专利名称：讯号检测棒的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种讯号检测棒，特别是指一种可测知讯号幅值高低与电压范围，并可从发光二极管获得讯号状态的讯号检测棒。
一般而言，数字讯号是以电压为“有”的状态为“1”，以电压为“无”的状态为“0”的二种组合而成，这些“0”或“1”的状态，各有一定的容许电压宽幅，只要信号电压振幅在此一范围内，便可以确实成为“1”或“0”，此亦为数字信号的特征。因此，对于电路的检测，常利用此“1”或“0”的电压范围(逻辑电平)，来加以检测电路的讯号传递是否正常。
以一般LS-TTL而言，输入电压在0.8伏特电压的范围为“0”，而在2-5伏特电压的范围为“1”，与此相对的，输出电压的逻辑电平，在“0”为0-0.5伏特电压的范围，“1”为2.7-5伏特电压的范围，比输入电压的容许宽幅稍微窄一些，此一差别主要是为了防止噪声讯号引起的误动作。因此，针对不同的电压范围，应有较详细的检测信息，以获知电路检测的完整讯息。
由于传统讯号检测器只是单纯检测讯号的高低电平，并且无法得知讯号是否有跳动，因此，对于系统出问题时，常需借助示波器来检测系统的状态，而对于系统综合测试(System Integration Test:SIT)或反应室(Chamber)中所出现的检测问题，无法单靠传统讯号检测器来加以检测，常需配合示波器来作详尽的检测，但是，往往待测物的空间限制或电路考虑，无法提供测试者以较复杂的检测装置加以检测。
本实用新型的目的在于提出一种由一讯号输入端、触发器、运算放大器及多个发光二极管所组成的讯号检测棒，通过它们的检测，可以获知输入电平的高低、讯号的状态及显示电压的范围，从而解决了现有技术所存在的问题。
本实用新型所采用的技术方案在于它至少包含有一讯号输入端，它分别耦接至第一N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极(Gate)端与一P通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极端，该第一N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极(Drain)端与第二N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极端耦接，该第二N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极端分别并接五个D型触发器，该P通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极端分别并接五个运算放大器；及多个发光二极管，用于检测输入电压逻辑电平的第1,2发光二极管分别耦接至该第一与第二N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极端，第3,4,5,6发光二极管分别耦接至该前四个D型触发器的反相输出端，用于显示输入电压范围的第7,8,9,10,11发光二极管分别耦接至该五个运算放大器的输出端。
本实用新型还可以采用的技术方案在于它至少包含有一讯号输入端，分别耦合至第一N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极端与一P通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极端，该第一N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极端与第二N通道增强型金属氧化物场效应昌体管的栅极端耦接，该第二N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极端分别并接多个D型触发器，该P通道增强型金属氧化物场效应晶体管的漏极端分别并接多个运算放大器；及多个发光二极管，二个该发光二极管分别耦接至该第一与第二N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极端，多个发光二极管分别耦接至该多个D型触发器的反相输出端，多个发光二极管分别耦接至该多个运算放大器的输出端。
本实用新型的特点在于它利用少量的电子元件，设计成一支讯号检测棒，无须借用示波器而能简便地用以检测讯号的高低电平，并且得知讯号是否有跳动现象，更进一步能测得电压的范围。
其中，该讯号检测棒可以从不同的发光二极管检测出以下的讯号状态(1)检测输入电压逻辑电平高低将第1,2发光二极管(D1,D2)分别串接二个N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的源极输出端，该第一MOSFET的源极是耦接至第二MOSFET的栅极。
