专利名称：局部放电传感器的制作方法
技术领域：
本发明涉及在GIS (Gas Insulated Switch:气体绝缘开关装置)等高电力设备中通过检测该装置内产生的高频率来检测局部放电现象的局部放电传感器。
背景技术：
作为已往的技术存在如下技术，在包围着高压电线地构成的圆筒状结构体上形成研钵状的凹坑，把倒圆锥形的局部放电传感器设置在研钵状凹坑内。(下述专利文献I)。通常，为了检测GIS内的局部放电，必须在宽频带接收局部放电时产生的500MHz 1500MHz的高频率。另一方面，在把倒圆锥形的天线设置在平板状的接地板上时，可得到与具有宽频带特性的盘锥式天线同样的特性。在已往的局 部放电传感器中，把设置有倒圆锥形的局部放电传感器的圆筒状结构体的部位形成为研钵状，把结构体的表面设定为地电位，这样，在平板状的接地板附近，确保了与盘锥式天线同样的宽频带特性。在先技术文献专利文献专利文献1:日本特表2002 - 516499号公报
发明内容
发明要解决的课题已往的局部放电传感器，由于如上述地构成，所以，设置有局部放电传感器的研钵状的形成部位必须形成得大。这是因为倒圆锥形局部放电传感器的直径必须是检测对象的最低频率的半波长左右，所以，为了构成与500MHz 1500MHz对应的局部放电传感器，必须采用直径为250mm左右的倒圆锥形。另外，研钵状的形成部位必须大于倒圆锥形，至少要设置300mm左右的开口。另一方面，在GIS中，各种圆筒状的支管被预先设在结构体上，如果能把局部放电传感器设置于该支管，则不必对已设置的GIS实施大的工程，就可以增设局部放电传感器。但是，圆筒状的支管是细管，其内径为70mm左右，所以，存在不能设置已往的局部放电传感器等的课题。本发明是为了解决上述课题而做出的，其目的是提供能设置于直径细的支管的局部放电传感器。解决课题的技术方案本发明的局部放电传感器，具有圆板、圆柱和盖部件。圆板配置在支管内部，其一个面与结构体的内面成为大致同一个面。圆柱连接在圆板的另一个面上。在盖部件的中央设有供圆柱插入的开口，盖部件将支管的另一端堵住，通过支管与结构体导通。
发明效果根据本发明，由圆板和圆柱构成顶端负载单极天线。因此，通过调整圆筒状结构体与圆板之间的距离，不必加大支管的内径就可以设定作为检测对象的频率波段，从而具有即使是直径小的支管也能设置的局部放电传感器的效果。另外，顶端负载单极天线具有相对于圆柱中心轴轴对称的形状，所以，圆板的一个面的灵敏度没有方位方向的角度特性。因此，能在全方向、以一定的灵敏度接收在圆筒状的结构体内产生的高频率。另外，由圆筒状的支管、与圆板连接的圆柱、和供圆柱插入并通过支管与结构体导通的盖部件，构成同轴线路。因此，获得在将圆板接收到的高频率通过圆柱作为高频率信号传送到外部时可以防止来自支管外部的高频率噪音的混入的效果。另外，由于在支管内具有局部放电传感器，所以，还具有如下效果，S卩，不必对已具有支管的原有装置实施大的工程，就可以追加局部放电传感器。另外，当支管不是空的时，可以对一根支管，在原有的功能上增加本发明的局部放电传感器的功能，可以使一根支管具有多功能。这时，不必仅为了局部放电传感器而设置新的支管，所以，可提高支管的设计自由度。
图1是表示本发明实施方式I的设在GIS内的局部放电传感器的概略构造的剖面图。图2是表示本发明实施方式I的局部放电传感器的详细构造的剖面图。图3是表示本发明实施方式I的局部放电传感器详细构造的俯视图。
