一种基于硅层转移技术（solt）的高精度加速度计的加工方法

一种基于硅层转移技术（solt）的高精度加速度计的加工方法
【专利摘要】本发明公开了一种基于硅层转移技术(SOLT)的高精度加速度计的加工方法。加速度计包括自上而下依次连接的上电极板，可动硅敏感结构件，下电极板，该方法包括：采用玻璃片或单晶硅圆片为基片加工上电极板和下电极板；以单器件层SOI片为基片加工可动硅敏感结构件并与下电极板基于键合方式连接；去除SOI片的衬底层和埋氧层；在原SOI片器件层刻蚀释放可动硅敏感结构件并与上电极板基于键合方式连接。本发明通过硅器件层转移和键合方法加工出三明治结构的差动电容敏感元件，实现敏感结构件的双面加工与结构释放，克服了牺牲层释放技术的固支结构尺寸难以精确控制的缺点，降低了工艺难度和制造成本。并且，所制备的弹性梁-质量块结构具有通用性。
【专利说明】—种基于硅层转移技术(SOLT)的高精度加速度计的加工方法

【技术领域】
[0001]本发明涉及微电子机械加工领域，尤其涉及一种基于硅层转移技术的高精度加速度计的加工方法。

【背景技术】
[0002]高灵敏度低噪声微加速度计在惯性导航、地质监测、空间微重力测量等领域都有广泛的应用。MEMS加速度计由于采用了硅微机械加工技术，具有成本低、体积小、便于批量制造等优势，已经在低精度以及中等精度加速度计应用领域占据主导地位。但是随着MEMS加速度体积的缩小，在传统加速度计中并不显著的热噪声问题、应力问题、压膜阻尼问题等问题，由于尺寸效应而变得显著。
[0003]为了提高MEMS加速度计的信噪比，即提高检测灵敏度，国内外的高等院校以及公司进行了有益的探索。具体包括:通过增大敏感电容基板面积、提闻梳齿电容的深宽比等手段增大敏感电容的初始值；通过结构设计在加速度计中形成可差分变化的敏感电容对，以提高加速度计的电容敏感度，并抑制共模噪声；以及，采用真空封装调节压膜阻尼并降低MEMS加速度计的热噪声。
[0004]1992年，Eric Peeters等人研制出第一种全对称差分电容式微加速度计。此MEMS加速度计具有较大的初始电容并可实现差分检测，其特点在于第一次采用梁结构从上下两侧悬挂质量块的方式，成功的抑制了交叉轴灵敏度，使得加速度计单轴灵敏度提高，从而降低稱合噪声，提高检测精度。然而在加工工艺方面，Eric Peeters等采用普通单晶娃圆片，通过浓硼扩散自停止腐蚀控制梁结构的厚度，从而引入了较大的应力，造成加速度计的温度特性等性能下降；此外，此加速度计的加工工艺中有脆弱硅片的键合操作，从而影响了此加速度计的成品率。
[0005]2000年，美国密歇根大学的Najafi研究组采用单片单晶硅圆片制成了全硅高精度电容加速度计，这种加速度计同样采用了双层梁结构，具有全对称结构，实现了微g量级的加速度检测，但是此加速度计采用浓硼扩散自停止腐蚀工艺制作梁结构，从而引入了较大的应力；并且此加速度计结构脆弱，难于实现划片封装，实用性较差。
[0006]2007年，佐治亚理工大学Reza等人采用SOI单晶硅圆片制成了一种梳齿结构差分电容式加速度计。此加速度计采用器件层深刻蚀结合多晶硅沟槽回填技术形成并缩小梳齿间电容间隙从而提高初始电容值，并利用SOI片的衬底(handle layer)形成附加质量块，以提高加速度计的敏感度。但是此结构中附加质量块仅分布于梳齿结构的一侧，因此梁一质量块结构的重心和和梁的支撑力作用中心不重合，因此，加速度计非敏感轴向的加速度对敏感轴向偶合严重。
[0007]美国1/0 Sensors 公司申请的系列专利 U.S.Pat.N0.5484073 ；U.S.Pat.N0.5652384 ；U.S.Pat.N0.5852242 ；U.S.Pat.N0.是高精度微机械加速度计的成功方案，但是此方案采用深腐蚀后的两片SOI片进行硅一硅键合，存在键合风险高，键合成功率较低的问题，以及加工过程中片间的工艺结果不均匀性导致的敏感结构对称性降低的问题，此外，此方案较难实现非敏感轴向的有效过载保护。


