专利名称：检查方法和检查设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于检查染料敏化太阳能电池的品质的检查方法和设备。
背景技术：
与当前主流的硅基太阳能电池相比，染料敏化太阳能电池具有能够以较低的成本生产的优点。由于这样的优点，近年来，染料敏化太阳能电池作为取代硅基太阳能电池的下一代太阳能电池而引起关注，并且各种染料敏化太阳能电池被提出(参见例如，日本专利申请公开No. 2006-236960(下文称为专利文件1)以及日本专利申请公开 No. 2009-110796 (下文称为专利文件2))。对于染料敏化太阳能电池，已知单片型(参见专利文件1的图1和专利文件2的图1)、W型(参见专利文件下1的图7)、Z型(参见专利文件1的图8)以及面向型染料敏化太阳能电池。对于检查染料敏化太阳能电池的品质的方法，通常已知通过对染料敏化太阳能电池(完成品)照射太阳光或伪太阳光并且测量光电转换特性来检查品质的方法。
发明内容
然而，在使用测量光电转换特性的品质检查方法的情况下，虽然能够检查染料敏化太阳能电池作为完成品的品质，但是很难在染料敏化太阳能电池的生产过程中检查染料敏化太阳能电池的品质。因此，在上述检查方法的情况下，虽然能够防止有缺陷的产品进入市场，但是很难抑制由于工艺波动造成的有缺陷的产品的产生。结果，存在这样的问题，即不能充分发挥染料敏化太阳能电池能够以较低的成本生产的优点。在如上所述的情况下，需要能够在染料敏化太阳能电池的生产过程中检查染料敏化太阳能电池的品质的检查方法和设备。根据本公开的实施例，提供了一种检查方法，其包括测量检查对象的单元结构的阻抗，其中检查对象包括一个或多个串联连接的单元结构，单元结构各个均包括形成在衬底上的透明电极层、形成在所述透明电极层上的多孔半导体层、形成在所述多孔半导体层上的多孔绝缘层以及形成在所述多孔绝缘层上的对电极层。基于所测量的单元结构的阻抗判断检查对象的品质。通过所述检查方法，能够在单片式染料敏化太阳能电池的生产中检查染料敏化太阳能电池(检查对象)的品质。因此，能够在生产过程中对于前面的工序做出迅速的反馈， 并且能够抑制由于工艺波动而造成的缺陷产品的产生。结果，能够提高生产量并且实现成本的削减。在所述检查方法中，对检查对象的品质的判断可以包括将标准阻抗与所测量的单元结构的阻抗作比较，并且当标准阻抗与所测量的阻抗之间的差等于或小于预定阈值时、 判断检查对象是无缺陷产品，其中标准阻抗是作为品质判断基准的单元结构的阻抗。
在单片式染料敏化太阳能电池的情况下，在单元结构中，由多孔半导体层和多孔绝缘层构成的介电层能够看作为插入在透明电极层和对电极层之间的电容器。当在单元结构的标准电容量与单元结构的电容量之间存在差别时，在标准阻抗与阻抗之间产生差别。 因此，当标准阻抗与阻抗之间的差等于或小于预定阈值时能够将检测对象判断为无缺陷产
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ΡΠ O在上述检查方法中，阻抗的测量包括利用两个或更多个不同的频率测量单元结构的两个或更多个阻抗。在这种情况下，对检查对象的品质的判断可以包括，当所测量的两个或更多个阻抗之间的差等于或大于预定阈值时、判断检查对象是无缺陷产品。在其中单元结构的透明电极层和对电极层之间没有发生短路的单元结构的情况下，阻抗随着频率的增大而减小。另一方面，在单元结构的透明电极层和对电极层之间发生了短路的情况下，具有在低于预定频率(约IMHz)的频率范围内阻抗变得几乎恒定的特性。在上述检查方法中使用了该特性。具体而言，当利用两个或更多个不同的频率测量单元结构的阻抗并且所测量的两个或更多个阻抗之间的差等于或大于预定阈值时，能够判断在透明电极层和对电极层之间没有发生短路(即，无缺陷产品)。在上述检查方法中，阻抗的测量可以包括利用大于等于IOHz的频率测量单元结构的阻抗。当利用小于等于IOHz的频率测量单元结构的阻抗时，单元结构的阻抗变成取决于多孔半导体层和多孔绝缘层的粒子界面的阻抗。另一方面，当利用大于等于IOHz的频率测量单元结构的阻抗时，单元结构的阻抗变成取决于多孔半导体层和多孔绝缘层的粒子 (体)的阻抗。因此，通过如上所述利用大于等于IOHz的频率测量单元结构的阻抗，能够测量取决于多孔半导体层和多孔绝缘层的粒子(体)的阻抗。在上述检查方法中，阻抗的测量可以包括利用大于等于IkHz的频率测量单元结构的阻抗。单元结构的阻抗具有如下特性，当利用低于IkHz的频率测量阻抗时，阻抗变得很高，随时间的波动很大，并且阻抗容易受到环境光线的影响。在这种情况下，检测对象的检测变得很难。另一方面，单元结构的阻抗具有如下特性，当利用大于等于IkHz的频率测量阻抗时，阻抗相对较小，并且几乎不随时间波动，并且几乎不受环境光线的影响。因此，通过利用大于等于IkHz的频率测量阻抗，变得可以进行稳定的品质检查。在上述检查方法中，阻抗的测量可以包括利用大于等于IkHz并且小于等于IMHz 的频率测量单元结构的阻抗。如上所述，在透明电极层和对电极层之间没有发生短路的单元结构的情况下，阻抗随着频率的增加而减小。另一方面，当在单元结构的透明电极层和对电极层之间发生了短路时，在小于IMHz的频率范围内阻抗变得几乎恒定。当利用大于等于IMHz的频率测量单元结构的阻抗时，在没有发生短路的单元结构的阻抗与发生了短路的单元结构的阻抗之间几乎没有差别。另一方面，当利用小于等于 IMHz的频率测量单元结构的阻抗时，由于发生了短路的单元结构的阻抗是恒定的，因此在没有发生短路的单元结构的阻抗与发生了短路的单元结构的阻抗之间产生了差别。因此， 通过利用小于等于IMHz的频率测量单元结构的阻抗，能够检查单元结构的短路。在上述检查方法中，阻抗的测量可以包括利用大于等于IkHz并且小于等于 IOOkHz的频率测量单元结构的阻抗。当利用小于等于IOOkHz的频率测量单元结构的阻抗时，在没有发生短路的单元结构的阻抗与发生了短路的单元结构的阻抗之间的差别很大。因此，通过利用小于等于 IOOkHz的频率测量单元结构的阻抗，能够检测到较大的短路电阻。根据本公开的另一实施例，提供了一种检查方法，其包括使导体与检查对象的多孔半导体层接触，检查对象包括形成在衬底上的透明电极层以及形成在透明电极层上的多孔半导体层。测量透明电极层与导体之间的阻抗。基于所测量的透明电极层与导体之间的阻抗判断检查对象的品质。通过上述检查方法，变得可以在W型、Z型和面向型染料敏化太阳能电池的生产过程中测量检查对象的品质并且基于所测量的阻抗判断检查对象的品质。根据本公开的实施例，提供了一种检查设备，其包括测量部分和控制器。测量部分配置成测量检查对象的单元结构的阻抗，检查对象包括一个或多个串联连接的单元结构，单元结构各个均包括形成在衬底上的透明电极层、形成在透明电极层上的多孔半导体层、形成在多孔半导体层上的多孔绝缘层以及形成在多孔绝缘层上的对电极层。控制器配置成基于所测量的单元结构的阻抗判断检查对象的品质。根据本公开的另一实施例，提供了一种检查设备，其包括导体、测量部分和控制
