专利名称：压力传感器和压力测定装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及压力传感器和压力测定装置。特别是涉及通过检测导入的压力造成薄膜片的变形，来检测压力的压力传感器和它的制造方法。还涉及关于使用此压力传感器的压力测定装置。
然后在膜片5的外面作用压力P1(例如基准压力)，通过压力导入部位6和导压通路7导入的压力P2作用在膜片5内表面上的话，此压力差P2-P1会造成膜片5的变形。此变形引起膜片5和掺杂区域3之间的距离改变，进而引起膜片5和掺杂区域3之间的静电容量变化，此电容量变化反映压力的变化，其结果利用掺杂区域和膜片5之间的电容量改变，能够检测出压力差或压力。
用这样的压力传感器1检测变动的压力时，压力检测腔4中压力变化频率增加的话，气体的移动速度成为起支配作用的速度，膜片不能随之变形。此时附加压力的频率称为截止频率。
根据用途压力传感器的截止频率或响应频率设计成与目的相应的值，在制造工序中必须对目标值进行管理。例如用于血压计等情况下，由于要用泵以一定的速度把空气送入袖带或以一定速度使袖带减压，要使压力传感器的截止频率为高于脉动波频率，而且低于压力杂波频率的值，使压力传感器不检测此泵产生的压力杂波。
这种压力传感器的响应特性或截止频率取决于压力检测腔的容积、导压通路7的长度或断面面积。可是要用压力检测腔的容积控制压力传感器的响应特性的话，压力传感器响应频率以外的特性要变化。例如改变压力检测腔容积的话，膜片的面积要改变，或薄膜片和掺杂区域之间的间隔要改变，存在有压力传感器的灵敏度改变的问题。此外用加长导压通路的方法，由于在半导体基板上只需要这么大的面积，这样的方法会防碍压力传感器向小型化发展。此外由于导压通路的断面面积也仅为数μm2左右数量级，用导压通路的断面面积控制压力传感器的响应特性，若不是用非常高的加工精度制造的话，压力传感器的响应特性波动就会变大。
此外本发明提供以因泵等造成压力杂波强的血压计为主的各种压力测定装置。
本发明的压力传感器在其主体上形成薄膜片和与薄膜片连接的压力检测用空隙，其为根据上述薄膜片的挠曲量检测导入此压力检测用空隙中压力的压力传感器，其特征是，上述传感器主体的压力导入部位及与上述压力检测用空隙连接、用于从此压力导入部位把压力导入上述压力检测用空隙的导压通路形成在上述传感器主体上，在上述导压通路设有断面积比上述导压通路还大的空间。希望此空间的容积要比此空间和压力检测用空隙之间的导压通路的容积大。
在本发明的压力传感器中，把压力检测用空隙和压力导入部位连接的导压通路中，由于设有断面积比导压通路的断面积还大的空间，通过导压通路传递的压力(气体的流动)在此空间延迟，出现暂时的或瞬间的压力变化时，此压力变化在此空间被吸收，阻碍传递到薄膜片。因此通过在导压通路中形成上述空间，能使导压通路具有低通滤波器的功能。然后通过调整此空间的断面积和容积可以控制传递压力延迟的程度，这样就可以精确控制压力传感器的响应频率和截止频率。
采用本发明的压力传感器的实施方式，由于确定上述空间的容积，使压力传感器的响应频率比检测压力区域的频率高，而且比压力杂波的频率低，所以不受压力杂波的影响，可以精确地检测出要检测的压力或它的变动频率。
血压计的情况是要检测的脉搏的频率大约为15Hz，而泵和阀等产生的压力杂波频率大约为50Hz，所以可以把压力传感器的响应频率设定为检测压力频率或检测压力区域最大频率的1.5倍以上，即25Hz以上，35Hz以下。这样把压力传感器的响应频率定为检测压力区域的最大频率的1.5倍以上的话，适合用于血压计。
采用本发明的压力传感器的其他实施方式，采用把第1基板和第2基板粘合在一起制成上述传感器主体，在第1基板表面制成凹陷的上述检测压力用空隙和上述空间，同时用第2基板覆盖，所以在第1基板表面加工，然后把第2基板粘合在第1基板上，仅用第2基板覆盖就能形成检测压力用空隙和上述空间，可以简化制造工序。