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图4是表示本发明实施方式I的顶端负载单极天线的计算模型的剖面图。图5是表示计算模型的模拟结果的特性图。图6是表示本发明实施方式2的局部放电传感器的详细构造的剖面图。图7是表示本发明实施方式2的局部放电传感器的详细构造的俯视图。图8是表示阻抗特性Za的特性图。图9是表示短路板的阻抗特性Zs的特性图。图10是表示阻抗特性Zt的特性图。图11是表示短路线的阻抗特性Zs的特性图。图12是表示本发明实施方式3的局部放电传感器的详细构造的剖面图。图13是表示在支管长的情况下直接采用实施方式I所示的发明时的局部放电传感器的详细构造的剖面图。图14是表示在支管长的情况下直接采用实施方式3所示的发明时的局部放电传感器的详细构造的剖面图。图15是表示本发明实施方式4的局部放电传感器的详细构造的剖面图。图16是表示本发明实施方式5的局部放电传感器的详细构造的剖面图。图17是表示本发明实施方式6的局部放电传感器的详细构造的剖面图。图18是表示本发明实施方式7的局部放电传感器的详细构造的剖面图。图19是表示本发明实施方式7的局部放电传感器的详细构造的仰视图。
具体实施例方式为了更详细地说明本发明，下面，参照附图，说明实施本发明的方式。实施方式I在该实施方式I中，把顶端负载单极天线设在GIS的支管内，即使是直径细的支管，也能设置局部放电传感器。图1是表示本发明实施方式I的设在GIS内的局部放电传感器的概略构造的剖面图，图2是表示其详细构造的剖面图，图3是表示其详细构造的俯视图。图中，结构体I构成圆筒状的封闭空间3以包围高压电线2。结构体I的表面被设定为地电位。在封闭空间3内，充填着绝缘性气体。开口 4是形成在结构体I上的圆形孔。支管5形成为圆 筒状，一端以内面彼此与结构体I的开口 4 一致的方式连接在结构体I上。另外,开口 4的直径和支管5的内径相同。圆板6形成为平板状，配置在支管5内部的结构体I的开口 4内。另外，圆板6被配置成一个面与结构体I的内面即开口 4是大致相同的面。圆柱7的一个端面与圆板的另一个面连接。盖部件8，在中央设有供圆柱7插入内部的开口 9。开口 9是直径形成得比圆柱7的直径大的圆孔。另外，通过将圆柱7插入在盖部件8的开口 9内，使得圆柱7的另一端面露出到外部空间。另外，盖部件8被设置成一个面将支管5的另一端堵住，盖部件8通过支管5与结构体I导通，与结构体I同样地，被设定为地电位。下面，说明动作。图1所示的GIS用断路器来开闭高压电线2。在结构体I的封闭空间3内充填着绝缘性气体，当对高压电线2施加了高电压时，在高压电线2与设定为地电位的结构体I之间，有时会产生局部放电。在产生了局部放电时，与该局部放电相应地,会产生高频率。在局部放电传感器中，在圆板6接收高频率，通过圆柱7，作为高频率信号传送到外部。在外部，利用测定器，相应于高频率信号的接收，检测出在结构体I内产生了局部放电。在此，用图2和图3所示的局部放电传感器的详细图来更详细地说明局部放电传感器的原理。由图2和图3所示的圆板6和圆柱7构成的结构是在设定为地电位的盖部件8上形成了顶端负载单极天线。顶端负载单极天线在开口 9中的圆柱7与盖部件8之间的阻抗为串联谐振时具有高性能。例如，在减小圆板6的直径而使圆板6的外周面与形成开口 4的结构体I的内面之间的距离α足够大时，若设作为检测对象的特定频率中的波长为λ，则圆板6的直径需要有约λ /2的大小。因此，设特定频率为1000MHz时，为了以1000MHz谐振，圆板6的直径需要150mm的大小。
而在加大圆板6的直径而使圆板6的外周面与形成开口 4的结构体I的内面之间的距离α小时，在圆板6与结构体I之间，产生杂散电容。结果，作为电容负载在圆板6前端的谐振器动作，所以，以圆板6的直径比λ /2小的大小产生谐振。从原理上说，使圆板6的外周面与形成开口 4的结构体I的内面之间的距离α减小而加大杂散电容，可以极度地减小圆板6的直径。反过来说，使圆板6的外周面与形成开口 4的结构体I的内面之间的距离α越小，越能降低谐振频率，因此，不必加大开口 4的直径、即支管5的内径、圆板6的直径，就可以将作为检测对象的频率波段或特定频率设定得低。图4是表示顶端负载单极天线的计算模型的剖面图，图5是表示其模拟结果的特性图。