ο导体与检查对象的多孔半导体层接触，检查对象包括形成在衬底上的透明电极层以及形成在透明电极层上的多孔半导体层。测量部分配置成在导体与多孔半导体层接触的状态下测量透明电极层与导体之间的阻抗。控制器配置成基于所测量的透明电极层与导体之间的阻抗判断检查对象的品质。根据本公开的另一实施例，提供了一种检查方法，其包括通过检查设备的测量部分测量检查对象的单元结构的阻抗，检查对象包括一个或多个串联连接的单元结构，单元结构各个均包括形成在衬底上的透明电极层、形成在透明电极层上的多孔半导体层、形成在多孔半导体层上的多孔绝缘层以及形成在多孔绝缘层上的对电极层。检查设备的控制器基于所测量的单元结构的阻抗判断检查对象的品质。根据本公开的另一实施例，提供了一种检查方法，其包括通过检查设备的测量部分、在导体与检查对象的多孔半导体层接触的状态下测量透明电极层和导体之间的阻抗， 检查对象包括形成在衬底上的透明电极层以及形成在透明电极层上的多孔半导体层。检查设备的控制器、基于所测量的透明电极层与导体之间的阻抗判断检查对象的品质。如上所述，根据本公开的实施例，能够提供能够在染料敏化太阳能电池的生产过程中检查染料敏化太阳能电池的品质的检查方法和设备。
根据对最佳模式实施例(如在附图中所图示的)的下面详细描述，本公开的上述和其他目的、特征和优势将变得更加清楚。
图1是示出了通过根据本公开的实施例的检查方法检查品质的染料敏化太阳能电池的示意性平面图；图2是染料敏化太阳能电池的横截面侧视图；图3是示出了包括了根据本公开的实施例的检查方法的染料敏化太阳能电池的生产过程的流程图；图4是检查对象的侧视图；图5是用于说明根据本公开的实施例的检查方法的示意性示图；图6是检查对象的单元结构被看作是平板电容器的情况的示意性示图；图7是示出了实验检查对象的单元结构的阻抗Z的示图；图8是示出了检查对象的单元结构的等效电路的示图；图9是通过奈奎斯特图示出了利用阻抗测量装置对检查对象的单元结构进行交流阻抗测量的结果的示图；图10是用于说明在利用低频率测量检查对象的单元结构的阻抗的情况下的阻抗 Z的特性与在利用高频率测量检查对象的单元结构的阻抗的情况下的阻抗Z的特性之间的区别的示图；图11是示出了在透明电极层和对电极层电路短路的情况下单元结构的等效电路的示图；图12是示出了通过交流阻抗测量来测量电极层之间发生了短路的实验检查对象的阻抗Z的情况的伯德图；图13是示出了根据本公开的实施例的检查设备的示意性示图；图14是Z型染料敏化太阳能电池的横截面侧视图；图15是示出了包括了根据本公开的另一个实施例的检查方法的染料敏化太阳能电池的生产过程的流程图；图16是用于说明根据本公开的另一个实施例的检查方法的示意性示图；图17是示出了根据本公开的另一个实施例的检查设备的示意性示图。
具体实施例方式下文中，将参考附图描述本公开的实施例。<第一实施例>(染料敏化太阳能电池100的结构)图1是示出了通过根据本公开的第一实施例的检查方法检查品质的染料敏化太阳能电池100的示意性平面图。图2是染料敏化太阳能电池100的横截面侧视图。如图所示，通过第一实施例的检查方法检查品质的染料敏化太阳能电池100是单片式染料敏化太阳能电池100。染料敏化太阳能电池100包括透明衬底21 (衬底)、形成在透明衬底21上的多个单元结构10、封闭单元结构10的密封层22以及形成在密封层22上的外部构件23。透明衬底21由例如玻璃衬底或者由丙烯酸树脂等形成的透明树脂衬底构成。使用诸如环氧树脂和聚氨酯树脂之类的树脂、多孔玻璃等作为密封层22的材料。使用通过层压诸如铝和氧化铝之类的具有高气体阻隔性的材料构成的气体阻隔膜作为外部构件23的材料。单元结构10每个均具有在一个方向上(Y轴方向)拉长的长方形形状。单元结构 10在X轴方向上以串联的方式电连接。图1示出了其中8个单元结构10串联连接的示例。 应该注意，单元结构10的数目没有特别的限制。单元结构10不是必须设置成复数个并且可以设置成单个。单元结构10包括形成在透明衬底21上的透明电极层1，形成在透明电极层1上的多孔半导体层2，形成在多孔半导体层2上的多孔绝缘层3，以及形成在多孔绝缘层3上的对电极层4。使用掺氟SnA (FTO)、铱锡复合氧化物(ITO)等作为透明电极层1的材料。多孔半导体层2具有包括支撑敏化染料的微小粒子(例如，几十nm至几百nm)的多孔结构。例如，使用诸如钛氧化物之类的金属氧化物作为多孔半导体层2的材料。由多孔半导体层2的微小粒子所支撑的敏化染料，有诸如钌络合物和铁络合物之类的金属络合物以及诸如曙红和罗丹明之类的彩色染料。多孔绝缘层3也具有与多孔半导体层2相似的包括微小粒子(例如，几十nm至几百nm)的多孔结构。对于多孔绝缘层，使用诸如氧化锆和氧化之类的绝缘材料。多孔半导体层2和多孔绝缘层3在微小粒子之间包括电解液。使用甲氧基乙腈、 乙腈、碳酸乙烯酯、等作为电解液。电解液包含氧化还原对。使用碘/碘离子、溴/溴离子等作为氧化还原对。使用掺氟SnO2(FTO)、铱锡复合氧化物(ITO)、金、钼、碳等作为对电极层4的材料。对电极层4连接到相邻单元结构10的透明电极层1。结果，多个单元结构10串联地连接。应该注意，构成染料敏化太阳能电池100的部分的材料的示例仅仅是示例并且能够适当地改变。(染料敏化太阳能电池100的工作原理)下面，将描述染料敏化太阳能电池100的工作原理。从透明衬底21侧穿过并且进入透明衬底21的光激活由多孔半导体层2的微小粒子所支撑的敏化染料而产生电子。电子从敏化染料向多孔半导体层2的微小粒子移动，然后移动到透明电极层1。另一方面，已经失去电子的敏化染料接受来自包括在多孔半导体层2和多孔绝缘层3中的电解液的氧化还原对的电子。已失去电子的氧化还原对向对电极层4移动并且接受在对电极层4的表面上的电子。通过一系列反应，在透明电极层1和对电极层4之间产生了电动势。当染料敏化太阳能电池100包括多个单元结构10时，所有的多个单元结构10的电动势在位于一端的单元结构10的透明电极层1与位于另一端的单元结构10的对电极层 4之间产生。(用于染料敏化太阳能电池100的制造方法和检查方法)