在此实施方式中，使上述空间的深度比上述检测压力用空隙深的话，上述空间的宽度并没有增加，而可以使上述空间断面面积比检测压力用空隙的断面面积大，由于上述空间占用的面积并没有增加，有利于压力传感器小型化。
此外采用本发明的压力传感器的其他实施方式的话，由于上述压力导入部位外部一侧的开口面积比内部一侧开口面积大，采用构成传感器主体的半导体基板蚀刻(特别是硅基板的各向异性蚀刻)，可以简单地制作压力导入部位。
此外采用本发明的压力传感器的其他实施方式的话，可以把上述空间设在与上述压力导入部位相接的位置，也可以设在上述导压通路的中间。各种情况下，由于上述空间与检测压力用空隙不相邻，不容易受到因空间造成对传感器特性的影响。此外像前者所述的那样，把上述空间设在与压力导入部位相接的位置的话，可以把导压通路只设在上述空间的一侧，对压力传感器小型化有利。像后者那样把上述空间设在导压通路中间的话，即使有灰尘从压力导入部位进入，在此空间能把灰尘留住，难以到达检测压力用空隙，能减低灰尘等造成对传感器特性的影响。把上述空间设在在压力导入部位相接的位置时，把压力导入部位和上述空间并排在传感器厚度方向的话，可以减小两者设置的空间，能使压力传感器小型化。
此外采用本发明的压力传感器的其他实施方式的话，有用导压通路连接的多个检测压力用空隙，由于上述的空间设置在从压力导入部位到最初的检测压力用空隙的导压通路上，所以能减少设置上述空间占用的位置，使压力传感器小型化。
同样采用本发明的压力传感器的其他实施方式的话，有用导压通路连接的多个检测压力用空隙，由于上述的空间设置在从压力导入部位延伸出来的导压通路通向各检测压力用空隙之前的位置上，所以能减少设置上述空间占用的位置，使压力传感器小型化。
本发明的压力测定装置的特征是设置有本发明的压力传感器和运算电路，运算电路根据用此压力传感器检测的压力，从输出的电信号计算出压力值。
血压计是本发明的压力测定装置的一个实施例，由于它能把泵和阀造成的压力杂波割断，能可靠地扑捉到作为要检测的压力—脉搏，可以实现S/N比高的血压计。此外由于没有必要设置去除电杂波的电路等，可以使压力传感器小型化，降低价格。特别是使用指用压力传感器等情况下，由于可以使血压计小型化，使用非常方便。
上述说明的本发明结构的主要部分在可能的范围内可任意组合。
采用本发明的压力传感器，连接压力检测用空隙和压力导入部位的导压通路中，由于设有断面面积比导压通路的还大的空间，通过导压通路传递的压力(气体的流动)在此空间延迟，出现暂时的或瞬间的压力变化时，此压力变化在此空间被吸收，阻碍传递到薄膜片。因此通过在导压通路形成上述空间，能使导压通路具有低通滤波器的功能。然后通过调整此空间的断面面积和容积可以控制传递压力延迟的程度，这样就可以精确控制压力传感器的响应频率和截止频率。
此外血压计是本发明的压力测定装置的一个实施例，由于它能把泵和阀造成的压力杂波截除，能可靠地扑捉到作为要检测的压力—脉搏，可以实现S/N比高的血压计。此外由于没有必要设置去除电杂波的电路等，可以使压力传感器小型化，降低价格。特别是使用指用压力传感器等情况下，由于可以使血压计小型化，使用非常方便。
图2(a)(b)为表示本发明的压力传感器结构的平面图和断面图。
图3为图2所示压力传感器的立体分解图。
图4为说明图2表示的压力传感器制造工序的图示。
图5为说明在硅基板表面制作埋入的氧化膜工序的图示。
图6为表示本发明另外实施方式的压力传感器结构的简要断面图。
图7为表示本发明另外实施方式的压力传感器结构的简要断面图。
图8为表示本发明另外实施方式的压力传感器结构的简要断面图。
图9为表示本发明另外实施方式的压力传感器结构的简要断面图。
图10为表示本发明另外实施方式的压力传感器结构的简要断面图。
图11(a)、(b)表示本发明另外实施方式的压力传感器结构的平面图和简要断面图。
图12(a)、(b)表示本发明另外实施方式的压力传感器结构的平面图和简要断面图。
图13(a)～(f)为说明本发明另外实施方式的压力传感器制造工序的简图。
