专利名称：场校验装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及直流输变电设备和线路电磁环境领域，特别涉及一种场校 验装置。
背景技术：
目前，直流场强仪或离子流密度测量设备在测量的时候，测量环境往往比 较复杂，其对周围环境的抗干扰能力还有待校验考证。比如，直流场强仪实际 是靠感应电流工作，当其工作(测量)时，周边的离子流同样也能流入场强仪 中形成电流。这个电流是否会影响到直流场强仪的输出值。如果这种影响比较 大而不能避免，那就要通过某种方法修正直流场强仪的输出值。因此，很有必 要借助某种场校验装置开展对被校验仪器(如直流场强仪或离子流密度测量设 备)的测量进行校验研究，研究直流静电场或离子流场对被校验仪器的测量是 否产生影响以及影响的大小。
实用新型内容
本实用新型解决的技术问题是提供一种场校验装置，可以通过可控的进入 校核电场区的离子和可控的校核电场区的直流静电场来观察离子产生的电场或 直流电场对被校验仪器的干扰影响是否存在，并且有助于开展被校验仪器在不 同状态下校验结杲的比对试验研究。
为解决上述技术问题，本实用新型采用了如下技术方案 一种场校验装置，包括依次设置的一离子发生单元、 一控制电场区和一校 核电场区，所述离子发生单元用于产生离子，所述控制电场区用于控制离子电 流的大小，所述校验电场区用于产生可调节大小的直流静电场，所述离子产生 的电场与所述直流静电场形成合成场强。
所述离子发生单元包括一通第一直流高压电源的平行电晕丝网，平行电晕丝网周围产生离子。
所述第一直流高压电源的输出电压可调节大小。 所述平行电暈丝网上方间隔设置一绝缘或金属盖板。 所述绝缘或金属盖板外侧设有防暈环。
所述控制电场区由间隔平行设置的离子电流控制栅网和上校核极板产生的 电场所形成，用以控制经离子电流控制栅网进入控制电场区的所述离子电流的 大小。
所述校核电场区由间隔平行设置的上校核极板和下校核极板产生的电场所 形成，其与经上校核极板流入校核电场区的所述离子产生的电场形成合成场强。 所述上、下校核极板之间设有均压装置。
所述均压装置包括若干个均压环和若干个均压电阻，所述均压环和均压电 阻串联于所述上校核极板与下校核极板之间。
本实用新型的有益效果可以通过可控的进入校核电场区的离子电流和可 控的校核电场区内的直流静电场来观察离子产生的电场或直流静电场对被校验 仪器如直流场强仪或离子流密度测量设备的干扰影响是否存在以及影响的大
图l是本实用新型的场4交验装置的示意图。
图中1-平行电晕丝网，2-离子电流控制栅网，3-上校核极板，4-下校核极 板离子发生单元，10-电晕发生区，20-控制电场区，30-校核电场区，51-均压环， 52-均压电阻，6-绝缘支柱，7-金属支架，8-绝缘或金属盖板，9-防晕环，11-直 流场强仪或离子流密度测量设备。
具体实施方式
如图l所示，为本实用新型一实施例的场4交-验装置的示意图。 这种场校验装置，包括依次设置的一离子发生单元、 一控制电场区20和一 校核电场区30，所述离子发生单元用于产生离子，所述控制电场区20用于控制 离子电流的大小，所述校验电场区30用于产生可调节大小的直流静电场，所述离子产生的电场与所述直流静电场形成合成场强。
所述离子发生单元包括一通第一直流高压电源的平行电暈丝网1，平行电晕
丝网1周围即电暈发生区IO产生离子(图中未示)。所述第一直流高压电源的
输出电压可调节大小。
所述平行电晕丝网1上方间隔平行设置一绝缘或金属盖板8，本实施例中为 绝缘盖板8，并在绝缘盖板的外侧设有防晕环9，用以对外界电场起屏蔽作用。