下面，将描述用于染料敏化太阳能电池100的制造方法和检查方法。图3是示出了根据本公开的第一实施例的包括检查方法在内的染料敏化太阳能电池的制造方法的流程图。电极工序在电极工序中，在透明衬底21的整个表面上形成透明电极层1并且其后通过刻蚀形成条纹图案。接下来，通过丝网印刷在透明电极层1上印制多孔半导体层2并且临时干燥。之后，烧结多孔半导体层2。然后，通过丝网印刷在多孔半导体层2上印制多孔绝缘层 3，临时干燥并且烧结。随后，通过丝网印刷在多孔绝缘层3上印制对电极层4，临时干燥并
且烧结。结果，在电极工序中，在透明衬底21上形成了一个或多个单元结构10。应该注意的是，在关于第一实施例的描述中，在电极工序之后得到的染料敏化太阳能电池100，即，其中在透明衬底21上形成了一个或多个单元结构10的染料敏化太阳能电池100，被称为检查对象11 (见图4)。(电极检查工序)图4是检查对象11的侧视图。图5是用于说明根据本公开的第一实施例的检查方法的示意性示图。如图4所示，检查对象11 (电极工序之后得到的染料敏化太阳能电池100)包括透明衬底21以及形成在透明衬底21上的(一个或多个)单元结构10。单元结构10包括透明电极层1、多孔半导体层2 (无敏化染料、无电解液)、多孔绝缘层3 (无电解液)以及对电极层4。如图5所示，在电极检查工序中，利用阻抗测量装置30通过交流阻抗测量测量了单元结构10的阻抗Z。应该注意的是，图4和图5示出了其中检查对象11的单元结构10 的数目是1的情况。在电极检查工序中，以一定的间隔随机地检查检查对象11或者检查全部检查对象11。阻抗测量装置30包括四个端子(CE，RE1，TO，RE2)。探针31连接到四个端子。与 CE端子和REl端子连接的探针31与透明电极层1接触，并且与TO和RE2连接的探针31与另一个透明电极层1接触。然后，通过四端法测量单元结构10的阻抗Z。可以使用能够自由地扫描频率的阻抗测量装置、能够使用一些固定的测量频率测量阻抗Z的LCR表等作为阻抗测量装置30。由于LCR表价格不高，因此使用LCR表能够削减成本。虽然在图5中示出了其中设置单个单元结构10的情况，当检查对象11包括多个单元结构10时，阻抗测量装置30的CE和REl端子与在一端的单元结构10的透明电极层 1接触，并且阻抗测量装置30的TO和RE2端子与连接到在另一端的单元结构10的对电极层4的透明电极层1接触。然后通过四端法，测量多个串联连接的单元结构10的整体阻抗 Z。操作者基于所测量的阻抗Z判断检查对象11的品质。在这种情况下，操作者通过将作为品质判断基准的单元结构10(作为无缺陷产品的单元结构10)的阻抗的标准阻抗 Z'(如图7所示)与作为检查对象的单元结构10的阻抗Z作比较，来判断检查对象11的
9品质。图6是其中检查对象11的单元结构10被看作是平板电容器的情况的示意性示图。如图6所示，单元结构10能够被看作为这样的平板电容器，其中由多孔半导体层 2和多孔绝缘层3构成的介电体置于透明电极层1和对电极层4之间。电容量C由下面的公式(1)表示。C= ε SX ε sXS/d. . . (1)其中ε s表示相对介电常数，ε s表示真空介电常数，S表示面积，并且d表示厚度。而且，平板电容器的阻抗Z由下面的公式(2)表示。Z= Ι/jX ω XC). . . (2)在电极检查工序中，利用公式(1)和(2)的关系来判断检查对象11的单元结构10 的品质。具体而言，如果在作为标准(无缺陷产品)单元结构10的阻抗的标准阻抗Z'与作为检查对象的单元结构10的阻抗Z之间存在差别，则使得在标准单元结构10与作为检查对象的单元结构10之间产生电容量C的差别。如果在标准单元结构10与作为检查对象的单元结构10之间电容量C存在差别，则使得在标准单元结构10与作为检查对象的单元结构10之间相对介电常数ε s、面积S和厚度d中的任一者产生差别。因此，如果在作为标准单元结构10的阻抗的标准阻抗Z'与作为检查对象的单元结构10的阻抗Z之间存在差别，则使得标准单元结构10与作为检查对象的单元结构10之间的相对介电常数ε s、面积S和厚度d中的任一者产生差别。因此，通过将标准单元结构10的标准阻抗Z'与作为检查对象的单元结构10的阻抗ζ作比较，操作者能够检测出由相对介电常数ε s、面积S和厚度d中的任一者的变化而导致的单元结构10的缺陷。这里，在电极工序中，当发生了多孔半导体层2、多孔绝缘层3和对电极层4在印刷期间的位置偏差，对电极层4在印刷时的模糊，多孔半导体层2、多孔绝缘层3和对电极层4 的剥离等时，面积S相对于标准单元结构10发生变化。此外，在电极工序中，当发生了层2至层4在印刷时的糊粘度的变化、各层在印刷时的刮板压力的变化、印板的磨损、各层的不充分临时干燥、各层在焙烧时的焙烧温度的变化等，厚度d相对于标准单元结构10发生变化。此外，在电极工序中，当用于多孔半导体层2的材料(例如，钛氧化物)的分子结构(锐钛型，金红石型)改变，相对介电常数ε s相对于标准单元结构10发生变化。为了实验，本公开的发明人制造了包括具有与标准不同的厚度的多孔半导体层2 和多孔绝缘层3的检查对象11，以及包括在与标准条件不同的焙烧温度下形成的多孔半导体层2和多孔绝缘层3的检查对象11，并且利用阻抗测量装置30测量在IMHz的频率下测量了已经制造的用于实验的检查对象11的单元结构10的阻抗Z。应该注意的是，已经制造的用于实验的检查对象11的多孔半导体层2具有两层结构，该两层结构包括在形成在透明电极层1上的T层(透明层)以及形成在T层上的D层(扩散层)。图7是示出了实验检查对象11的单元结构10的阻抗Z的示图。如图7所示，在包括具有比标准单元结构10小的厚度的多孔半导体层2(T层、D层)和多孔绝缘层3的单元结构10的情况下，阻抗Z变得小于标准阻抗Z'(约1600 Ω )。 这被认为是由于电容量C随着厚度d的减小而增大，结果导致阻抗Z变小。另一方面，在包括具有比标准单元结构10小的厚度的多孔半导体层2(T层、D层) 和多孔绝缘层3的单元结构10的情况下，阻抗Z变得大于标准阻抗Z'。