【发明内容】

[0008]本发明的目的在于，提供一种基于硅层转移技术(SOLT)的高精度加速度计的加工方法，以至少解决上述技术问题之一。
[0009]本发明提供了一种基于硅层转移技术的高精度加速度计的加工方法，所述加速度计包括至上而下连接的上电极板，弹性梁-质量块结构的可动硅结构组件，下电极板。所述方法包括如下步骤:电极板加工步骤，采用玻璃片或单晶硅圆片作为基片，加工所述上电极板和下电极板；硅器件层转移步骤:以单器件层SOI单晶硅圆片作为基片，在器件层加工表面电极和电容间隙；所述SOI单晶硅圆片与所述下电极板基于键合方式连接；去除SOI单晶硅圆片的衬底层和埋氧层；可动硅敏感结构件加工步骤:在原SOI单晶硅圆片器件层背面加工表面电极和电容间隙；刻蚀形成所述弹性梁-质量块结构的可动硅结构组件；键合步骤:将所述与可动硅结构组件键合的下电极板与所述上电极板基于键合方式连接。
[0010]上述加速度计的加工方法，优选所述硅器件层转移步骤包括:器件层表面掺杂步骤:在器件层表面掺杂并激活，掺杂类型与在所述SOI单晶硅圆片器件层掺杂类型相同；初始电容间距及键合区域获取步骤，在所述单器件层SOI单晶硅圆片的器件层抛光面上用硅腐蚀剂腐蚀出凹槽，得到敏感电容的初始电容间距并同时得到键合区域；金属层生长步骤:在器件层表面掺杂，掺杂类型与在所述SOI单晶硅圆片器件层掺杂类型相同；在掺杂后的器件层生长金属，并光刻图形化形成电极图形；金属层图形化步骤:图形化所述金属层，形成电极图形。；器件层转移步骤:将所述形成电极图形的SOI单晶硅圆片与上电极板以键合方式连接；去除衬底步骤:从背面腐蚀所述已与上电极板连接的SOI单晶硅圆片，去除衬底层；
[0011]上述加速度计的加工方法的硅器件层转移步骤，优选初始电容间距及键合区域获取步骤中，所述硅腐蚀剂为四甲基氢氧化铵溶液。
[0012]上述加速度计的加工方法的硅器件层转移步骤，优选金属层生长步骤中，所述金属层成分为铬层与金层，生长方法为溅射；
[0013]上述加速度计的加工方法的硅器件层转移步骤，优选金属层图形化步骤中，所述金属层图形化方法为剥离工艺。
[0014]上述加速度计的加工方法，优选所述可动硅敏感结构件加工步骤包括:背面电容间距及键合区域获取步骤:在所述SOI单晶硅圆片器件层背面腐蚀出凹槽，得到敏感电容的初始电容间距并同时得到键合区域；可动电极金属层生长步骤:在器件层表面生长金属层；金属层图形化步骤:图形化所述金属层，形成电极图形；弹性梁-质量块结构释放步骤:从所述SOI单晶硅圆片器件层背面进行垂直深刻蚀，穿通器件层，得到弹性梁与质量块；释放弹性梁-质量块结构，得到所述所述弹性梁-质量块结构的可动硅结构组件；
[0015]上述加速度计的加工方法的可动硅敏感结构件加工步骤，优选初始电容间距及键合区域获取步骤中，所述硅腐蚀剂为四甲基氢氧化铵溶液。
[0016]上述加速度计的加工方法的可动硅敏感结构件加工步骤，优选金属层生长步骤中，所述金属层成分为铬层与金层，生长方法为溅射；
[0017]上述加速度计的加工方法的可动娃敏感结构件加工步骤,优选金属层图形化步骤中，所述金属层图形化方法为剥离工艺。
[0018]上述加速度计的加工方法，优选所述垂直深刻蚀步骤中，所述垂直深刻蚀为电感耦合等离子体刻蚀。
[0019]上述加速度计的加工方法，优选当采用玻璃片作为基片时，所述上，下电极板与所述可动硅结构组件基于阳极键合方式连接；所述电极板加工步骤包括:金属层生长步骤，形成金属层；金属层图形化步骤:光刻并图形化所述金属层，形成所述电极板的检测-驱动电极，电信号引出线，垂直深刻蚀保护电极以及压焊电极。
[0020]上述加速度计的加工方法的电极板加工步骤，优选金属层生长步骤中，所述金属层成分为铬层与金层，生长方法为溅射；
[0021]上述加速度计的加工方法的电极板加工步骤，优选金属层图形化步骤中，所述金属层图形化方法为腐蚀工艺。
