专利名称：具有可动质量块的微结构的制作方法
技术领域：
本发明一般地涉及具有可动质量块(或活动质量块)的微结构。更具体地，本发明涉及检测质量块物理运动的加速度计。
背景技术：
有多种类型的传感器使用可动质量块(活动质量块)。举例来说，有诸如加速度计和角加速度计(震动陀螺仪)的惯性传感器。
检测运载工具加速度的加速度计一般利用压敏电阻效应。举例来说，按照这样的传感器，在硅基底构件(固定框架)的腔中装有盒状的震动质量块(即活动质量块)。可动质量块由其上形成了压敏电阻的梁来悬挂，以便随质量块的运动而向压敏电阻施加应力。用电阻的变化来检测施加给压敏电阻的应力变化。这种技术可以用于运载工具的巡航控制。
上面所描述的质量块需要自由地运动，但是，如果质量块过度地运动，则传感器可能被破坏或损坏。根据日本专利特开H5-71448中示出的发明，玻璃限动器被用来抑制质量块的过度运动。
但是，玻璃限动器布置在质量块之上，所以传感器的厚度增加了。此外，制造步骤被复杂化，并且提高了制造成本。另外，在玻璃和硅构件之间所产生的应力可能对传感器的性能产生负面的影响。
发明内容
因而，本发明的一个目的是提供一种微结构，其中可以抑制质量块的过度运动，而不显著地增加厚度。本发明的另一个目的是提供一种微结构，其中实现了过度运动抑制机构，而没有对其性能的负面影响以及制造的复杂化或成本的提高。
本发明另外的目的、优点和新颖的特征一部分将在下面的说明中给出，一部分对本领域技术人员将在检验下面内容时变得明显，或者可通过实现本发明而学习到。
根据本发明的第一个方面，一种微结构包括质量块；在其中可动地容纳了所述质量块的基底构件。所述质量块包括暴露于所述基底构件之外的表面和限动线，所述限动线布置在所述质量块的所述表面上方，以抑制所述质量块的过度运动。与使用玻璃限动器的传统技术相比，本发明的微结构可以被制造成更小的厚度。当固定限动线时，没有应力施加于基底构件和质量块。因而，对例如加速度计的微结构的性能不产生负面影响。此外，可以在导线接合工艺中固定限动线，以防止制造工艺复杂化；并且，制造成本可以因此而最小。尤其对于加速度计，当传感器芯片的电极焊盘和封装的引脚焊盘为了电连接而导线接合的时候，可以同时形成限动线。
根据本发明的第二个方面，一种容纳上述微结构的封装结构，包括至少一个用于与所述微结构电连接的引脚焊盘。所述限动线的至少一端被连接到所述引脚焊盘。限动线可以自由布置并在设计上容易改变。当限动线的一端被连接到基底构件的电极焊盘，而另一端被连接到封装的引脚焊盘时，限动线不仅可以用于机械保护，还可以用于电连接。
根据本发明的第三个方面，所述限动线包括要固定到水平面比所述质量块的所述表面相对低的位置处的末端。布置具有高度或者间隙的接合线是困难的。如果接合线的间隙小于100μm，则间隙会做得不一致。根据本发明，质量块的上表面和限动线之间的距离或者间隙可以被减小而不增加导线的末端和顶部之间在垂直方向上的距离。因而，微结构的厚度可以被减小而不增加限动线的间隙或高度的不一致性。
根据本发明的第四个方面，加速度计包括质量块；在其中可动地容纳了所述质量块的硅基底构件，其中所述质量块包括暴露于所述基底构件之外的表面；限动线，布置在所述质量块的所述表面上方，以抑制所述质量块的过度运动；和封装，容纳具有所述质量块的所述基底构件。
图1是举例说明根据本发明第一优选实施例的加速度计的透视图。
图2是示出图1中所示的加速度计的平面图，其中省略了例如金属互连的小元件。
图3是沿图1中的线I-I所取的横截面图。
