技术总结
本发明公开了一种直接由二氧化硅或硅酸钙连续制备高纯硅的方法。以二氧化硅为原料，通过添加氧化钙辅助熔解形成硅酸根离子，或直接利用硅酸钙为原料，在氯化钙熔盐中直接电沉积制备高纯硅。本发明采用高纯石英坩埚为反应容器、高纯石墨棒/石墨片或金属、合金为电极、高纯氩气为保护气氛，通过对氯化钙熔盐进行间歇性预电解技术净化，并通过周期性加入高纯二氧化硅或硅酸钙原料，从而实现直接电沉积连续制备高纯硅(>99.99％)材料。在恒电流或脉冲电流条件下，在850℃可实现高纯晶体硅膜(>99.999％)、硅纳米线、晶硅粉的可控制备并实现原位电掺杂形成p型/n型硅。本发明可实现从廉价二氧化硅或硅酸钙直接制备高纯硅膜用于光伏应用。
技术研发人员：邹星礼;庞忠亚;唐蔚;施天宇;汪淑娟;鲁雄刚;许茜
受保护的技术使用者：上海大学
技术研发日：2019.09.16
技术公布日：2019.12.31