图14为表示作为本发明压力检测装置示例的血压计的结构框图。
图15的(a)表示导压通路的断面面积一定时，压力检测腔内容积和响应特性(响应频率)的关系；(b)表示压力检测腔内容积一定时，导压通路的断面面积和响应特性的关系。
标号说明22 主体一侧基板23 压力检测腔24 缓冲空间25 导压通路26 压力导入部位30 遮盖基板
31 薄膜片发明的实施方式第1实施方式图2(a)(b)为表示本发明实施方式的压力传感器21的构造的平面图和断面图，图3为它的立体分解图。在此压力传感器21中，主体一侧基板22的上表面设置有凹陷下去的圆形压力检测腔23和方形的缓冲空间24，压力检测腔23和缓冲空间24之间用直线形的导压通路25连接。其中压力检测腔23和导压通路25的深度相同，缓冲空间24比压力检测腔23和导压通路25深。缓冲空间24的断面面积比导压通路25的断面面积大。缓冲空间24的容积也比导压通路25的容积大。由于缓冲空间24比导压通路25深，与导压通路25的宽度相比缓冲空间的宽度不太大，可以增加断面面积和容积，所以可以使压力传感器21小型化。
在主体一侧基板22的下表面，设置有用蚀刻的方法制成的截锥体形的压力导入部位26，压力导入部位26的下面向主体一侧基板22的下表面开口，压力导入部位26的上面向缓冲空间24内开口。这样作成缓冲空间24与压力导入部位26相邻，压力导入部位26通过缓冲空间24和导压通路25与压力检测腔23相连。压力导入部位26的下面开口面积大，与缓冲空间24相连的内侧的上面开口面积小。
压力检测腔23的底面上设固定电极27，设在主体一侧基板22上表面的电极垫片28和固定电极27用电极型板29连接。
把遮盖基板30盖在主体一侧基板22的上表面，粘合在一起。用遮盖基板30封住主体一侧基板22上的压力检测腔23、缓冲空间24和导压通路25，在遮盖基板30中与压力检测腔23相对应的位置上，有圆形薄膜片31。薄膜片31的内侧面上用金属薄膜制成可动电极32，可动电极32与设在主体一侧基板22上表面的电极垫片33导通。
然后在此压力传感器21中，薄膜片31的上面导入压力P1(例如基准压力)，从压力导入部位26把压力P2导入压力检测腔23内，薄膜片31因压力差P1-P2产生挠曲，由此产生固定电极27和可动电极32之间的静电容改变，所以能够用检测此静电容的变化来检测压差P1-P2，或以P1为基准压力检测出压力P2。
利用在导压通路25和压力导入部位26之间设置缓冲空间24，使加在导压通路25上的压力延迟，吸收压力导入部位26加工精度的波动等，暂时或瞬间产生压力变化时，在此缓冲空间24吸收，抑制薄膜片31的反应。高频压力变化持续发生的情况下，形成与导压通路25大小相应的阻力，限制压力通过，抑制薄膜片31的反应。因此用缓冲空间24和导压通路25两个阶段可以抑制薄膜片31的反应，利用缓冲空间24和导压通路25的尺寸可以得到所期望的压力响应性能。此外检测压力的频率比压力杂波的频率低的情况下，能截去压力杂波。
例如血压计检测脉搏的情况下，泵和阀等产生的压力杂波被缓冲空间24吸收，不传递到压力检测腔23中，所以不存在压力杂波的影响，能精确地检测脉搏。脉搏的频率约为15Hz，泵和阀等产生的压力杂波频率大约为50Hz，所以可以把压力传感器响应频率设定为检测压力的频率或检测压力区域的最大频率的1.5倍以上，即25Hz以上35Hz以下。此响应频率(截止频率)可以用缓冲空间24的断面面积和容积调整。
用缓冲空间24调整压力传感器的响应频率的话，不会像用压力检测腔23调整时那样对传感器特性造成影响，可以说是非常好的调整方法。此外像用导压通路25长度等调整那样使压力传感器要变大的可能性也很小。再有与导压通路25相比制作精度也会好，可以减小响应频率的波动。