图4是示出图1中的加速度计的一部分的横截面5是示出用于根据第一优选实施例的加速度计的限动线另一种布置的平面图。
图6是示出用于根据第一优选实施例的加速度计的限动线另一种布置的平面图。
图7是示出容纳了本发明第二优选实施例的加速度计的封装结构的横截面图。
图8是示出用于根据第二优选实施例的加速度计的限动线布置的平面图。
图9～图12是示出用于图7中所示的第二优选实施例的限动线其他布置的平面图。
图13是示出容纳了本发明第三优选实施例的加速度计的封装结构的横截面图。
图14是示出用于根据第三优选实施例的加速度计的限动线布置的平面图。
图15是示出用于根据第三优选实施例的加速度计的限动线另一种布置的平面图。
图16是示出根据本发明第四优选实施例的加速度计的横截面图。
图17是举例说明根据本发明第五优选实施例的加速度计的透视图。
图18示出用于根据第五优选实施例的加速度计的限动线布置的平面图。
图19是举例说明根据本发明第六优选实施例的加速度计的横截面图。
图20A～图20D是示出根据图19中所示的第六优选实施例的加速度计的制造步骤示例的横截面图。
图21A～图21G是示出根据图19中所示的第六优选实施例的加速度计的另一个制造步骤示例的横截面图。
图22A～图22F是示出根据图19中所示的第六优选实施例的加速度计的另一个制造步骤示例的横截面图。
图23是举例说明根据本发明第七优选实施例的加速度计的横截面图。
图24A～图24E是示出根据图23中所示的第七优选实施例的加速度计的制造步骤示例的横截面图。
图25是举例说明根据本发明第八优选实施例的加速度计的透视图。
图26是举例说明根据图25中所示的第八优选实施例的加速度计的横截面图。
具体实施例方式
在下面对优选实施例的详细说明中，参考了形成为本文一部分的附图，附图中以举例说明的方式示出可以在其中实现本发明的特定优选实施例。这些优选实施例被充分详细地描述，以便使本领域的技术人员能够实现本发明，还应当理解也可以利用其他优选实施例，也可以在逻辑、机械和电的方面作出变化，而不脱离本发明的精神和范围。因此，下面的详细说明不应被认为是限定性的，本发明的范围只由所附权利要求所定义。
现在描述本发明。本发明适用于各种类型的惯性传感器，例如加速度计和角加速度计(震动陀螺仪)。本发明还适用于具有例如驱动器的可动构件的任何种类的微结构(MEMS)。
图1和图2示出根据本发明第一优选实施例的加速度计10。在图2中，为了更好的理解加速度计10的总体，例如金属互连的小部件没有被示出。图3示出了加速度计10的内部结构。加速度计10包括硅基底构件12和容纳在硅基底构件12腔内的可动质量块14。质量块14被提供为能够上下和左右运动，即在三维方向中运动。硅基底构件12在其中央设有容纳质量块14的方形腔。可动质量块14成形为具有四个方形区域的四叶交叉形(cloverleaf)，这些方形区域在其中心连接以增加惯性力。可动质量块14的上表面和基底构件12的上表面布置在相同水平面上。
加速度计10还包括连接质量块14和基底构件12的四个梁16；以及八个压敏电阻元件18。压敏电阻元件18布置在质量块14和梁16之间以及基底构件12和梁16之间的边界处。各个梁16布置在质量块14的两个相邻的方形块之间所形成的空隙处。硅基底构件12在上表面设有用金属连线(没有示出)连接到压敏电阻元件18的电极焊盘。
没有被连接到压敏电阻元件18的电极焊盘20被连接到限动线22的末端。四条导线22布置在质量块14的所有角之上。每条导线22被布置为伸展跨过质量块14的一个角。导线22的末端通过传统的导线接合工艺而固定到电极焊盘20。