在图4和图5中示出了:在设开口 4的直径和支管5的内径为70mm、从盖部件8的一个面到结构体I内面为止的长度为30mm的情况下,如果将圆板6的直径设为50mm,则把作为检测对象的特定频率设定为1000MHz时，可得到串联谐振。因此，通过调整圆板6的外周面与形成开口 4的结构体I的内面之间的距离，即使把作为检测对象的特定频率设定为1000MHz时，也可以把圆板6的直径设定为例如50mm，从而即使是内径为70_那样的细支管5，也能把作为局部放电传感器的顶端负载单极天线设置在支管5内。另外，设置在GIS中的局部放电传感器要求具有500MHz 1500MHz的频率波段作为检测对象的频率波段。在图4所示的构造中， 由于把作为检测对象的特定频率设定为该所需频率波段的中间的1000MHz，所以，可以构成在所需频率波段的范围平均灵敏度高的局部放电传感器。如上所述，根据该实施方式1，用圆板6和圆柱7，构成了顶端负载单极天线。因此，通过调整圆板6的外周面与形成开口 4的结构体I的内面之间的距离，不必加大支管5的内径，就可设定作为检测对象的频率波段，能得到即使是直径小的支管5也能设置的局部放电传感器。另外，这时，由于支管5原先就已经设置在GIS等内，所以，不必仅为了设置局部放电传感器而设置新的设置部位，可以容易地设置局部放电传感器。另外，根据该实施方式1，由于顶端负载单极天线具有相对于圆柱7的中心轴轴对称的形状，所以，圆板6的一个面上的灵敏度没有方位方向的角度特性。因此，能在全方向以一定的灵敏度接收在圆筒状的结构体I内产生的高频率。另外，根据该实施方式1，由圆筒状的支管5、与圆板6连接的圆柱7、和圆柱7插入在开口 9内并通过支管5与结构体I导通的盖部件8，构成了同轴线路。因此，把圆板6接收的高频率通过圆柱7作为高频率信号传送到外部时，可以防止从支管5外部过来的高频率噪音的混入。另外，如上所述，支管5是原先就已经设置在GIS等内的管。其用途是如下等:.当GIS内部有湿气时，绝缘性能变差，所以，确保存放干燥剂的空间。.确保维修结构体I内部用的孔。.设置观察窗来监视内部。
.结构体I的内部产生了放电时，为了防止GIS本体在压力下发生损坏，设置被设计成在一定压力以上就会破的破裂板。根据该实施方式1，由于支管5具有局部放电传感器,所以,可以使得一根支管5在原有功能上增加该实施方式I的局部放电传感器的功能，可以使一根支管5具有多功能。这时，由于不必只是为了局部放电传感器而设置新的支管，所以，可提高支管5的设计自由度。另外，根据上述实施方式1，示出了在形成于盖部件8上的开口 9内仅插入圆柱7的构造，但是，也可以如后述实施方式5那样，在圆柱7与盖部件8的开口 9的间隙内充填树脂部件。这时，可由盖部件8来保持圆板6和圆柱7。另外，可以防止充填在结构体I内的绝缘气体泄漏到外部。另外，由于材料是电介体，所以，可以维持作为同轴线路的功能。实施方式2在该实施方式2中，通过用短杆连接圆柱7和盖部件8，可提高灵敏度，并且可防止在圆板6上产生高电压。图6是表示本发明实施方式2的局部放电传感器的详细构造的剖面图，图7是其俯视图。图中，短杆(短路板)10具有作为检测对象的频率波段所含的特定频率的1/4波长的电气长度，其一端连接在圆柱7的盖部件8的附近，另一端连接在盖部件8上。
其它的构造与图1相同。下面，说明动作。在图6和图7所示的构造中，在设定为地电位的盖部件8上，形成利用了圆板6和圆柱7的顶端负载单极天线。该顶端负载单极天线，在其周围接近地配置着支管5，且小型化，所以，在谐振频率，具有比通常的单极天线的电阻值即35Ω低的电阻。图8是表示设顶端负载单极天线的阻抗特性为Za并将其表示在史密斯圆图上的图。图8中，fL表示作为检测对象的频率波段的下限，fH表示上限。将相对于盖部件8从圆柱7侧看的短杆10的阻抗特性设为Zs，将其表示在图9中。图9中，在中心频率，具有约无限大的阻抗，在比中心频率低的频率，显示电感性，在高频率，显示电容性。在图6所示的构造中，在顶端负载单极天线的供电点附近、即盖部件8的附近连接着短杆10，所以，设盖部件8附近的圆柱7与盖部件8之间的阻抗为Zt时，Zt是下式(I)所示的、Za和Zs的并行合成。Zt=Za*Zs/ (Za + Zs) (I)图10表示并行合成后的阻抗特性Zt。图10中，Za和Zs的电抗分量有相互抵消的倾向，所以，Zt的阻抗轨迹比Za靠近中央。