这被认为是由于电容量C随着厚度d的增加而减小，结果导致阻抗Z变大。此外，如图7所示，当多孔半导体层2和多孔绝缘层3的焙烧温度高于标准条件时，单元结构10的阻抗Z变得小于标准阻抗Z'。这被认为是由于当多孔半导体层2和多孔绝缘层3的焙烧温度较高时，厚度d由于灰釉而减小。结果，电容量C增大，并且阻抗Z 减小。另一方面，当多孔半导体层2和多孔绝缘层3的焙烧温度低于标准条件时，单元结构10的阻抗Z变得大于标准阻抗Z'。这被认为是由于当多孔半导体层2和多孔绝缘层3 的焙烧温度较低时，厚度d保持较大。结果，电容量C减小，并且阻抗Z变大。在电极检查工序中，操作者将标准阻抗Z'(在图7中约1600Ω)与所测量的阻抗Z作比较。然后，当阻抗Z之间的差等于或小于预定阈值(例如，约士20Ω)时，操作者判断检查对象11是无缺陷产品。当判断为无缺陷产品时，操作者将检查对象11传递到后继的工序(染料吸附工序)上。应该注意的是，由于本实施例的检查方法是无损检测，已经检查了品质的检查对象11能够传递到后继的工序上。另一方面，当上述差值超过了预定阈值时，检查对象11将检查对象11判断为缺陷产品。然后，操作者分析缺陷的原因并且反馈到前面的工序(电极工序)。应该注意的是， 当判断为缺陷产品时，操作者丢弃检查对象11并且不将其传递到电极检查工序之后的工序上。如上所示，根据本实施例的检查方法，能够测量检查对象11的单元结构10的阻抗Z，使得能够在染料敏化太阳能电池100的制造过程中基于阻抗Z判断检查对象11的品质。因此，可以在制造过程中迅速地反馈到前面的工序，并且能够抑制由于工艺波动导致的缺陷产品的产生。结果，能够提高生产量并且能够实现成本的削减。(阻抗Z的测量频率)下面，将描述在交流阻抗测量中的阻抗Z的测量频率。(粒子电阻和界面电阻与阻抗Z的测量频率的关系)首先，将描述粒子(体)电阻和界面电阻与阻抗Z的测量频率的关系。如上所述，多孔半导体层2和多孔绝缘层3每个均具有包括几十nm到几百nm的微小粒子(体)的多孔结构。图8是示出了检查对象11的单元结构10的等效电路的示图。如图8所示，多孔半导体层2和多孔绝缘层3的粒子(体)电阻能够看作为电阻组件Rb和电容组件Cb的并联电路。此外，多孔半导体层2和多孔绝缘层3的粒子界面的界面电阻能够看作为电阻组分Rgb和电容组分Cgb的并联电路。而且，单元结构10的等效电路能够看作为上述并联电路串联连接的电路。图9是通过奈奎斯特图示出了利用阻抗测量装置30对检查对象11的单元结构10 进行交流阻抗测量的结果的示图。如图9所示，奈奎斯特图以IOHz为界分成两座山。本公开的发明人基于所测量的
11数据通过适合地使用等效电路得到电容量C的值。结果，发现从多孔半导体层2和多孔绝缘层3的相对介电常数￡S、面积S和厚度d得到的电容量C，与在左侧的山匹配。因此，可以说在大于等于IOHz的频率处单元结构10的阻抗Z取决于粒子电阻，并且在小于IOHz的频率处单元结构10的阻抗Z取决于界面电阻。因此，在电极检查过程中，通过以大于等于IOHz的频率测量检查对象11的单元结构10的阻抗Z，能够测量取决于多孔半导体层2和多孔绝缘层3的粒子(体)的阻抗Z。(以低频率测量时检查对象11的单元结构10的阻抗Z的特性与当以高频率测量时检查对象11的单元结构10的阻抗Z的特性之间的区别)下面，将描述以低频率测量时检查对象11的单元结构10的阻抗Z的特性与以高频率测量时检查对象11的单元结构10的阻抗Z的特性之间的区别。首先，作为比较示例，将描述通过直流电阻测量来检查检查对象11 (经过了电极工序的染料敏化太阳能电池100)的品质的情况。当检查检查对象11的品质时，通过直流电阻测量来检查检查对象11的品质的方法是可以的。在这一方面，本本公开的发明人通过直流电阻测量测量了检查对象11的单元结构10的直流电阻值。在这种情况下，由于检查对象11的单元结构10的直流电阻值高达10ΜΩ或更大， 因此存在使用现有的直流电阻测量设备利用直流电流测量很难确保测量精度的问题。在直流电阻测量的情况下，还很明显的是，直流电阻值依赖于测量环境而变化很大并且直流电阻值随时间逐渐改变。这样的现象出现的原因被认为是因为多孔半导体层2 具有光学半导体特性，并且多孔半导体层2和多孔绝缘层3由于它们的多孔结构而具有湿度敏感性。实际上，在10分钟内直流电阻值的波动的系数是50%或以上，并且直流电阻值仅在一小时左右的时间内不会变得稳定。下面，将描述通过交流阻抗测量来测量检查对象11的单元结构10的阻抗Z的情况。图10是用于说明以低频率测量阻抗Z的情况下的检查对象11的单元结构10的阻抗Z的特性与以高频率测量阻抗Z的情况下的检查对象11的单元结构10的阻抗Z的特性之间的区别的示图。图10的部分A示出了阻抗Z的测量频率与阻抗Z (绝对值)之间的关系。图10 的部分B示出了在以IHz测量阻抗Z的情况下在10分钟内检查对象11的单元结构10的阻抗Z的变化。图10的部分C示出了在以IMHz测量阻抗Z的情况下在10分钟内检查对象11的单元结构10的阻抗Z的变化。应该注意的是，在图10的部分B和部分C中，在AMI. 5的疑似太阳光照射到检查对象11上的状态下测量阻抗Z，并且为了评价环境光的影响，在从30s到IOOs之间将疑似太阳光遮挡的情况下测量阻抗Z。如图10的部分A所示，可以看出，当阻抗Z的测量频率低至小于IkHz时，检查对象11的单元结构10的阻抗Z取值接近IM Ω，值很高。如图10的部分B所示，还可以看出，当以低于IkHz(IHz)的低频率测量检查对象 11的单元结构10的阻抗Z时，阻抗Z随时间波动很大。在图10的部分B所示的示例中，在 10分钟内阻抗Z的变化率是+47 %。