(2)检测输入脉冲讯号的状态该第二MOSFET漏极输出端分别并接多个D型触发器，分别自D型触发器(F1,F2,F3,F4)的反相输出端串接第3,4,5,6发光二极管(D3,D4,D5,D6)，以分别依序闪烁成波浪状以显示输入状态。
(3)显示电压范围提供一P通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的栅极输入端与输入讯号端耦接，并通过该MOSFET的漏极分别并接五个运算放大器(A1-A5)，再借由该五个运算放大器的输出端分别串接第7,8,9,10,11发光二极管(D7,D8,D9,D10,D11)，借由调整阻抗大小，定义输入电压导通发光二极管，以获知输入电压范围。
图1为本实用新型的电路原理图。
现在结合上述附图来进一步说明本实用新型的较佳具体实施例。本实用新型提出一种具有多个发光二极管的讯号检测棒，并利用电路配置将所检测的电压，以不同的发光二极管来显示检测的电压状态，其中，图1为本实用新型的讯号检测棒的电路原理图。
现就本实用新型的讯号检测棒的电路说明如下，当输入电压的逻辑电平为“1”时，则第1发光二极管(D1)导通发光；若输入电压的逻辑电平为“0”时，则第2发光二极管(D2)导通发光，该第1,2发光二极管(D1,D2)是分别串接二个N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(Q1,Q2)的漏极输出端，并且提供5伏特的工作电压，用以显示“1”与“0”的逻辑电平，该第一MOSFET(Q1)的漏极是耦接至第二MOSFET(Q2)栅极。
该第二MOSFET(Q2)的漏极输出端分别并接多个D型触发器，且该多个D型触发器之间是以串接方式连接，本实用新型是以五个D型正反器(F1,F2,F3,F4)为例说明用以产生波浪状显示输入状态。
其中，该第3,4,5,6发光二极管(D3,D4,D5,D6)是分别各自串接D型正反器(F1,F2,F3,F4)的反相输出端，并且提供5伏特的工作电压，当输入脉冲电压时，第3,4,5,6发光二极管(D3,D4,D5,D6)分别依序闪烁成波浪状以显示输入状态，即可得知检测输入脉冲讯号的状态。
另外，就显示电压范围的检测方面，还提供一P通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(Q3)的栅极输入端与输入讯号端耦接，并通过该MOSFET(Q3)的漏极分别并接五个运算放大器(A1-A5)，再借由该五个运算放大器的输出端分别串接第7,8,9,10,11发光二极管(D7,D8,D9,D10,D11)，并且提供12伏特的工作电压。
此时，调整阻抗大小，当输入电压介于0-1.5伏特电压时，由于最大电流流过Q3形成高电位在漏极端，因此，第7发光二极管(D7)导通发光；输入电压大于2.5伏特电压时，发光二极管(D8,D9,D10,D11)导通发光；输入电压大于3.3伏特电压时，发光二极管(D9,D10,D11)导通发光；输入电压大于5伏特电压时，发光二极管(D10,D11)导通发光；输入电压大于11伏特电压时，只有第11发光二极管(D11)导通发光。由此可知，借由第7,8,9,10,11发光二极管(D7,D8,D9,D10,D11)的导通发光，以显示该输入电压的范围。
虽然本实用新型以前述的较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本实用新型，任何熟悉此技艺的技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作少许的更动与润饰，因此本实用新型的保护范围当视后附的权利要求书保护范围所界定的为准。
权利要求1.一种讯号检测棒，其特征在于它至少包含一讯号输入端，分别耦接至第一N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极端与一P通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极端，该第一N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极端与第二N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极端耦接，该第二N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的极端分别并接五个D型触发器，该P通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极端分别并接五个运算放大器及多个发光二极管，用于检测输入电压逻辑电平的第1,2半导体发光二极管分别耦接至该第一与第二N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极端，第3,4,5,6发光二极管分别耦接至该前四个D型触发器的反相输出端，用于显示输入电压范围的第7,8,9,10，11发光二极管分别耦接至该五个运算放大器的输出端。