因此，作为检测对象的频率波段内的平均反射特性比Za有所改善，阻抗的失配损耗降低，可以构成在作为检测对象的频率波段范围、平均灵敏度比实施方式I高的局部放电传感器。另一方面，高压电线2与圆板6之间产生了杂散电容，圆板6相对于结构体1、盖部件8绝缘时，在圆板6上感应高电压。圆板6所感应的高电压对局部放电传感器等的测定器等可能有不良影响。为了防止这一点，在高压电线2用的低频率中将圆板6和盖部件8导通即可。高压电线2用的低频率通常是50Hz或60Hz，所以，通过设置短杆10，使得圆板6和盖部件8在低频率中大致短路。因此，可以防止在圆板6上产生高电压，可防止对局部放电传感器的测定器的不良影响。因此，借助短杆10，可同时得到提高局部放电传感器的灵敏度和抑制高电压产生这样两个效果。如上所述，根据该实施方式2，具有短杆10，该短杆10具有作为检测对象的频率波段内的特定频率的1/4波长的电气长度，将圆柱7的盖部件8的附近和盖部件8连接起来。因此，可以使圆柱7与盖部件8之间的阻抗在特定频率中接近无限大，在高压电线2用的低频率中接近短路。 结果，在特定频率中，圆柱7与盖部件8之间的阻抗接近无限大，这样，顶端负载单极天线的阻抗特性和短杆10的电抗分量相互抵消，作为检测对象的频率波段中的反射特性得到改善，阻抗的失配损耗降低，可得到灵敏度高的局部放电传感器。另外，在高压电线2用的低频率中，圆柱7与盖部件8之间的阻抗接近短路，这样，可以防止在圆板6上产生高电压，可防止对测定器的不良影响。另外，在上述实施方式2中，表示了用短杆10连接的构造，但是，也可以是用短路线代替短杆10来连接的构造。S卩，具有短路线，该短路线具有作为检测对象的频率波段内的特定频率的1/4波长的电气长度，将圆柱7的盖部件8的附近和盖部件8连接起来。图9示出了相对于盖部件8从圆柱7侧看的短杆10的阻抗特性Zs，而图11表示相对于盖部件8从圆柱7侧看的短路线的阻抗特性Zs。将图9和图11比较可知，在短杆10即短路板和短路线中，阻抗特性有变化。相对地，短路线中，作为检测对象的频率波段的下限fL和上限fH有接近的倾向，而短路板中，有远离的倾向。阻抗特性Zs的下限fL和上限fH的最适当位置，根据实际构成的顶端负载单极天线的阻抗特性Za (图8)而不同，所以，必须调整阻抗特性Zs。作为调整方法之一，是通过灵活运用短路板和短路线，可得到所需的阻抗特性Zs，有效地改善反射特性。实施方式3在该实施方式3中，通过在盖部件8上设置环状的突起部件，即使支管5较长时，也能设置顶端负载单极天线。图12是表示本发明实施方式3的局部放电传感器的详细构造的剖面图。图中，突起部件11，在支管5的内部，在盖部件8的一个面上，形成为环状。
该环状突起部件11的高度β，是从盖部件8的一个面到距结构体I的内面预定长度Y的上端面之间的距离。另外，环状突起部件11的内径与盖部件8的开口 9的直径相同，开口 9 一直延伸到突起部件11的上端面。环状突起部件11的外径收容在支管5内，即，形成得比支管5的内径小。环状突起部件11被配置成支管5的内面和环状突起部件11的外面彼此相向。另外，短杆10，一端连接在圆柱7的侧面上，另一端连接在突起部件11的上端附近；而圆柱7的侧面是在距结构体I的内面预定长度Y的位置、即距圆板6的一个面预定长度Y的位置被连接的。其它的构造与图6相同。下面，说明动作。图13是表示在支管5的长度长的情况下直接采用上述实施方式I所示的发明的图。