[0022]上述加速度计的加工方法，优选当采用单晶硅圆片作为基片时，所述上下电极板与所述可动硅结构组件基于硅-硅键合方式连接；所述电极板加工步骤包括:热氧化生长步骤，通过热氧化在单晶硅基片上形成氧化绝缘层；金属层生长步骤，在单晶硅圆片上形成金属层；金属层图形化步骤:光刻并图形化所述金属层，形成所述电极板的检测-驱动电极，电信号引出线，垂直深刻蚀保护电极以及压焊电极。氧化绝缘层图形化步骤，光刻并图形化所述氧化绝缘层，形成键合用硅表面。
[0023]上述加速度计的加工方法的电极板加工步骤，优选金属层生长步骤中，所述金属层成分为铬层与金层，生长方法为溅射；
[0024]上述加速度计的加工方法的电极板加工步骤，优选金属层图形化步骤中，所述金属层图形化方法为腐蚀工艺。
[0025]相对于现有技术中，本发明具有如下优点:
[0026]第一，本发明采用单器件层SOI单晶硅圆片通过硅器件层转移方法制备可动硅敏感结构件。该方法克服了采用牺牲层释放技术带来的固支结构尺寸难以精确控制的缺点，实现了敏感结构的精密控制。相对于通常采用的浓硼扩散自停止腐蚀制备梁结构的方法，该方法能够在不引入应力的前提下，得到厚度精确的梁结构，提高了弹性梁-质量块结构的可动硅结构组件的对称性。
[0027]第二，本发明采用一片单器件层SOI单晶硅圆片完成可动硅结构组件的加工，避免了采用的高温硅-硅键合工艺制备可动硅敏感结构件，降低了工艺难度，降低了最高工艺温度，消除了硅-硅键合引入的键合应力问题。与采用双器件层SOI单晶硅圆片工艺相t匕，具有节省成本，降低工艺难度的特点。
[0028]第三，本发明中弹性梁-质量块结构可动硅敏感结构件具有通用性，既可采用玻璃电极盖板，也可采用单晶硅电极盖板。

【专利附图】

【附图说明】
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[0029]【专利附图】

【附图说明】
[0030]图1为本发明所加工的具有对称结构的基于硅层转移技术的高精度加速度计的结构示意图；
[0031]图2为本发明所加工的具有对称结构的基于硅层转移技术的高精度加速度计中，梁?质量块结构的可动硅敏感结构件结构示意图；
[0032]图3A为本发明所述一种具有对称结构的基于硅层转移技术的高精度加速度计的梁一质量块结构可动硅敏感结构件加工基片，该加工基片为单器件层SOI单晶硅圆片；
[0033]图3B为图3A中所述单器件层SOI单晶硅圆片的A-A向剖面视图；
[0034]图4为本发明所加工的具有对称结构的基于硅层转移技术的高精度加速度计的加工方法的步骤流程图；
[0035]图5(a)?图5(1)为本发明中，梁一质量块结构的可动硅敏感结构件主要制备过程不意图；
[0036]图6所示为本发明所加工的玻璃上电极板10Ga ；
[0037]图7(a)?图7(c)为图6所示的玻璃电极板的主要制备过程；
[0038]图7(d)为玻璃电极盖板制备的器件成品剖面示意图
[0039]图8所示为本发明所加工的单晶硅上电极板200Ga ；
[0040]图9(a)?图9(d)为单晶硅电极板的主要制备过程示意图。
[0041]图9(e)单晶硅电极盖板制备的器件成品剖面示意图【具体实施方式】:
[0042]为使本发明的上述目的，特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图及【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明。
[0043]如图1?3B为一种基于硅层转移技术的具有高精度加速度计的结构图，以及本发明所述加速度计的可动硅敏感结构件(弹性梁-质量块结构)的制备方法。图1所示为本发明所述加速度计(玻璃电极板方案)的结构示意图。如图1所示，加速度计100具有一个玻璃上电极盖板10Ga, —个玻璃下电极盖板10Gb, —个可动娃结构组件100S。