如图3所示，硅基底构件12固定到管芯接合表面24上。可动质量块14向下的过度运动被管芯接合表面24抑制。质量块14水平的过度运动被硅基底构件12的内壁抑制。质量块14向上的过度运动被导线22抑制。质量块14和导线22之间的间隙可以通过控制导线接合设备来调整。“过度运动”是指导致加速度计10不能工作的运动。举例来说，如果质量块14过度运动，则加速度计10会被破坏或者会输出大小超过其最大额定值的信号。
图4示出被连接到焊盘20的导线22末端周围的结构。根据本发明，在导线22和电极焊盘20之间的连接区域可以用树脂28覆盖。从而提高了导线22和焊盘20之间的连接可靠性。
在上述加速度计10的制造中，由硅层(Si)、填埋氧化层(SiO2)和Si衬底形成硅绝缘体(SOI)晶片。使用半导体技术形成压敏电阻元件18、金属电路图案和电极焊盘20而在SOI晶片上形成桥电路。其后，用例如氮化硅层的钝化膜覆盖除了电极焊盘20之外的表面。然后，在Si深度RIE(反应离子刻蚀)工艺中形成梁16。其后，在从Si衬底进行的Si深度RIE工艺中形成可动质量块14。然后，在对填埋氧化层的刻蚀工艺中从衬底释放可动质量块14。其后，在划片(dicing)工艺中切割衬底以形成单个的传感器芯片。然后，传感器芯片被接合到封装中，接着，传感器芯片10的电极焊盘20和封装的引脚焊盘(lead pad)为了电连接而被导线接合。同时，在传感器芯片10上方形成导线22。
图5和图6示出限动线(22)的布置的示例。根据图5，两条导线122与硅基底构件12的侧边平行布置。这两条导线122具有相同的长度。根据图6，三条导线222a和222b与硅基底构件12的对角线平行布置。较长的导线222a沿着硅基底构件12的对角线伸展。较短的导线222b以与图1中所示相同的方式伸展跨过可动质量块14的角。在图6中，在良好的水平平衡状态下可以省略较短的导线222b，因为较长的导线222a将能够抑制质量块14的过度运动。
图7是示出容纳了根据本发明第二优选实施例的加速度计10的封装结构的横截面图。在图7中，与第一优选实施例中相同或者相应的元件用相同的标号表示，并且在本实施例中相同的描述此处不再重复。根据第二优选实施例，限动线22的两端都固定到封装30的引脚焊盘上。与第一优选实施例相比较，导线22可以高度自由地布置。
图8～图12是示出用于图7中所示的第二优选实施例的限动线22布置的示例的平面图。根据图8中所示的情况，布置了平行于加速度计10侧边而伸展的两条导线22。根据图9中所示的情况，布置了跨过加速度计10的拐角而伸展的四条导线22，其中没有导线互相交叉。根据图10中所示的情况，在加速度计10上方布置了形成“#”形的四条导线22。根据图11中所示的情况，布置了平行于加速度计10的对角线而伸展的两条较短的导线22和两条较长的导线22。根据图12中所示的情况，布置了形成菱形的四条导线22，其中各条导线22伸展跨过加速度计10的一个角。
图13是示出容纳了根据本发明第三优选实施例的加速度计的封装结构的横截面图。在图13中，与第一和第二优选实施例中相同或者相应的元件用相同的标号表示，并且在本实施例中相同的描述此处不再重复。
根据第三优选实施例，限动线22的一端接合到封装30的引脚焊盘32上，另一端接合到加速度计10的电极焊盘20上。限动线22可以用于封装30和传感器10之间的电连接。引脚焊盘32和电极焊盘20可以形成来专用于限动线22，以使限动线22可与传感器10电隔离。因而，可以不考虑传感器10的布线设计来布置限动线22。