图4为说明上述压力传感器21制造工序的图示。下面用图4来说明上述压力传感器21的制造工序。首先在硅基板34(或者也可以用玻璃基板)中，在要制作缓冲空间24的区域在规定的深度埋入氧化膜35(图4(a))。然后为了使硅基板34和遮盖基板30绝缘，用绝缘膜36覆盖在硅基板34上表面，在压力检测腔23、导压通路25和缓冲空间24相对应的区域除去绝缘膜。此绝缘膜36例如采用LPCVD方法时用氮化硅膜。结果是除了与压力检测腔23、导压通路25和缓冲空间24对应的区域外，硅基板34的上表面用绝缘膜36覆盖(图4(b))。由此绝缘膜36和硅基板34构成主体一侧基板22。
随后在从绝缘膜36上到硅基板34的上表面作成LTO等的牺牲层37，通过布设牺牲层37就在绝缘膜36的开口内填充了牺牲层37(图4(c))。也就是在构成压力检测腔23和导压通路25的区域中填充了牺牲层，同时在埋入氧化膜35的上表面用牺牲层37覆盖。
然后在硅基板34的下表面制成由氧化膜和氮化硅膜(SiN)等组成的掩模38，通过布设掩模38，在要制成压力导入部位26的位置使掩模38留出开口。在绝缘膜36和牺牲层37的上面制成多晶硅膜39，在多晶硅膜39的上面制成由LTO、SiN等组成的保护膜40，通过布设保护膜40，在与要制作压力检测腔23区域相对的区域要露出多晶硅膜39(图4(d))。这样，保护膜40和多晶硅膜39构成遮盖基板30，用从保护膜40露出区域的多晶硅膜39制成薄膜片31。
接着通过掩模38的开口用TMAH、KOH等的蚀刻剂对硅基板34的下表面进行蚀刻，在硅基板34的下面制成压力导入部位26(图4(e))。再通过压力导入部位26蚀刻去除埋入的氧化膜35和牺牲层37，在主体一侧基板22和遮盖基板30之间制成导压通路25和压力检测腔23(图4(f))。
图5是说明制作硅基板34表面埋入氧化膜35的工序(图4(a)的工序)。也就是在硅基板34表面上形成掩模(图中未表示)，通过掩模的开口用TMAH等湿法蚀刻，或用SF6等干法蚀刻，在硅基板34的表面制成凹陷部位34a(例如深度2μm) (图5(b))。接着在此硅基板34上堆积厚度与凹陷部位34a深度相同的氧化膜35a(图5(b))，再在氧化膜35a上涂敷抗蚀剂35b，仅留下埋入凹陷部位34a内的氧化膜35a上的抗蚀剂35b，把其他区域的的抗蚀剂35b去除(图5(c))。然后用缓冲氟酸蚀刻氧化膜35a的话，由于只有用抗蚀剂35b覆盖的凹陷部位34a内的氧化膜35a不被蚀刻而保留下来，蚀刻完了后把抗蚀剂35剥离的话，硅基板34表面用氧化膜35a制成按规定埋入的氧化膜35(图5(d))。
在上述实施方式中，用硅基板34和绝缘膜36的复合材料制成的主体一侧基板22，如图6所示，也可以只用硅基板或玻璃基板的单一材料制成主体一侧基板22，把硅基板或玻璃基板蚀刻，制成压力检测腔23和导压通路25。(第2实施方式)图7为表示本发明另外实施方式的压力传感器41结构的断面图。此压力传感器41在由硅基板构成的主体一侧基板22的上面制成压力检测腔23，压力检测腔23的下面制成导入压力的凹陷部位42，二者之间是由硅基板构成的薄膜片31。在主体一侧基板22的上面粘接有由玻璃基板构成的遮盖基板30，使压力检测腔23、导压通路25、缓冲空间24封闭。采用这样的结构可以使P1、P2两个压力从同一方向导入。(第3实施方式)图8为表示本发明另外实施方式的压力传感器51结构的断面图。在此压力传感器51中，在由硅基板构成的主体一侧基板22的上面制成压力检测腔23，压力检测腔23的下方制成导入压力的凹陷部位42，二者之间是由硅基板构成的薄膜片31。在主体一侧基板22的上面粘接有由玻璃基板构成的遮盖基板30，使压力检测腔23、导压通路25封闭，使作成锥形的压力导入部位26与缓冲空间24相邻来设置遮盖基板30。