此外，如图10的部分B所示，还可以看出，当以低于IkHz(IHz)的低频率测量检查对象11的单元结构10的阻抗Z时，阻抗Z在30s至IOOs之间疑似太阳光被遮挡时波动很大。换句话说，可以看出在以低频率的阻抗测量中，阻抗容易受到环境光线的影响。如上所述，在以低于IkHz的频率的交流阻抗测量的情况下，存在如下特性，即，检查对象11的单元结构10的阻抗Z很高，阻抗Z随时间的波动很大，并且阻抗Z容易受到环境温度的影响。这些特性与在直流电阻测量中的直流电阻值的特性相一致。另一方面，如图10的部分A所示，可以看出，当阻抗Z的测量频率高达IkHz或更高时，检查对象11的单元结构10的阻抗Z随着频率的增加而减小。如图10的部分C所示，可以看出，当阻抗Z的测量频率高达IkHz或更高(IMHz) 时，阻抗Z几乎不随着时间波动。在如图10的部分C所示的示例中，在10分钟内阻抗Z的变化率是+0. 3%。此外，如图10的部分C所示，还可以看出，当阻抗Z的测量频率高达IkHz或更高 (IMHz)时，在30s至IOOs之间疑似太阳光被遮挡时阻抗Z几乎不波动。换句话说，当阻抗Z的测量频率高达IkHz或更高时，存在如下特性，即，检查对象 11的单元结构10的阻抗Z相对较小，阻抗Z几乎不随着时间波动，并且阻抗Z几乎不受环境光线的影响。因此，通过以大于等于IkHz的频率测量单元结构10的阻抗Z，所测量的阻抗Z变得相对较小，并且能够消除阻抗Z随时间的波动以及由于环境光线的阻抗Z的波动。因此， 在电极检查工序中，通过以大于等于IkHz的频率测量阻抗Z，可以以较高的精确地进行检查对象11的稳定的品质检查。应该注意的是，由于当阻抗Z的测量频率大于等于IkHz时， 变得可以进行大于等于IOHz的阻抗测量，因此能够测量如上所示取决于多孔半导体层2和多孔绝缘层3的粒子(体)的阻抗Z。这里，当通过图8所示的等效电路考虑检查对象11的单元结构10时，单元结构10 的阻抗Z在低频率时取决于电阻组分并且在高频率时取决于电容组分。根据这样的关系以及图10的部分B和部分C的结果，可以说，电阻组分随时间以及环境光线的波动很大，并且电容组分相对稳定，没有随着时间和环境光线波动那么大。具体而言，当以大于等于IkHz 的高频率测量时阻抗Z稳定的原因是由于排出了容易受到时间和环境光线影响的电阻组分，并且变成可以进行专门针对几乎不受时间和环境光线影响的电容组分的阻抗Z测量。(染料的吸附工序至最终检查工序)回到图3，在电极检查工序之后的染料吸附工序中，将检查对象11浸入在染料溶液中。结果，敏化染料由多孔半导体层2的微小粒子支撑。在下面的组装工序中，通过涂覆到单元结构10上形成密封层22。然后，将外部构件23接合到密封层22上。在下面的电解液注入工序中，经由预先设置在染料敏化电池中的入口(未示出) 注入含有氧化还原对的电解液。入口设置在各个单元结构10中。当注入电解液时，电解液注入在多孔半导体层2和多孔绝缘层3的粒子之间以填充微小粒子之间的空间。之后，将入口密封。在下面的最终检查工序中，通过太阳光、由太阳能模拟器等产生的伪太阳光等检查染料敏化太阳能电池100(完成品)的光电转换特性等。
〈第二实施例〉下面，将描述本公开的第二实施例。应该注意的是，在关于第二实施例和后续的实施例的描述中，将简化或省略关于与第一实施例的那些具有相同结构和功能的组件的描述。在第二实施例中，将描述单元结构10的短路的检测。在电极工序中(见图幻，当某些外来物质卡在透明电极层1和对电极层4之间时， 可能发生在透明电极层1和对电极层4之间引起电路短路的故障。图11是示出了在透明电极层1和对电极层4电短路的情况下的单元结构10的等效电路的示图。这里，作为比较示例，将描述通过直流电阻测量来检测出透明电极层1和对电极层4之间的短路的情况。假设其中检查对象11 (经过了电极工序的染料敏化太阳能电池100)包括一个单元结构10并且短路电阻Rgt足够地小于由体电阻和界面电阻串联连接所产生的合成电阻的情况，而没有发生短路的检查对象11 ( 一个单元)的直流电阻值例如是几十ΜΩ量级，发生了短路的检查对象11 ( 一个单元)的直流电阻值例如是几kQ量级。因此，在这样的情况下，能够在直流电阻测量中检测出短路。然而，当检查对象11包括多个单元结构10或者短路电阻Rgt没有足够地小于由体电阻和界面电阻的串联连接所产生的合成电阻时，很难通过直流电阻测量检测出短路。例如，假设通过直流电阻测量来检测包括八个单元结构10的检查对象11的短路的情况。在这种情况下，假设在八个单元结构10中的一个中发生了电极间的短路并且发生了短路的单元结构10的直流电阻值已经变为零。与当八个单元结构10中的任一个中均没有发生短路时得到的直流电阻值相比， 包括发生了短路的单元结构10(直流电阻值为零)的所有八个单元结构10的直流电阻值降低。然而，降低率是1/8 = 12.5%，该下降率小于由于例如多孔半导体层2和多孔绝缘层 3的湿度敏感性而导致的直流电阻值的波动率(在10分钟内50%或更多)。如上所述，由于直流电阻值的降低率小于波动率，因此存在很难检测出多个单元结构10中的一个单元结构10的短路的问题。下面，将详细描述根据第二实施例的用于染料敏化太阳能电池100的品质检查方法。本公开的发明人制造了作为实验检查对象11的、具有其中透明电极层1和对电极层4短路了的1-单元结构的检查对象11。图12是示出了其中通过交流阻抗测量来测量实验检查对象11的阻抗Z的情况的伯德图。应该注意的是，图12还示出了具有没有发生短路的1-单元结构的检查对象11的阻抗Z的测量结果。如图12所示，当阻抗Z的测量频率超过IMHz时，在发生了电极间短路的单元结构 10的阻抗Z与没有发生短路的单元结构10的阻抗Z(标准阻抗Z')之间，几乎没有差别。另一方面，当测量频率是小于等于IMHz时，在发生了电极间短路的检查对象11中短路电阻Rgt变为恒定，从而使得在发生了电极间短路的检查对象11与没有发生短路的检查对象11之间产生差别。如上所述，由于当测量频率小于等于IMHz时，在发生了短路的检查对象11与没有发生短路的检查对象11之间产生了差别，因此能够通过以小于等于IMHz 的频率测量检查对象11的阻抗Z来检测出短路。在这种情况下，操作者在电极工序中以小于等于IMHz的频率测量包括一个或多个单元结构10的检查对象11的阻抗Z。然后，操作者将所测量的阻抗Z与没有发生短路的检查对象11 (作为无缺陷产品的检查对象11)的标准阻抗Z'作比较。当阻抗Z和标准阻抗Z之间的差等于或小于预定阈值时，操作者判断检查对象11 是无缺陷产品(即，没有发生短路)，并且将检查对象11传递到后续的工序上。另一方面， 当上述差值超过了预定阈值时，操作者判断检查对象11是缺陷产品(即，发生了短路)，并且不将其传递到后续的工序上。这里，如上所述，当阻抗Z的测量频率低至小于IkHz时，阻抗Z具有与在直流电阻测量中的直流电阻值相似的、随时间波动很大以及容易受到环境光线影响的特性。另一方面，当阻抗Z的测量频率大于等于IkHz时，阻抗Z具有几乎不随时间波动以及几乎不受环境光线影响的特性。