图13中，当设在结构体I上的开口 4的直径比作为检测对象的频率波段的下限频率的半波长小时，支管5的内部作为截止波导管动作，所以，封闭空间3内产生的高频率在支管5内急剧衰减。因此，即使在支管5的长度长的情况下，也与上述实施方式I及上述实施方式2同样地，必须将圆板6的一个面配 置成尽量接近结构体I的内面。另外，作为局部放电传感器动作的部分是利用圆板6和圆柱7的顶端负载单极天线，该圆板6和圆柱7形成在被设定为地电位的盖部件8上，该部分的长度中存在着用于提高局部放电传感器的灵敏度的最适当长度。上述图4中说明了:在开口 4的直径和支管5的内径是70mm、从盖部件8的一个面到结构体I内面的长度是30mm、圆板6的直径是50mm的情况下,设作为检测对象的特定频率为IOOOMz时，能提高局部放电传感器的灵敏度。图13所示的支管5，其长度比图4所示的支管5长，从盖部件8的一个面到结构体I内面的长度是100mm，所以，局部放电传感器灵敏度降低。图12所示的构造是对应于支管5的长度长的情况的构造，通过在盖部件8的一个面上设置形成为环状的突起部件11，能够将利用该圆板6和圆柱7的顶端负载单极天线的长度调整成最适当的长度，该圆板6和圆柱7形成在被设定为地电位的突起部件11上。图14示出了:相对于从盖部件8的一个面到结构体I内面为止的长度是IOOmm的构造，设置突起部件11，该突起部件11具有与图4同样地从其上端面到结构体I内面为止的长度是30mm的高度。通过这样地构成，在设作为检测对象的特定频率为IOOOMz时，能提高局部放电传感器的灵敏度。另外，短杆10，与上述实施方式2同样地，使圆柱7与突起部件11之间的阻抗，在特定频率，接近无限大，而在高压电线2用的低频率，接近短路，因此，可得到与上述实施方式2同样的效果。如上所述，根据该实施方式3，具有环状的突起部件11，该环状的突起部件11设在支管5的内部，从盖部件8的一个面一直形成到距结构体I内面预定长度的上端面，并且，与盖部件8的开口 9同直径的开口一直延伸到该上端面。
这样，即使在支管5的长度长的情况下，也能得到最适当的灵敏度。另外，根据上述实施方式3，由圆柱7和具有突起部件11的盖部件8，构成同轴线路。这样，线路长度比上述实施方式I和实施方式2所示的圆柱7及盖部件8构成的同轴线路长。因此，通过使圆柱7和具有突起部件11的盖部件8构成的同轴线路被设计成成为外部测定器的输入阻抗(通常是50 Ω )的特性阻抗，该加长了的线路长不会影响顶端负载单极天线的特性。实施方式4在该实施方式4中，通过用弹簧部件连接突起部件11的上端附近和相向的支管5的内面，防止局部放电传感器的灵敏度变差。图15是表示实施方式4的局部放电传感器的详细构造的剖面图。
图中，用弹簧部件(短路部件)12，将突起部件11的上端附近和相向的支管5的内面连接起来。其它的构造与图12相同。下面，说明动作。在上述实施方式3说明的构造中，在突起部件11的高度为λ (1/4+η/2)、(式中η是O以上的整数)的特定频率附近，局部放电传感器的灵敏度大幅度降低。其原因如下。在上述特定频率，突起部件11的上端与盖部件8之间的阻抗成为并列谐振状态，理论上是无限大。结果，突起部件11的上端与结构体I之间的电流被阻断，所以，局部放电传感器的灵敏度大幅度降低。为了防止这一点，用弹簧部件12将突起部件11的上端附近和相向的支管5的内面连接起来。结果，在上述特定频率，不产生并列谐振，突起部件11的上端与结构体I之间有电流，可防止局部放电传感器的灵敏度大幅度降低。如上所述，根据该实施方式4，由于具有将突起部件11的上端附近和相向的支管5的内面连接起来的弹簧部件12，所以，即使接收到的频率是与突起部件11的高度有关的特定频率，也能防止局部放电传感器的灵敏度大幅度降低。另外，根据上述实施方式4，具有弹簧部件12，但只要是可导通的部件，也可以是其它任意构造。