[0044]图2所示为可动硅敏感结构件100S的结构示意图，其中5为单晶硅框架，6为体硅电信号引出电极，7为单晶娃配重质量块,8a, 8b, 8c, 8d为弹性支撑梁。
[0045]图3A为加工可动硅敏感结构件100S的加工基片单器件层SOI单晶硅圆片的三维视图，图3B为图3A其剖面视图，如图3B所示单器件层单晶硅圆片具有3层结构，此种SOI片具有一个单晶硅衬片4，单晶硅衬片4的正面有二氧化硅绝缘层3，在二氧化硅绝缘层3上有单晶硅层器件层2。
[0046]图4为本发明一种基于硅层转移技术的高精度加速度计的加工方法的步骤流程图，其中，所述加速度计包括自上而下依次连接的上电极板，弹性梁-质量块结构的可动硅结构组件，下电极板，所述方法包括:电极板加工步骤410，采用玻璃片或单晶硅圆片为基片，加工所述上电极板和下电极板；硅器件层转移步骤420:以单器件层SOI片作为基片，力口工所述包含弹性梁、质量块结构的可动硅敏感结构件，将玻璃片或单晶硅圆片作为基片的下电极板与所述加工有可动硅敏感结构件的基片基于键合方式连接，去除SOI单晶硅圆片的衬底层和埋氧层；可动硅敏感结构件加工步骤430，在原SOI单晶硅圆片器件层背面加工表面电极和电容间隙；刻蚀形成所述弹性梁-质量块结构的可动硅敏感结构件，释放可动硅敏感结构件完成可动硅敏感结构件加工；连接步骤440，将玻璃片或单晶硅圆片作为基片的上电极板与所述可动硅结构组件基于键合方式连接。
[0047]图5为本发明所述一种基于硅层转移技术的高精度加速度计的弹性梁-质量块结构可动硅结构组件10S的主要制备过程。
[0048]梁一质量块结构可动硅结构组件100S采用在单器件层SOI单晶硅圆片作为梁一质量块结构加工基片。在加工过程中，采用单晶硅各向异性腐蚀在单器件层SOI单晶硅圆片的正面得到电容间隙；溅射剥离工艺制备金属引出电极；将玻璃片作为基片的上电极板与所述加工有电容间隙和金属引出电极的SOI单晶硅圆片基于阳极键合方式连接；或者，将单晶硅圆片作为基片加工的下电极板与与所述加工有电容间隙和金属引出电极的SOI单晶硅圆片基于硅-硅键合方式连接；将键合后的SOI单晶硅圆片的单晶硅衬底层4和二氧化硅绝缘层3以湿法腐蚀方式去除；采用单晶硅各向异性腐蚀在SOI单晶硅圆片器件层的背面得到电容间隙；溅射剥离工艺制备金属引出电极；从背面对所述器件层进行器件层的垂直深刻蚀穿通，释放弹性梁-质量块结构，同时得到弹性支撑梁。
[0049]下面结合图5(a)至图5(1)具体进行说明。
[0050]图5 (a)所示为制备100S的基片单器件层SOI单晶硅圆片I ;单器件层SOI单晶硅圆片I经过热氧化生长得到二氧化硅层，并经过光刻、刻蚀(腐蚀)工艺进行图形化后，在单器件层SOI单晶硅圆片的正面得到如图5(b)所示二氧化硅掩模50。以如图5(b)所示50为腐蚀掩模在TMAH溶液中进行硅腐蚀，得到本专利所述电容加速度计的初始电容间隙51。
[0051]在得到51以后，去除二氧化硅腐蚀掩模50。在基片上旋涂光刻胶并光刻，形成光刻胶层。在基片的正面溅射金属层形成引出体硅电信号引出电极金属层，一般采用铬(Cr)和金(Au)两种金属依次溅射形成。经过剥离工艺图形化金属层如图5(c)所示得到引出电极52，并去除光刻胶层。
[0052]如图5(d)所示将玻璃片作为基片的上电极板10Ga与所述加工有电容间隙和体硅电信号引出电极的SOI单晶硅圆片基于阳极键合方式连接；或者，将单晶硅圆片作为基片加工的上电极板200Ga与与所述加工有电容间隙和金属引出电极的SOI单晶硅圆片基于硅-硅键合方式连接。
[0053]如图5(e)所示，通过KOH各项异性腐蚀方式，去除前述键合后单晶硅圆片的单晶硅衬底层4;通过光刻、刻蚀(腐蚀)工艺进行图形化在二氧化硅绝缘层3上得到如图5(f)所示二氧化硅掩模53。以如图5(g)所示53为腐蚀掩模在TMAH溶液中进行硅腐蚀，得到本专利所述电容加速度计的初始电容间隙54。