图9所示的压力传感器52与图8所示的压力传感器51大体相同，但把缓冲空间24设在主体一侧基板22的上面和遮盖基板30的下面，以扩大缓冲空间24的容积。(第4实施方式)图10为表示本发明另外实施方式的压力传感器61结构的断面图。在此压力传感器61中，在由硅基板构成的主体一侧基板22的上面制成压力检测腔23，导压通路25连接在主体一侧基板22下面的压力导入部位26和压力检测腔23，在导压通路25的中间设置有缓冲空间24。也就是在缓冲空间24的两侧设有导压通路25。采用这样的构造的话，从压力导入部位26进入的灰尘等在缓冲空间24被留住，难以进入到压力检测腔23中。(第5实施方式)图11(a)、(b)为表示本发明另外实施方式的压力传感器62结构的平面图和断面图。在此压力传感器62中，在一个压力传感器62中设置有多个压力检测腔23和薄膜片31。用牺牲层蚀刻等的制造方法制造静电式压力传感器时，由于压力检测腔23的深度不能深，所以不能把薄膜片31做大。这种情况下，可以像此实施方式那样，把设置在多处的压力检测腔23和薄膜片31组成的压力检测部分连接起来，可以增大静电容量。
可是像此实施方式这样把多个压力检测部分串接的话，由于从压力导入部位26到压力检测腔23的距离各不相同，对压力传感器的响应特性有影响。
即使是在这样的情况下，如图11(a)、(b)所示，在压力导入部位26和最靠近压力导入部位26的压力检测腔23之间，在导压通路25上设置缓冲空间24的话，能够吸收压力响应特性的波动，各压力检测部分能得到相同的传感器特性。但是此时可以这样确定缓冲空间24的形状(断面面积、容积)，即响应频率要比响应频率最低的压力检测部分的还要低。
此外像此压力传感器62那样，采用在导压通路25共用部分设置缓冲空间24，可以使压力传感器62小型化。(第6实施方式)图12(a)、(b)为表示本发明另外实施方式的压力传感器63结构的平面图和断面图。在此压力传感器63中，由于在一个压力传感器63中并列设置有多个由压力检测腔23和薄膜片31构成的压力检测部分，所以可以使从压力导入部位26到各压力检测腔23的距离相等，能使各压力检测部分的响应特性一致。此外这样的压力传感器63由于在导压通路25的共用部分设置有缓冲空间24，所以可以使压力传感器小型化。
再有，图中没有表示，在导压通路分支后的区域，也可以在各导压通路25上分别设置缓冲空间24。这样可以增加控制压力传感器响应频率的自由度。(第7实施方式)图13(a)～(f)为说明本发明另外实施方式的压力传感器制造工序的简图。在此实施方式中，如图13(a)表示的那样，在350μm的两面抛光p型硅基板71的下面，按切槽72、聚酰亚胺沟槽73、传感器间隙74的顺序加工成沟槽。用于制作各沟槽的掩模是使用氧化膜，用TMAH蚀刻硅基板71。各沟槽的深度例如切槽72约10μm、聚酰亚胺沟槽73约4μm、传感器间隙74约1μm。此时在制作聚酰亚胺沟槽73的同时在硅基板71上制成缓冲空间24，在制作传感器间隙74的同时在硅基板71上制成导压通路25。
然后如图13(b)所示，把磷离子注入后使它扩散，进行ECE(电化学蚀刻)时，在硅基板71的下面制成作为防蚀刻层的n型扩散层75。在传感器间隙74的下面制成Al电极的接触层。
然后如图13(c)所示，在传感器间隙74的上述接触层上设置有Al电极76，同时用Si的氮化膜77覆盖在硅基板71的上面，进行ECE时布设作为掩模用的Si氮化膜77。如图13(d)所示，在聚酰亚胺沟槽73的下面涂敷聚酰亚胺78，曝光后布设聚酰亚胺78。
另一方面如图13(e)所示，使压力导入部位26贯通内外的玻璃基板79的上面，蒸镀金属薄膜后，把它制成布线图案，制作固定电极80和连线垫片81。
此后如图13(f)所示，把硅基板71和玻璃基板79重叠在一起粘合，使聚酰亚胺78与玻璃基板79紧密接触，严密封闭成聚酰亚胺沟槽73和玻璃基板79之间的空间(缓冲空间24)、传感器间隙74和玻璃基板79之间的空间(压力检测腔23、导压通路25)。然后用KOH(氢氧化钾水溶液)从Si氮化膜77的开口部分ECE蚀刻玻璃基板79。此时n型扩散层75作为防蚀刻层残留下来，用n型扩散层作成薄膜片31。