实施方式5在该实施方式5中，在圆柱7与盖部件8的开口 9之间的间隙内充填树脂部件，用于保持圆板6和圆柱7，并且也防止绝缘气体的泄漏。图16是表示本发明实施方式5的局部放电传感器的详细构造的剖面图。图中，树脂部件(电介体部件)13由环氧树脂等的材料构成，充填在圆柱7和开口9的间隙内。圆柱7插入盖部件8和突起部11的开口 9内。另外，在圆柱7的插入在开口 9内部的部分，设有直径比其它部分细的细径部7a。其它的构造与图15相同。如上所述，根据该实施方式5，在插入在盖部件8和突起部件11的开口 9内的圆柱7与开口 9的间隙内，充填着树脂部件13，所以，可以用盖部件8和突起部件11物理性地保持由圆板6和圆柱7构成的顶端负载单极天线。另外，根据该实施方式5，可以用树脂部件13将圆柱7与开口 9的间隙堵住，可以防止充填在结构体I内的绝缘气体泄漏到外部。另外，根据该实施方式5，环氧树脂的树脂部件13具有相对介电常数为4左右的大值。结果，由圆柱7、树脂部件13、盖部件8和突起部11构成的同轴线路的特性阻抗，比高频率下一般用的50 Ω低。为了防止这一点，在圆柱7上，在插入开口 9的内部并充填树脂部件13的部分设置细径部7a。通过设置细径部7a，与不设置细径部7a时相比，阻抗增高，所以，可以抵消因充填树脂部件13而导致的特性阻抗降低，可以把同轴线路的特性阻抗维持在所需的值(50Ω )。实施方式6在该实施方式6中，把同轴线路连接在圆柱7上，用屏蔽罩覆盖该连接部位，防止来自外部的噪音的影响。图17是表示本发明实施方式6的局部放电传感器的详细构造的剖面图。图中，在圆柱7上，设有从树脂部件13突出的突出部7b。同轴线路14，其内导体连接在该突出部7b上，其外导体在开口 9的附近连接在盖部件8的另一个面上。另外，屏蔽罩(噪·音遮蔽部件)15连接在盖部件8的另一个面上，覆盖同轴线路14的内导体和外导体的连接部位。其它的构造与图16相同。下面，说明动作。图17中，局部放电传感器接收到的高频率信号通过同轴线路14被传送到测定器。在同轴线路14和圆柱7的突出部7b的连接部，容易接收到外部的噪音。为了防止这一点，用地电位的屏蔽罩15覆盖。结果，可以不受外部噪音的影响地把局部放电传感器接收到的高频率信号传送到测定器。如上所述，根据该实施方式6，具有同轴线路14和屏蔽罩15。同轴线路14的内导体连接在突出部7b上，且外导体在开口部9的附近连接在盖部件8的另一个面上。屏蔽罩15连接在盖部件8的另一个面上，覆盖同轴线路14的内导体和外导体的连接部位。这样，同轴线路14的连接部位可以不受外部噪音的影响地把检测到的高频率信号通过同轴线路14传送到测定器。实施方式7在该实施方式7中，将带状线路连接在圆柱7上，用屏蔽罩覆盖该连接部位，防止外部噪音的影响。图18是表示本发明实施方式7的局部放电传感器的详细构造的剖面图，图19是其仰视图。图中，用于代替同轴线路14的带状线路16，将电介体基板17与盖部件8的另一个面密接地配置，将盖部件8作为地导体，并且，将形成在电介体基板17上的带状导体18连接在圆柱7的突出部7b上。
另外，屏蔽罩(噪音遮蔽部件)15连接在盖部件8的另一个面上，覆盖带状导体16的连接部位。其它的构造与图17相同。下面，说明动作。图18和图19中，局部放电传感器接收到的高频率信号通过带状线路16传送到测定器。在带状线路16的带状导体18和圆柱7的突出部7b的连接部，容易接收到外部的噪音。为了防止这一点，用地电位的屏蔽罩15覆盖。结果，可以不受外部噪音的影响地把局部放电传感器接收到的高频率信号传送到测定器。如上所述，根据该实施方式7，具有带状线路16和屏蔽罩15。带状线路16的电介体基板17与盖部件8的另一个面密接，把盖部件8作为地导体，同时，把形成在电介体基板17上的带状导体连接在圆柱7的突出部7b上。罩部件15连接在盖部件8的另一个面上，覆盖带状导体16的连接部位。这样，带状线路16的带状导体18的连接部位可以不受外部噪音的影响地将检测到的高频率信号通过同轴线路14传送到测定器。另外，根据上述实施方式7，示出了只通过带状线路16传送到测定器的构造，但是，也可以从带状线路16的途中连接到同轴线路上、传送到测定器。