图14和图15是示出用于根据第三优选实施例的加速度计10的限动线22布置示例的平面图。在图14中所示的实际示例中，在加速度计10上方布置了形成“#”形的四条导线22。在图1 5中所示的可行的示例中，布置了形成菱形的四条导线22，其中各条导线22伸展跨过加速度计10的一个角。
图16是示出根据本发明第四优选实施例的加速度计的横截面图。在图16中，与第一至第三优选实施例中相同或者相应的元件用相同的标号表示，并且在本实施例中相同的描述此处不再重复。本实施例的一个特征是限动线22设为具有与SOI晶片50相同的电位，以使导线22不起天线的作用而对加速度计10的性能产生负面影响。
在上述加速度计10的制造中，由硅层(Si)、填埋氧化层(SiO2)和Si衬底形成SOI晶片。在形成压敏电阻元件18的离子注入或者热扩散工艺中在硅层上形成桥电路。其后，在热氧化工艺中形成绝缘层52。然后，形成接触孔以使与导线22连接的电极焊盘20的电位变成和硅层(Si)相同。其后，形成金属电路图案和电极焊盘20，并用例如氮化硅层的钝化膜54覆盖除了电极焊盘20之外的表面。
然后，在Si深度RIE(反应离子刻蚀)工艺中形成梁16。其后，在从Si衬底进行的Si深度RIE工艺中形成可动质量块14。然后，在对填埋氧化层的刻蚀工艺中从衬底释放可动质量块14。其后，在划片工艺中切割衬底以形成单个的传感器芯片。然后，传感器芯片被接合到封装中，接着，传感器芯片10的电极焊盘20和封装的引脚焊盘为了电连接而被导线接合。同时，在传感器芯片10上方形成导线22。
图17和图18示出根据本发明第五优选实施例的加速度计10。在图18中，为了更好的理解加速度计10的总体，例如金属互连的小部件没有被示出。图19示出加速度计10的内部结构。加速度计10包括硅基底构件12和容纳在硅基底构件12腔内的可动质量块14。质量块14被提供为能够上下和左右运动，即在三维方向中运动。硅基底构件12在其中央设有容纳质量块14的方形腔。可动质量块14成形为具有四个方形区域的四叶交叉形，这些方形区域在其中心连接以增加惯性力。
在质量块14的四个方形区域的每一个上形成凸出构件14a，以使凸出构件14a的上表面比硅基底构件12的上表面高出“Δh”。
加速度计10还包括连接质量块14和基底构件12的四个梁16；以及八个压敏电阻元件18。压敏电阻元件18布置在质量块14和梁16之间以及基底构件12和梁16之间的边界处。各个梁16布置在质量块14的两个相邻的方形块之间所形成的空隙处。硅基底构件12在上表面设有用金属连线(没有示出)连接到压敏电阻元件18的电极焊盘。
没有被连接到压敏电阻元件18的电极焊盘20被连接到限动线22的末端。四条导线22布置在质量块14的所有角之上。每条导线22被布置为伸展跨过质量块14的一个角。导线22的末端通过传统的导线接合工艺而固定到电极焊盘20。
如图19所示，硅基底构件12固定到管芯接合表面24上。可动质量块14向下的过度运动被管芯接合表面24抑制。质量块14水平的过度运动被硅基底构件12的内壁抑制。质量块14向上的过度运动被导线22抑制。质量块14和导线22之间的间隙可以通过控制导线接合设备来调整。
凸出构件14a的上表面和限动线22之间的距离“H”可以通过导线接合设备(没有示出)和高度差“Δh”来调整。根据本实施例，距离“H”可以被减小而不增加距离“H+Δh”。因而，加速度计10的厚度可以被减小而不增加限动线22的间隙“H”的不一致。即使距离“H”确定为大约80μm，限动线22的间隙“H”的不一致也不会显著增加。