因此，阻抗Z的测量频率通常大于等于IkHz (小于等于IMHz)。通过大于等于IkHz 的交流阻抗测量，能够在排除随时间的波动以及环境光线的影响的状态下正确地检测出检查对象11的单元结构10的短路。在这种情况下，由于变得可以进行阻抗Z的稳定测量，因此能够容易地进行在直流电阻测量中很难进行的多个单元结构10中的一个单元结构10的短路的检测。另一方面，如上所述，由于当阻抗Z的测量频率小于等于IMHz时，在发生了短路的情况与没有发生短路的情况之间产生了阻抗Z的差别，因此能够检测出短路。应该注意的是，当阻抗Z的测量频率靠近IMHz时，在发生了短路的情况与没有发生短路的情况之间的阻抗Z的差别很小。当阻抗Z的差别很小时，能够被检测出的短路电阻的值变得很小。因此，当考虑较大的短路电阻的检测时，阻抗Z的测量频率通常是(大于等于IkHz 并且)小于等于IOOkHz。(第二实施例的修改示例)上述示例已经描述了，通过将所测量的阻抗Z与作为没有发生短路的单元结构10 的阻抗Z的标准阻抗Z'作比较来检测出单元结构10的短路的方法。然而，能够通过其他方法检测出单元结构10的短路。如图12所示，在其中透明电极层1和对电极层4之间没有发生短路的单元结构10 的情况下，阻抗Z随着频率的增大而减小。另一方面，当在单元结构10的透明电极层1和对电极层4之间发生短路时，阻抗Z具有在低于IMHz的频率范围内变得几乎恒定的特性。具体而言，在小于等于IMHz的频率处，没有发生短路的单元结构10的阻抗Z具有与发生了短路的单元结构10相比、具有不同频率的两点之间的阻抗Z的差较大的特性。相反，发生了短路的单元结构10具有与没有发生短路的单元结构10相比具有不同频率的两点之间的阻抗Z几乎不存在差别的特性。通过使用这样的关系，能够检测出单元结构10的短路。在这种情况下，操作者在电极工序中测量在小于等于IMHz的两个或多个不同频率处的单元结构10的阻抗Z。然后，当两个或多个所测量的阻抗Z之间的差等于或大于预定阈值时，操作者判断在检查对象中没有发生短路(即，检查对象是无缺陷产品)并且将其传递到后续的工序上。另一方面，当两个或更多个所测量的阻抗Z之间的差小于预定阈值时，操作者判断在检查对象中发生了短路(即，检查对象是有缺陷产品)，并且不将其传递到后续的工序上。通过上述方法，也能够正确地检测出单元结构10的短路。〈第三实施例〉下面，将描述本公开的第三实施例。上述实施例已经描述了操作者利用阻抗测量装置30测量检查对象11的阻抗Z以基于测量结果判断检查对象11的品质的情况。换句话说，已经描述了由操作者进行的用于检查对象11的品质检查方法。另一方面，能够使检查对象11的品质检查自动操作。在第三实施例中，将描述自动地测量检查对象11的阻抗Z并且基于测量结果自动地判断检查对象11的品质的检查设备40。(检查设备40的结构)图13是示出了检查设备40的示意性示图。如图13所示，检查设备40包括其上安装检查对象11的安装台41，在CTZ方向上移动安装台41的XYZ工作台44，以及测量检查对象11的单元结构10的阻抗的阻抗测量部分45。检查设备40还包括总体地控制检查设备40的控制器47和存储控制器的控制所必须的各种程序的存储器48。XYZ工作台44包括使安装台41竖直移动的升降机构42以及使升降机构42在XY 方向上移动的XY工作台43。碎语升降机构42和XY工作台43，使用了流体压力缸、齿轮齿条、皮带和链、滚珠丝杠等。阻抗测量部分45包括四个端子(CE，REl，TO，RE^。探针46连接到四个端子。探针46每个均通过固定部件(未示出)固定在预定位置处。使用能够自由地扫描频率的阻抗测量装置、能够在若干固定测量频率处测量阻抗Z的LCR表等作为阻抗测量部分45。控制器47例如是CPU，并且根据存储在存储器48中的程序执行预定的处理。例如，控制器47驱动XYZ工作台44或者基于由阻抗测量部分45所测量的检查对象11的阻抗Z判断检查对象11的品质。(操作说明)下面，将描述检查设备40的操作。首先，检查设备40的控制器47驱动XY工作台43以在XY方向上移动安装台41， 并且将安装台41移动到检查对象11 (经过了电极工序的染料敏化太阳能电池100)的获取位置。然后，检查设备40从供给设备(未示出)接收检查对象11并且将其安装在安装台 41上。下面，控制器47驱动XY工作台43以在XY方向上移动安装台41并且将检查对象 11移动到阻抗Z的测量位置。下面，控制器47驱动升降机构并且将安装台41向上移动。 因此，与阻抗测量部分45的四个端子连接的探针46与单元结构10的透明电极层1接触。此时，连接到CE端子和REl端子的探针46与一个透明电极层1接触，并且连接到 TO端子和RE2端子的探针46与另一个透明电极层1接触。然后，通过四端法以预定频率测量单元结构10的阻抗Z。应该注意的是，对于探针46与单元结构10的透明电极层1的接触，可以使用竖直移动探针46的方法来代替竖直移动安装台41的方法。或者，可以使用竖直移动安装台41 和探针46两者的方法。在测量了阻抗Z以后，控制器47计算所测量的阻抗Z和标准阻抗Z'之间的差(见图7和图12)。然后，当上述差值等于或小于预定阈值时，控制器47判断检查对象11是无缺陷产品，即，在检查对象11中没有发生在印刷中的位置偏移、短路等。当判断为无缺陷产品时，控制器47驱动升降机构42和XY工作台43，并且将检查对象11传递到在下面的染料吸附工序中执行染料吸附处理的染料吸附设备上。另一方面，当上述差值超过了预定阈值时，控制器47判断检查对象11是缺陷产品，即，在检查对象11中发生了在印刷中的位置偏移、短路等。在这种情况下，控制器47驱动升降机构42和XY工作台43并且丢弃检查对象11。当判断结束时，控制器47将判断结果存储在存储器48中并且将安装台41再次移动到检查对象11的移交位置。由于在检查设备40中能够自动地检查检查对象11的品质，因此能够容易地执行检查对象11的100%检查。在上述示例中，已描述了基于由阻抗测量部分45所测量的阻抗Z与标准阻抗Z' 之间的差来判断检查对象11的品质的情况。然而，用于检查对象11的品质判断方法不限于此。如上所述，在第二实施例的修改示例中，可以基于在两个或者多个不同频率处测量的检查对象11的阻抗Z来判断检查对象11的品质。