随后仅切割硅基板71，去除切槽72部分后露出连线垫片81，最后切割硅基板71分割成一个个基片。(第8实施方式)图14是本发明的另外的一个实施方式，是表示作为本发明的压力检测装置的血压计结构的框图。此血压计91设置有袖带93、用于给此袖带加压的加压泵94、用于使袖带93的空气压力减小的排气阀95、用于检测袖带的本发明的压力传感器92、以及把加压泵94、排气阀95、压力传感器92相互连接的空气通路96、CPU(运算电路)97、显示器98、检测开始开关99。
采用此血压计91的话，由于可以截去泵和阀产生的压力杂波，能准确捕捉到希望检测压力的脉搏，能得到S/N比高的血压计。由于没有必要使用电气的去除杂波电路，所以可以使压力传感器小型化，可以降低价格。特别是使用指用压力传感器等的情况下，通过使血压计小型化，使用非常方便。[试验例]图15(a)表示导压通路的断面面积一定时，压力检测腔内容积和响应特性(响应频率)的关系。图15(b)表示压力检测腔内容积一定时，导压通路的断面面积和响应特性的关系。
从图15(a)的结果可以看出，随压力检测腔内的容积增加，压力传感器的响应特性呈指数变慢。因此在导压通路中设置缓冲空间，由于压力检测腔和缓冲空间合在一起的空间容积变大，所以可以使压力传感器的响应特性更慢，用调整缓冲空间断面面积和容积的方法，可以控制响应特性。
与此相反，从图15(b)的结果可以看出，与预测相反，随导压通路断面面积增大，响应特性呈线性增加。
权利要求
1.一种压力传感器，其传感器主体上形成薄膜片和与薄膜片连接的压力检测用空隙，是根据薄膜片的挠曲量检测导入此压力检测用空隙压力的压力传感器，其特征为上述传感器主体上形成的压力导入部位与上述压力检测用空隙连接，从此压力导入部位把压力导入上述压力检测用空隙的导压通路形成在上述传感器主体上，且在上述导压通路上设有断面面积比上述导压通路大的空间。
2.如权利要求1所述的压力传感器，其特征为上述空间的容积定得使压力传感器的响应频率比检测压力区域的频率高，而且比压力杂波的频率低。
3.如权利要求2所述的压力传感器，其特征为上述传感器响应频率为检测压力区域最大频率的1.5倍以上。
4.如权利要求1所述的压力传感器，其特征为采用把第1基板和第2基板粘合在一起制成上述传感器主体，使第1基板表面凹陷制出上述检测压力用空隙和上述空间，同时用第2基板覆盖它们。
5.如权利要求4所述的压力传感器，其特征为上述空间比上述压力检测用空隙凹陷得深。
6.如权利要求1所述的压力传感器，其特征为上述压力导入部位外侧的开口面积比内侧的开口面积大。
7.如权利要求1所述的压力传感器，其特征为上述空间设置在与上述压力导入部位相邻接的位置。
8.如权利要求1所述的压力传感器，其特征为上述空间设置在上述导压通路的中间。
9.如权利要求1所述的压力传感器，其特征为具有由导压通路连接的多个压力检测用空隙，上述空间设置有从压力导入部位到最初的压力检测用空隙的导压通路。
10.如权利要求1所述的压力传感器，其特征为具有由导压通路连接的多个压力检测用空隙，上述空间设置在从压力导入部位延伸到各压力检测用空隙支路前的位置上。
11.一种压力检测装置，其特征为设置有权利要求1所述的压力传感器和根据用此压力传感器检测的压力的输出电信号计算压力值的运算电路。
全文摘要
本发明提供的压力传感器不会对压力传感器的其他特性有大的影响，也不会妨碍小型化，而可以精确控制压力传感器对压力变化的响应特性。本发明在压力传感器主体一侧基板22的上表面设置有凹陷下去的压力检测腔23、导压通路25及缓冲空间24，用薄膜片31覆盖在压力检测腔23的上面，同时用遮盖基板30覆盖在导压通路25和缓冲空间24上面。在主体一侧基板22下面设压力导入部位26，其缓冲空间24的下面相连。缓冲空间24的断面比压力导入部位26的断面大，且缓冲空间24的容积比导压通路25的容积大。
文档编号G01L7/00GK1392399SQ02122889
公开日2003年1月22日 申请日期2002年6月17日 优先权日2001年6月19日
发明者木村勇, 大场正利, 板仓隆 申请人:欧姆龙株式会社