图20A～图20D是示出根据图19中所示的第六优选实施例的加速度计的一个制造步骤示例的横截面图。在上述加速度计10的制造中，由硅层(Si)、填埋氧化层(SiO2)和Si衬底形成SOI晶片31。用半导体工艺形成压敏电阻元件18、金属电路图案和电极焊盘20而在硅衬底上形成桥电路。如图20A所示，形成传感器电路33。
然后，使用旋涂工艺在传感器电路33上形成光敏聚酰亚胺或者光刻胶(resist)，并且曝光、显影和烘干，以形成凸出构件34(14a)，如图20B所示。
接着，在Si深度RIE(反应离子刻蚀)工艺中形成梁16。其后，在从Si衬底进行的Si深度RIE工艺中形成可动质量块14。然后，在对填埋氧化层的刻蚀工艺中从衬底31释放可动质量块14，如图20C所示。其后，在划片工艺中切割衬底31以形成单个的传感器芯片。然后，传感器芯片被接合到封装中，接着，传感器芯片10的电极焊盘20和封装引脚焊盘为了电连接而被导线接合。同时，在传感器芯片10上方形成导线22。
图21A～图21G是示出根据图19中所示的第六优选实施例的加速度计10的另一个制造步骤示例的横截面图。在上述加速度计10的制造中，由硅层(Si)、填埋氧化层(SiO2)和Si衬底形成SOI晶片31。用半导体工艺形成压敏电阻元件18、金属电路图案和电极焊盘20而在硅衬底上形成桥电路。如图21A所示，形成传感器电路33。
然后，在溅射工艺中在SOI晶片31上形成种晶层(seed layer)40，如图21B所示。种晶层40可以是镍、铜、金、钯、银、锡、钴等等。其后，在旋涂工艺中在种晶层40上形成光敏聚酰亚胺或者光刻胶，并且曝光、显影和烘干，以形成光刻胶图案42，如图21C所示。然后，从种晶层40生成电镀层(plating layer)40a，如图21D所示。其后，去除光刻胶图案42，并且在离子铣削(ion-milling)工艺、湿法刻蚀工艺或者RIE(反应离子刻蚀)工艺中去除种晶层40，以形成凸出构件44，如图21E所示。
接着，在Si深度RIE(反应离子刻蚀)工艺中形成梁16。其后，在从Si衬底31进行的Si深度RIE工艺中形成可动质量块14。然后，在对填埋氧化层的刻蚀工艺中从衬底31释放可动质量块14，如图21F所示。其后，在划片工艺中切割衬底31以形成单个的传感器芯片。然后，传感器芯片被接合到封装中，接着，传感器芯片10的电极焊盘20和封装的引脚焊盘为了电连接而被导线接合。同时，在传感器芯片10上方形成导线22，如图21G所示。
图22A～图22F是示出根据图19中所示的第六优选实施例的加速度计10的另一个制造步骤示例的横截面图。在上述加速度计10的制造中，由硅层(Si)、填埋氧化层(SiO2)和Si衬底形成SOI晶片31。然后，在SOI晶片31上形成多晶硅层48，如图22A所示。接着，在旋涂工艺中在多晶硅层48上形成光敏聚酰亚胺或者光刻胶，并且曝光、显影和烘干，以形成光刻胶图案51，如图22B所示。
然后，在RIE工艺中刻蚀多晶硅层48来形成凸出构件53，如图22C所示。接着，在半导体工艺中形成压敏电阻元件18、金属电路图案和电极焊盘20而形成桥电路。如图22D所示，在凸出构件53上形成传感器电路33。其后，用例如氮化硅层的钝化膜覆盖除了电极焊盘20之外的表面。
接着，在Si深度RIE(反应离子刻蚀)工艺中形成梁16。其后，在从Si衬底31进行的Si深度RIE工艺中形成可动质量块14。然后，在对填埋氧化层的刻蚀工艺中从衬底31释放可动质量块14，如图22E所示。其后，在划片工艺中切割衬底31以形成单个的传感器芯片。然后，传感器芯片被接合到封装中，接着，传感器芯片10的电极焊盘20和封装的引脚焊盘为了电连接而被导线接合。同时，在传感器芯片10上方形成导线22，如图22F所示。