在这种情况下，控制器47控制阻抗测量部分45，在两个不同的频率处，测量安装在安装台41上的检查对象11的阻抗Z，并且计算这两个阻抗Z之间的差。然后，当两个所测量的阻抗Z之间的差等于或大于预定阈值时，控制器47判断检查对象11是无缺陷产品， 即没有发生短路。在这种情况下，控制器47驱动升降机构42和XY工作台43，并且将检查对象11传递到在下面的染料吸附工序中执行染料吸附处理的染料吸附设备上。另一方面，当上述差值小于预定阈值时，控制器47判断检查对象11是缺陷产品， 即，发生了短路。在这种情况下，控制器47驱动升降机构42和XY工作台43并且丢弃检查对象11。〈第四实施例〉下面，将描述本公开的第四实施例。上述实施例已经描述了在生产过程中检查具有单片结构的染料敏化太阳能电池 100的品质的方法。另一方面，第四实施例描述了在生产过程中检查具有例如Z型、W型结构或面向型结构的染料敏化太阳能电池200的品质的方法。应该注意的是，Z型、W型或面向型结构的染料敏化太阳能电池200中，作为代表将描述检查Z型染料敏化太阳能电池200的品质的方法。(染料敏化太阳能电池200的结构)图14是Z型染料敏化太阳能电池200的横截面侧视图。如图14所示，Z型染料敏化太阳能电池200包括透明衬底221，对衬底222，插入在透明衬底221和对衬底222之间的多个单元210，以及用于将单元210隔开的壁部205。多个单元210各个均具有在一个方向(Y轴方向)上拉长的长方体形状并且在X 轴方向上以串联的方式电连接。单元210各个均包括形成在透明衬底221上的透明电极层 201，形成在透明电极层201上的多孔半导体层202，以及在与多孔半导体层202相对的位置处在对衬底222上形成的对电极204。单元210各个均具有内部含有氧化还原对的电解液。透明电极层201通过设置在各个壁部205内部的导电部件206与相邻单元210的对电极204电连接。结果，多个单元210以串联的方式电连接。(用于染料敏化太阳能电池200的生产方法和检查方法)图15是示出了包括了本实施例的检查方法的Z型染料敏化太阳能电池200的生产过程的流程图。(电极工序)在电极工序中，在透明衬底221的整个表面上形成透明电极层201并且之后通过刻蚀形成条纹状图案。接下来，通过丝网印刷在透明电极层201上印刷多孔半导体层202 并且将其临时干燥。其后，烧结多孔半导体层202。 然后，通过丝网印刷在对衬底222上形成对电极204，临时干燥并且烧结。其后，在对电极204上形成在内部具有导电部件206的壁部205。应该注意的是，在关于第四实施例的描述中，将在透明衬底221上形成一个或多个透明电极层201和多孔半导体层202之后的染料敏化太阳能电池200称为检查对象 211(见图 16)。(电极检查工序)图16是用于说明根据本公开的第四实施例的检查方法的示意性示图。如图16所示，检查对象211包括透明衬底221和(一个或多个)透明电极层 201 (无敏化染料)以及形成在透明衬底221上的多孔半导体层202。在电极检查工序中，由操作者以一定的间隔(例如，每100个检查1个)随机地检查检查对象211。操作者对导体52施加力并且使导体52与多孔半导体层202接触，其中导体52由诸如铝和铜之类的金属形成并且由弹簧53支撑。然后，操作者使与阻抗测量装置30的CE 端子和REl端子连接的探针46与导体52接触，并且使与阻抗测量装置30的TO端子和RE2 端子连接的探针46与透明电极层201接触。结果，透明电极层201和导体52之间的阻抗 Z被测量。导体52与多孔半导体层202接触的状态能够看作为，由多孔半导体层202构成的介电体插入在透明电极层201和导体52之间的平板式电容器。因此，变得可以进行与在第一实施例中描述的染料敏化太阳能电池100相同的品质检查。操作者判断所测量的阻抗Z与标准阻抗Z'(通过使导体52与作为无缺陷产品的检查对象211的多孔半导体层202接触所测量的阻抗)之间的差是否等于或小于预定阈值。当上述差值等于或小于预定阈值时，操作者判断检查对象211是无缺陷产品。应该注意的是，在第四实施例中，因为该检查是由于导体52与多孔半导体层202接触而导致的破坏性检测，所以即使检查对象211是无缺陷产品也要被丢弃而不传递到后续的工序上。
另一方面，当上述差值超过了预定阈值时，操作者判断检查对象211是缺陷产品。 然后，操作者分析造成缺陷的原因并且将其反馈到前面的工序(电极工序)。丢弃被判断为缺陷产品的检查对象211。第四实施例具有与第一实施例相同的效果。具体而言，由于能够在染料敏化太阳能电池200的生产过程中判断检查对象211的品质，因此变得可以在生产过程中迅速地反馈到前面的工序。结果，能够抑制由于工艺波动而导致的缺陷产品的产生。因此，能够实现成本的削减。(染料吸附工序至最终检查工序)回到图15，在染料吸附工序中，将检查对象211浸入在染料溶液中。结果，敏化染料由多孔半导体层202的微小粒子支撑。在下面的组装工序中，将透明衬底221侧和对衬底222侧连接。在下面的电解液注入工序中，经由入口(未示出)注入含有氧化还原对的电解液。其后，将开口密封。在下面的最终检查工序中，通过太阳光、由太阳能模拟器等产生的伪太阳光等检查染料敏化太阳能电池200(完成品)的光电转换特性等。对于用于Z型染料敏化太阳能电池200的品质检查方法，已给出了上述说明。然而，能够通过与上述方法相同的方法在生产过程中检查诸如W型和面向型之类的其他类型的染料敏化太阳能电池200的品质。(检查设备)虽然在上面的示例中已描述了由操作者进行的用于检查对象211的品质检查方法，但是可以通过检查设备60自动地检查检查对象211的品质。图17是示出了检查设备60的示例性示图。除了使用了导体52并且与阻抗测量部分45的CE端子和REl端子连接的探针46 与导体52接触以外，检查设备60具有与在第三实施例中所描述的检查设备40(见图13) 相同的结构。导体52和探针46通过固定部件(未示出)固定在预定位置处。检查设备60的控制器47驱动XY工作台43以在XY方向上移动安装台41，并且将其移动到检查对象211的获取位置。然后，从供给设备(未示出)接收检查对象211。这里， 供给设备以一定的间隔(例如，每100个中的一个)将检查对象211传递到检查设备60。接下来，控制器47驱动XY工作台43以在XY方向上移动安装台41并且将检查对象211移动到阻抗Z的测量位置。然后，控制器47驱动升降机构42并且向上移动安装台 41。当安装台41被向上移动时，导体52的底面与多孔半导体层202的上表面接触。而且，与阻抗测量部分45的TO端子和RE2端子连接的探针46与透明电极层201接触。下面，控制器47控制阻抗测量部分45并且测量检查对象211的透明电极层201 与导体52之间的阻抗Z。控制器47计算所测量的阻抗Z与标准阻抗Z'之间的差值并且判定该差值是否等于或小于预定阈值。当所述差值等于或小于预定阈值时，控制器47判断检查对象211是无缺陷产品，S卩，在检查对象211中没有发生印刷偏差等。另一方面，当所述差值超过了预定阈值时，控制器47判断检查对象211是缺陷产品，S卩，在检查对象211中发生了印刷偏差等。