另外，在本发明的范围内，可将本发明的各实施方式自由组合，或者，可对各实施方式的任何构成要素进行变更，或者也可以在各实施方式中省略掉任何构成要素。产业上的可利用性如上所述，本发明的局部放电传感器具有圆板、圆柱和盖部件，圆板设在支管的内部且其一个面与结构体的内面成为大致同一个面，圆柱连接在圆板的另一个面上，盖部件的中央设有用于插入圆柱的开口，盖部件将支管的另一端堵住并通过支管与结构体导通，从而本发明适用于GIS等高电力设备。附图标记的说明I…结构体,2…高压电线,3…封闭空间,4、9…开口，5…支管,6…圆板,7…圆柱，7a…细径部，7b…突出部，8…盖部件，10…短杆，11…突起部件，12…弹簧部件，13…树脂部件，14...同轴线路,15...屏蔽罩，16...带状线路,17...电介体基板,18...带状导体
权利要求
1.一种局部放电传感器，其特征在于，具有: 圆筒状的结构体，构成为包围高压电线，表面被设定为地电位； 圆筒状的支管，一端连接于上述结构体； 圆板，配置在上述支管的内部，并且，一个面与上述结构体的内面成为大致同一个面； 圆柱，连接于上述圆板的另一个面；以及 盖部件，在中央设有供上述圆柱插入的开口，并且，一个面被设置成堵住上述支管的另一端，通过上述支管与上述结构体导通。
2.如权利要求1所述的局部放电传感器，其特征在于，具有短路板，该短路板具有作为检测对象的频率波段所含的特定频率的1/4波长的电气长度，并将上述圆柱的上述盖部件的附近与该盖部件加以连接。
3.如权利要求1所述的局部放电传感器，其特征在于，具有短路线，该短路线具有作为检测对象的频率波段所含的特定频率的1/4波长的电气长度，并将上述圆柱的上述盖部件的附近与该盖部件加以连接。
4.如权利要求1所述的局部放电传感器，其特征在于，上述盖部件具有环状的突起部件，该环状的突起部件设在上述支管的内部，从该盖部件的一个面形成到距上述结构体的内面预定长度的上端面，与该盖部件的开口相同直径的开口一直延伸到该上端面。
5.如权利要求4所述的局部放电传感器，其特征在于，具有将上述突起部件的上端附近和上述支管的内面加以连接的短路部件。
6.如权利要求1所述的局部放电传感器，其特征在于，具有充填在上述圆柱与上述盖部件的开口的间隙内的电介体部件。
7.如权利要求6所述的局部放电传感器，其特征在于，上述圆柱的由上述电介体部件填充的部分的内径比未由上述电介体部件充填的部分的直径小。
8.如权利要求1所述的局部放电传感器，其特征在于，具有: 同轴线路，其内导体与通过了上述盖部件的开口的上述圆柱连接，并且，其外导体与上述盖部件的另一个面连接；以及 噪音遮蔽部件，被设定为与上述盖部件的另一个面是相同的电位，覆盖上述同轴线路的内导体和外导体的连接部位。
9.如权利要求6所述的局部放电传感器，其特征在于，具有: 带状线路，其电介体基板与上述盖部件的另一个面密接地配置，将该盖部件作为地导体，并且将形成在该电介体基板上的带状导体与通过了上述盖部件的开口的上述圆柱连接；以及 噪音遮蔽部件，被设定为与上述盖部件的另一个面是相同的电位，覆盖上述带状导体的连接部位。
全文摘要
本发明获得一种局部放电传感器，由圆板(6)和圆柱(7)构成顶端负载单极天线，通过调整圆板(6)与结构体(1)的距离，可以设定作为检测对象的频率波段，即使是直径小的支管(5)，也能够进行设置。
文档编号G01R31/16GK103250064SQ20118005865
公开日2013年8月14日 申请日期2011年4月6日 优先权日2011年4月6日
发明者深泽彻, 宫下裕章, 伊藤隆史 申请人:三菱电机株式会社