图23是举例说明根据本发明第七优选实施例的加速度计的横截面图。图24A～图24E是示出根据图23中所示的第七优选实施例的加速度计的制造步骤示例的横截面图。在图23和图24A～图24E中，与上述第六优选实施例中相同或者相应的元件用相同的标号表示，并且在本实施例中相同的描述此处不再重复。与第六优选实施例的不同在于可动质量块14和硅基底构件58的结构。在本实施例中，质量块14未设置任何凸出构件(14a)，而是切掉了硅基底构件58的上表面以便形成基底构件58的上表面和质量块14的上表面之间的水平差“Δh”。
在上述加速度计的制造中，由硅层(Si)、填埋氧化层(SiO2)和Si衬底形成SOI晶片31。然后，在旋涂工艺中在SOI晶片31上形成光刻胶，并且曝光、显影和烘干，以形成光刻胶图案60，如图24A所示。其后，在RIE工艺中刻蚀SOI晶片以形成被用作电极焊盘的凹入部分31a，如图24B所示。
然后，在半导体工艺中形成压敏电阻元件18、金属电路图案和电极焊盘20而形成桥电路。如图24C所示，在SOI晶片31上形成传感器电路33。其后，用例如氮化硅层的钝化膜覆盖除了电极焊盘31a之外的表面。
接着，在Si深度RIE(反应离子刻蚀)工艺中形成梁16。其后，在从Si衬底31进行的Si深度RIE工艺中形成可动质量块14。然后，在对填埋氧化层的刻蚀工艺中从衬底31释放可动质量块14，如图24D所示。其后，在划片工艺中切割衬底31以形成单个的传感器芯片。然后，传感器芯片被接合到封装中，接着，传感器芯片10的电极焊盘31a和封装的引脚焊盘为了电连接而被导线接合。同时，在传感器芯片10上方形成导线22，如图24E所示。
图25是举例说明根据本发明第八优选实施例的加速度计74的透视图。图26是举例说明图25中所示的加速度计74的横截面图。在图25和图26中，与上述实施例中相同或者相应的元件用相同的标号表示，并且在本实施例中相同的描述此处不再重复。
加速度计74包括硅基底构件12和容纳在硅基底构件12腔内的可动质量块14。质量块14被提供为能够上下和左右运动，即在三维方向中运动。硅基底构件12在其中央具有容纳质量块14的方形腔。可动质量块14成形为具有四个方形区域的四叶交叉形，这些方形区域在其中心连接以增加惯性力。可动质量块14的上表面和基底构件12的上表面被布置在相同水平面上。
加速度计74还包括连接质量块14和基底构件12的四个梁16；以及八个压敏电阻元件18。压敏电阻元件18布置在质量块14和梁16之间以及基底构件12和梁16之间的边界处。各个梁16布置在质量块14的两个相邻的方形块之间所形成的空隙处。硅基底构件12在上表面设有用金属连线(没有示出)连接到压敏电阻元件18的电极焊盘20。
加速度计74容纳在封装70中，如图26所示。封装70包括凹入部分75和在凹入部分75上形成的引脚焊盘76。凹入部分75和引脚焊盘76被设计成使得引脚焊盘76的上表面比加速度计(传感器)74的上表面低“Δh”。布置在加速度计74相对侧的两个引脚焊盘通过限动线22连接。根据第八优选实施例，可以得到与上述第六和第七优选实施例相同的优点。
根据第六至第八优选实施例，限动线22包括要固定到水平面比质量块14的表面相对低的位置处的末端。质量块14的上表面与限动线22之间的距离“H”可以减小，而不增加导线22的末端和顶部之间沿垂直方向的距离“H+Δh”。因而，可以减小微结构的厚度而不增加限动线22的间隙或高度的不一致性。