判断完成之后，控制器47将判断结果存储在存储器48中。然后，控制器47驱动升降机构42和XY工作台43，并且无论检查对象211的品质如何都丢弃检查对象211。通过如图17所示的检查设备60，能够在生产过程中自动地检查Z型、W型和面向型染料敏化太阳能电池200的品质。<修改示例>在上述描述中，已经给出了通过基于检查对象11和211的阻抗Z检查诸如印刷偏差和短路等缺陷来检查检查对象11的品质的方法。另一方面，还存在如下方法，即，通过测量染料吸附工序之前的和染料吸附工序之后的检查对象11和211的阻抗Z并且根据阻抗的变化量来判断多孔半导体层2和202的染料吸附量、来检查检查对象11和211的品质。在这种情况下，操作者还可以利用阻抗测量装置30来测量染料吸附工序之前和之后的检查对象11和211的阻抗Z，并且根据测量值的变化量来判断检查对象11和211的品质。或者，还可以利用检查设备40和60来自动地测量检查对象11和211的阻抗Z并且根据测量值的变化量来判断检查对象11和211的品质。本公开包含涉及2010年8月17日在日本专利局提交的日本优先专利申请JP 2010-182429中公开的主题，该申请的全部内容通过引用结合于此。本领域的技术人员应该明白，只要在所附权利要求或其等同物的范围内，可以根据设计需求和其他因素作出各种修改、组合、子组合和变化。
权利要求
1.一种检查方法，包括测量检查对象的单元结构的阻抗，所述检查对象包括一个或多个串联连接的所述单元结构，所述单元结构各个均包括形成在衬底上的透明电极层、形成在所述透明电极层上的多孔半导体层、形成在所述多孔半导体层上的多孔绝缘层以及形成在所述多孔绝缘层上的对电极层；以及基于所测量的所述单元结构的所述阻抗来判断所述检查对象的品质。
2.根据权利要求1所述的检查方法，其中对所述检查对象的所述品质的判断包括将标准阻抗与所测量的所述单元结构的所述阻抗作比较，并且当所述标准阻抗与所述阻抗之间的差等于或小于预定阈值时、判断所述检查对象是无缺陷产品，其中所述标准阻抗是作为品质判断基准的所述单元结构的所述阻抗。
3.根据权利要求1所述的检查方法，其中所述阻抗的测量包括利用两个或更多个不同的频率测量所述单元结构的两个或更多个所述阻抗，并且其中对所述检查对象的所述品质的判断包括，当所测量的所述两个或更多个所述阻抗之间的差等于或大于预定阈值时、判断所述检查对象是无缺陷产品。
4.根据权利要求2所述的检查方法，其中所述阻抗的测量包括利用大于等于IOHz的频率测量所述单元结构的所述阻抗。
5.根据权利要求4所述的检查方法，其中所述阻抗的测量包括利用大于等于IkHz的频率测量所述单元结构的所述阻抗。
6.根据权利要求5所述的检查方法，其中所述阻抗的测量包括利用大于等于IkHz并且小于等于IMHz的频率测量所述单元结构的所述阻抗。
7.根据权利要求6所述的检查方法，其中所述阻抗的测量包括利用大于等于IkHz并且小于等于IOOkHz的频率测量所述单元结构的所述阻抗。
8.一种检查方法，包括使导体与检查对象的多孔半导体层接触，所述检查对象包括形成在衬底上的透明电极层以及形成在所述透明电极层上的多孔半导体层；测量所述透明电极层与所述导体之间的阻抗；以及基于所测量的所述透明电极层与所述导体之间的所述阻抗来判断所述检查对象的品质。
9.一种检查设备，包括测量部分，所述测量部分配置成测量检查对象的单元结构的阻抗，所述检查对象包括一个或多个串联连接的所述单元结构，所述单元结构各个均包括形成在衬底上的透明电极层、形成在所述透明电极层上的多孔半导体层、形成在所述多孔半导体层上的多孔绝缘层以及形成在所述多孔绝缘层上的对电极层；以及控制器，所述控制器配置成基于所测量的所述单元结构的所述阻抗来判断所述检查对象的品质。
10.一种检查设备，包括导体，所述导体与检查对象的多孔半导体层接触，所述检查对象包括形成在衬底上的透明电极层以及形成在所述透明电极层上的所述多孔半导体层；测量部分，所述测量部分配置成在所述导体与所述多孔半导体层接触的状态下测量所述透明电极层与所述导体之间的阻抗；以及控制器，所述控制器配置成基于所测量的所述透明电极层与所述导体之间的所述阻抗来判断所述检查对象的品质。
11.一种检查方法，包括通过检查设备的测量部分测量检查对象的单元结构的阻抗，所述检查对象包括一个或多个串联连接的所述单元结构，所述单元结构各个均包括形成在衬底上的透明电极层、形成在所述透明电极层上的多孔半导体层、形成在所述多孔半导体层上的多孔绝缘层以及形成在所述多孔绝缘层上的对电极层；以及通过所述检查设备的控制器基于所测量的所述单元结构的所述阻抗来判断所述检查对象的品质。
12.—种检查方法，包括通过检查设备的测量部分在导体与检查对象的多孔半导体层接触的状态下测量透明电极层和所述导体之间的阻抗，所述检查对象包括形成在衬底上的所述透明电极层以及形成在所述透明电极层上的所述多孔半导体层；通过所述检查设备的控制器基于所测量的所述透明电极层与所述导体之间的所述阻抗来判断所述检查对象的品质。
全文摘要
本发明涉及一种检查方法和检查设备，该检查方法包括测量检查对象的单元结构的阻抗，所述检查对象包括一个或多个串联连接的单元结构，所述单元结构各个均包括形成在衬底上的透明电极层、形成在透明电极层上的多孔半导体层、形成在多孔半导体层上的多孔绝缘层以及形成在多孔绝缘层上的对电极层；以及基于所测量的单元结构的阻抗判断检查对象的品质。
文档编号G01R31/36GK102401882SQ20111023552
公开日2012年4月4日 申请日期2011年8月10日 优先权日2010年8月17日
发明者山崎洋, 真贝信行 申请人:索尼公司