺杂元素，实现电沉积过程直接原位电掺杂制备p型硅膜。
5.根据权利要求1或2所述的电沉积制备高纯硅的方法，其特征在于，可通过在熔盐中定期加入适量sb2o3作为掺杂元素，实现电沉积过程直接原位电掺杂制备n型硅膜。
6.根据权利要求1或2所述的电沉积制备高纯硅的方法，其特征在于，所述的周期性加入sio2或casio3，可在电解池硅原料消耗后定期加入氯化钙中，时间为48～72h。
7.根据权利要求6所述的电沉积制备高纯硅的方法，其特征在于，所述的定期加入sio2或casio3后，需静置24～48h。
8.根据权利要求1或2所述的电沉积制备高纯硅的方法，其特征在于，所述用于电沉积的基体为高纯碳棒或碳片或金属及合金，保护装置为高纯石英管。
9.根据权利要求1或2所述的电沉积制备高纯硅的方法，其特征在于，所述的电沉积条件为：恒电流10～20ma/cm2或脉冲电流条件下进行电沉积；所述脉冲电流条件为20-120s沉积电流为10-20ma/cm2；然后10-30s电流为0ma/cm2。
10.根据权利要求1或2所述的电沉积制备高纯硅的方法，其特征在于，所述的电沉积制备高纯硅材料，其高纯硅材料包含太阳能级高纯硅膜、硅微纳米线、晶体硅粉。