所述控制电场区20由接可调第二直流高压电源的间隔平行设置的离子电流 控制栅网2和上校核极板3产生的电场形成，用以控制经离子电流控制栅网2 进入控制电场区20的所述离子电流的大小。虽然，当所述第一直流高压电源的 输出电压可调节时，可以用来调节平行电晕丝网1产生的带电离子数。但当带 电离子达到比较稳态的饱和数量时，并不能增加注入到校核电场区30的带电离 子数目。因此必须通过调节第二直流高压电源来改变离子电流控制栅网2与上 校核极板3间的电场，通过该电场来控制控制电场区20内的离子电流的密度， 进而控制流进校核电场区30内离子流的密度。只有离子达到比较稳态的饱和数 量时，所控制的离子流密度才能稳定，达到控制离子电流大小的目的。另外， 所述离子电流控制栅网2与所述平行电晕丝网1平行间隔设置。
所述校核电场区30由接可调第三直流高压电源的间隔平行设置的上校核极 板3和下校核极板4产生的电场形成，在校核电场区30形成可调节大小的直流 静电场，使之与经上校核极板3流入校核电场区30的离子产生的电场形成合成 场强。另外，所述上校核极板3与所述离子电流控制栅网2平行间隔设置。
所述上、下校核极板3、 4之间设有均压装置。所述均压装置包括若干个均 压环51和若干个均压电阻52，所述均压环51和均压电阻52串联于所述上校核 极板3与下校核极板4之间。目的是为了本场校验装置不受其它电晕放电所产 生的离子影响和受到非均匀电场的影响，确保4交核电场区30内具有均匀电场。
另外，在本实施例中为保证绝缘，所述绝缘盖板8、平行电晕丝网l、离子 电流控制栅网2、上校核极板3及下校核极板4两端分别相互平行地间隔固定连 接于一绝缘支柱6。并且该绝缘支柱6由金属支架7支撑。当然上述各个部件也 可用挂起的方式设置。
本实用新型场4L验装置的使用方法当被校验仪器为直流场强仪时，该场校验方法包括如下步骤
首先，将该直流场强4义放置在4文核电场区30，在该4交核电场区30内生成直 流静电场，读取该直流场强仪11的测量值。其中，该直流静电场是通过对上、 下校核极板3、 4施加第三直流高压电源而形成的。
然后，在该校核电场区30内形成不同大小的离子流，分别读取该直流场强 仪11在该直流合成电场内的测量值。其中，校核电场区30内的离子流的形成 过程如下先将平行电晕丝网1接通第一直流高压电源，以在平行电晕丝网1 周围即电晕发生区IO产生离子，接着在所述离子电流控制栅网2和上校核极板 3施加可调节的第二直流高压电源，以在控制电场区20形成可调节大小的电场， 该电场用以控制控制电场区20内的离子流的密度，进而控制流进校核电场区30 内的离子流的密度。
最后，分析该直流场强仪11在没有离子电场干扰和不同大小的离子流电场 干扰的情况下的测量值，来判断该离子流电场对该直流场强仪ll的测量是否产 生影响及影响的大小。
这种场4交验方法可以通过可控的才文核电场区30的离子电场和可控的才交核电 场区30内的直流静电场来观察离子电场对被校验仪器如直流场强仪的干扰影响 是否存在以及影响的大小。
当被校验仪器为离子流密度测量设备，本实用新型的使用方法包括如下步
骤
首先，将该离子流密度测量设备11放置在校核电场区30，在该校核电场区 30内形成一定大小的离子流电场，并读取该离子流密度测量设备11的测量值。 其中，校核电场区30内的离子流电场的形成过程如下先将平行电晕丝网l接 通第一直流高压电源，以在平行电晕丝网l周围即电暈发生区IO产生离子流， 接着在所述离子电流控制栅网2和上校核极板3施加可调节的第二直流高压电 源，以在控制电场区20形成可调节大小的电场，该电场用以控制经离子电流控 制栅网2流入控制电场区20的离子流的密度，进而控制有多少带电离子经上校 核极板3进入校核电场区30。