权利要求
1.一种具有可动质量块的微结构，包括质量块；在其中可动地容纳了所述质量块的基底构件，其中，所述质量块包括暴露于所述基底构件之外的表面，和限动线，布置在所述质量块的所述表面上方，以抑制所述质量块的过度运动。
2.根据权利要求1所述的微结构，其中所述限动线仅连接到所述基底构件，而不连接到所述质量块。
3.根据权利要求1所述的微结构，其中在导线接合工艺中固定所述限动线。
4.根据权利要求3所述的微结构，其中用树脂覆盖连接到所述基底构件的所述限动线末端。
5.根据权利要求2所述的微结构，其中所述基底构件包括专用于与所述限动线连接的焊盘。
6.根据权利要求2所述的微结构，其中控制所述基底构件和所述限动线以具有互相相等的电位。
7.一种容纳根据权利要求1所述的微结构的封装结构，包括至少一个用于与所述微结构电连接的引脚焊盘，其中所述限动线的至少一端被连接到所述引脚焊盘。
8.根据权利要求7所述的封装结构，其中所述限动线的两端都被连接到所述引脚焊盘。
9.根据权利要求7所述的封装结构，其中所述限动线的一端被连接到所述引脚焊盘，另一端被连接到所述基底构件的电极焊盘。
10.根据权利要求7所述的封装结构，其中所述引脚焊盘被专用于与所述限动线连接。
11.根据权利要求1所述的微结构，其中所述限动线包括要固定到水平面比所述质量块的所述表面相对较低的位置处的末端。
12.根据权利要求11所述的微结构，其中在所述质量块的所述表面上形成了凸出部分。
13.根据权利要求12所述的微结构，其中所述凸出部分是在所述质量块的所述表面上形成的树脂层。
14.根据权利要求12所述的微结构，其中所述凸出部分是在所述质量块的所述表面上形成的电镀层。
15.根据权利要求12所述的微结构，其中所述凸出部分是在所述质量块的所述表面上形成的多晶硅层。
16.根据权利要求11所述的微结构，其中所述基底构件具有与所述限动线的末端连接的导线固定区域，形成所述导线固定区域以具有水平面比所述质量块的所述表面低的表面。
17.根据权利要求16所述的微结构，其中形成所述导线固定区域以将所述基底构件成形为台阶状结构。
18.一种根据质量块的运动提供输出信号的加速度计，包括质量块；在其中可动地容纳了所述质量块的硅基底构件，其中所述质量块包括暴露于所述基底构件之外的表面；限动线，所述限动线布置在所述质量块的所述表面上方，以抑制所述质量块的过度运动；和封装，容纳具有所述质量块的所述基底构件。
19.根据权利要求18所述的加速度计，其中所述封装包括至少一个用于与所述微结构电连接的引脚焊盘，其中所述限动线的至少一端被连接到所述引脚焊盘。
20.根据权利要求19所述的加速度计，其中所述限动线的两端都被连接到所述引脚焊盘。
21.根据权利要求19所述的加速度计，其中所述限动线的一端被连接到所述引脚焊盘，另一端被连接到所述基底构件的电极焊盘。
22.根据权利要求18所述的加速度计，其中所述限动线包括要固定到水平面比所述质量块的所述表面相对低的位置处的末端。
全文摘要
一种微结构，包括质量块；在其中可动地容纳了质量块的基底构件。质量块包括暴露于基底构件之外的表面以及限动线，所述限动线布置在质量块的所述表面上方，以抑制质量块的过度运动。
文档编号G01C19/56GK1551985SQ0281735
公开日2004年12月1日 申请日期2002年9月2日 优先权日2001年9月4日
发明者桥本浩幸, 大麻隆彦, 彦, 树, 池内直树, 原田宗生, 生 申请人:住友金属工业株式会社