技术总结
本发明公开了一种防陶瓷芯片镀镍或金爬镀的工艺，所述镀镍工艺具体包括以下步骤：S1、陶瓷芯片的预处理；S2、陶瓷芯片的镀镍工序：将步骤S2中的陶瓷芯片浸入盛装有镀镍溶液的镀镍槽中，控制镀镍电流密度为0.5~2A/dm2，从而实现了在银层或铜层上电镀出镀镍层；所述镀金工艺具体包括以下步骤：S3、陶瓷芯片的预处理；S4、陶瓷芯片的镀镍工序；S5、陶瓷芯片的镀金工序：将步骤S4中的陶瓷芯片浸入盛装有镀金溶液的槽体中，镀金溶液为柠檬酸，控制镀金电流密度为0.2~1A/dm2，从而实现了在银层或铜层表面上电镀出镀金层。本发明的有益效果是：提高镀层质量、降低渗镀能力、防止电镀时产生爬镀。
技术研发人员：黄皓;杨翠刚;李云仕;赵景勋;朱万宇;饶轩;吴传伟
受保护的技术使用者：成都宏明双新科技股份有限公司
技术研发日：2020.06.05
技术公布日：2020.09.08