接着，在该校核电场区30内生成大小不同的直流静电场，并分别读取该离 子电流密度测量设备11在不同大小直流静电场干扰情况下的测量值。该直流静
6电场是通过对上、下4交核极板3、 4施加第三直流高压电源而形成的。
最后，分析该离子流密度测量设备11在没有直流静电场干扰和不同大小直
流静电场干扰的情况下的测量值，来判断直流静电场对该离子电流密度测量设
备11的测量是否产生影响及影响的大小。
这种场才交l^方法可以通过可控的4交核电场区30的离子电场和可控的4交核电
场区30直流静电场来观察直流静电场对被校验仪器如离子电流密度测量设备的
干扰影响是否存在以及影响的大小。
综上所述本实用新型可以通过可控的41核电场区30的离子流电场和可控
的校核电场区30的直流静电场来观察离子电场或直流静电场对被校验仪器如直
流场强仪或离子流密度测量设备的千扰影响是否存在以及影响的大小，进行校
验工作，并借助它开展其它相关的研究工作，如有助于开展被校验仪器在不同
状态下校验结果的比对试验研究。
权利要求1、一种场校验装置，其特征在于包括依次设置的一离子发生单元、一控制电场区和一校核电场区，所述离子发生单元用于产生离子，所述控制电场区用于控制离子电流大小，所述校验电场区用于产生可调节大小的直流静电场，所述离子产生的电场与所述直流静电场形成合成场强。
2. 如权利要求1所述的场校验装置，其特征在于所述离子发生单元包 括一通第一直流高压电源的平行电晕丝网，平行电暈丝网周围产生离子。
3. 如权利要求2所述的场校验装置，其特征在于所述第一直流高压电 源的输出电压可调节大小。
4. 如权利要求2所述的场校验装置，其特征在于所述平行电晕丝网上 方间隔设置一绝缘或金属盖板。
5. 如权利要求4所述的场校验装置，其特征在于所述绝缘或金属盖板 外侧设有防晕环。
6. 如权利要求1所述的场校验装置，其特征在于所述控制电场区由间 隔平行设置的离子电流控制栅网和上校核极板产生的电场所形成，用以控制离 子在电场的作用下，向下运动，产生离子电流，以控制进入控制电场区的所述 离子电流的大小。
7. 如权利要求6所述的场校验装置，其特征在于所述校核电场区由间 隔平行设置的所述上校核极板和一下校核极板产生的直流静电场所形成，其与 经所述上校核极板流入校核电场区的所述离子产生的电场形成合成场强。
8. 如权利要求7所述的场校验装置，其特征在于所述上、下校核极板 之间设有均压装置。
9. 如权利要求8所述的场校验装置，其特征在于所述均压装置包括若 千个均压环和若干个均压电阻，所述均压环和均压电阻串联于所述上、下核it 极板之间。
专利摘要本实用新型涉及直流输变电设备和线路电磁环境领域，特别涉及一种场校验装置。公开了一种场校验装置，包括依次设置的一离子发生单元、一控制电场区和一校核电场区，所述离子发生单元用于产生离子，所述控制电场区用于控制所述离子电流大小，所述校验电场区用于产生可调节大小的直流静电场，所述离子产生的电场与所述直流静电场形成合成场强。本实用新型的有益效果可以通过可控的进入校核电场区的离子电流和可控的校核电场区内的直流静电场来观察离子产生的电场或直流静电场对被校验仪器进行校验，并且有助于开展被校验仪器在不同状态下校验结果的比对试验研究。
文档编号G01R35/00GK201269925SQ200820153380
公开日2009年7月8日 申请日期2008年9月23日 优先权日2008年9月23日
发明者江建华, 齐振生 申请人:华东电力试验研究院有限公司