2.如权利要求1所述的讯号检测棒，其特征在于所述的讯号输入逻辑电平，当它为“1”时，耦接至该第一N通道增强型金属氧化物半导体晶体管的源极端的该第1发光二极管导通发光。
3.如权利要求1所述的讯号检测棒，其特征在于所述的讯号输入逻辑电平，当它为“0”时，耦接至该第二N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极端的该第2发光二极管导通发光。
4.如权利要求1所述的讯号检测棒，其特征在于所述的讯号输入，当它为脉冲讯号时，耦接至该前四个D型触发器的反相输出端的该第3，4,5,6发光二极管分别依序闪烁成波浪状。
5.如权利要求1所述的讯号检测棒，其特征在于所述的讯号输入电压，当它大于1.5伏特电压时，第7发光二极管导通发光。
6.如权利要求1所述的讯号检测棒，其特征在于所述的讯号输入电压，当它大于2.5伏特电压时，第8发光二极管导通发光。
7.如权利要求1所述的讯号检测棒，其特征在于所述的讯号输入电压，当它大于3.3伏特电压时，第9发光二极管导通发光。
8.如权利要求1所述的讯号检测棒，其特征在于所述的讯号输入电压，当它大于5伏特电压时，第10发光二极管导通发光。
9.如权利要求1所述的讯号检测棒，其特征在于所述的定义该讯号输入电压，当它大于11伏特电压时，第11发光二极管导通发光。
10.如权利要求1所述的讯号检测棒，其特征在于它还提供5伏特的工作电压至该第1,2,3,4,5,6发光二极管。
11.如权利要求1所述的讯号检测棒，其特征在于它还提供12伏特的工作电压至该第7,8,9,10,11发光二极管。
12.一种讯号检测棒，其特征在于它至少包含一讯号输入端，它分别耦接至第一N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极端与一P通道增强型金属氧化物半导效应晶体管的栅极端，该第一N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极端与第二N通道增强型金属氧化物效应晶体管的栅极端耦接，该第二N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极端分别并接多个D型触发器，该P通道增强型金属氧化物场效应晶体管的漏极端分别并接多个运算放大器；及多个发光二极管，二个该发光二极管分别耦接至该第一与第二N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极端，多个发光二极管分别耦合至该多个D型触发器的反相输出端，多个发光二极管分别耦合至该多个运算放大器的输出端。
13.如权利要求12所述的讯号检测棒，其特征在于所述的讯号输入逻辑电平，当它为“1”时，耦接至该第一N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极端的该发光二极管导通发光。
14.如权利要求12所述的讯号检测棒，其特征在于所述的讯号输入逻辑电平，当它为“0”时，它耦合至该第二N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极端的该发光二极管导通发光。
15.如权利要求12所述的讯号检测棒，其特征在于所述的讯号输入，当它为脉冲讯号时，它耦接至该多个D型触发器的反相输出端的该多个发光二极体分别依序闪烁成波浪状。
16.如权利要求12所述的讯号检测棒，其特征在于所述的讯号输入电压，当它大于特定电压时，它耦接至该多个运算放大器的输出端的特定该发光二极管导通发光。
17.如权利要求12所述的讯号检测棒，其特征在于它还提供5伏特的工作电压至耦合至该第一N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管源极端的该发光二极管。
18.如权利要求12所述的讯号检测棒，其特征在于它还提供5伏特的工作电压至耦合至该第二N通道增强型金属氧化物半导体场效晶体管的源极端的该发光二极管。
19.如权利要求12所述的讯号检测棒，其特征在于它还提供5伏特的工作电压至耦接至该多个D型触发器的反相输出端的该多个发光二极管。
20.如权利要求12所述的讯号检测棒，其特征在于它还提供12伏特的工作电压至耦接至该多个运算放大器的输出端的该多个发光二极体管。
专利摘要本实用新型涉及一种具有多个发光二极管的讯号检测棒,它包括有一讯号输入端、多个发光二极管、触发器及运算放大器所组成,它将检测的讯号以发光二极管显示所量测系统的状态,该讯号检测棒是提供检测输入电压逻辑电平高低、检测输入脉冲讯号的状态与检测输入讯号的电压范围等功能。
文档编号G01R29/02GK2457608SQ0026327
公开日2001年10月31日 申请日期2000年12月8日 优先权日2000年12月8日
发明者李俊良 申请人:英业达股份有限公司