[0054]如图5 (h)所示在得到54以后，去除二氧化硅腐蚀掩模53。在基片上旋涂光刻胶并光刻，形成光刻胶层。在基片的正面派射金属层形成引出体娃电信号引出电极金属层，一般采用铬(Cr)和金(Au)两种金属依次溅射形成。经过剥离工艺图形化金属层如图5(i)所示，得到引出电极55，并去除光刻胶层。
[0055]如图5(j)所示，在基片的正面旋涂光刻胶层；光刻形成垂直深刻蚀掩模56 ;以如图5(k)所示56为垂直深刻蚀掩模在电感耦合等离子体刻蚀中刻蚀穿通，即得到可动的质量块101和多根单晶硅支撑梁8 (a-d)。如图5(1)所示去除光刻胶层56。
[0056]参照图6，图6为玻璃电极板10Ga的结构示意图。其中，30为基板，31为金属驱动电极，32为垂直深刻蚀保护电极，33为电极引线，34为压焊电极。
[0057]图7(a)?(C)为制备玻璃电极板10Ga(10Gb)的主要工艺步骤。图7(a)所示为制备玻璃电极板的基材，抛光玻璃片。其特点在于，此玻璃片的热膨胀曲线和单晶硅的热膨胀曲线接近，以降低键合应力对器件造成的不良影响。
[0058]如图7(b)所示，溅射金属层71覆盖玻璃基片正面，金属层71-般采用铬(Cr)和金(Au)两种金属依次溅射形成；如图7(c)所示，通过光刻和金属腐蚀工艺图形化金属层71，形成金属驱动电极31，垂直深刻蚀保护电极32，电极引线33，压焊电极34等金属图形。
[0059]如图7(d)所示梁一质量块结构的可动硅结构组件、玻璃上电极板10Ga和玻璃下电极板10Gb依次通过阳极键合方式相连接形成加速度计。
[0060]图8所示为左图为单晶硅电极板200Ga的正面和右图为单晶硅电极板200Ga的背面。其中，40为单晶硅基板，41为单晶硅盖板金属驱动电极，42为垂直深刻蚀保护电极，43为电极引线，44为单晶硅盖板压焊电极，45为绝缘氧化层，46为硅键合区域。
[0061]图9 (a)?(d)为制备单晶硅电极板200Ga (200Gb)的主要工艺步骤。图9 (a)所示为制备单晶硅电极盖板的基材，抛光高阻单晶硅圆片40，并带有绝缘氧化层45。如图9(b)所示，溅射金属层91覆盖玻璃基片正面，金属层91-般采用铬(Cr)和金(Au)两种金属依次溅射形成；如图9(c)所示，通过光刻和金属腐蚀工艺图形化金属层92，形成金属驱动电极41，垂直深刻蚀保护电极42，电极引线43，压焊电极44等金属图形。如图9(d)所示通过光刻和金属腐蚀工艺图形化绝缘氧化层45，形成硅键合区域46。
[0062]如图9 (e)所示梁一质量块结构可动硅结构组件、单晶硅上电极板200Ga和单晶硅下电极板200Gb依次通过低温娃一娃键合技术形成加速度计。
[0063]以上对本发明所提供的一种基于硅层转移技术的高精度加速度计的加工方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
【权利要求】
1.一种基于硅层转移技术(SOLT)的高精度加速度计的加工方法，加速度计包括自上而下依次连接的上电极板，弹性梁-质量块结构的可动硅敏感结构件，下电极板，其特征在于，所述方法包括以下步骤: 电极板加工步骤:采用玻璃片或单晶硅圆片作为基片，加工所述上电极板和下电极板； 硅器件层转移步骤:以单器件层SOI单晶硅圆片作为基片，在器件层加工表面电极和电容间隙；所述SOI单晶硅圆片与所述下电极板基于键合方式连接；去除SOI单晶硅圆片的衬底层和埋氧层； 可动硅敏感结构件加工步骤:在原SOI单晶硅圆片器件层背面加工表面电极和电容间隙；刻蚀形成所述弹性梁-质量块结构的可动硅敏感结构件； 键合步骤:将所述与可动硅结构组件键合的下电极板与所述上电极板基于键合方式连接。
2.根据权利要求1所述的加速度计的加工方法，其特征在于，当采用玻璃片作为基片时，所述上下电极板与所述可动硅敏感结构件基于阳极键合方式连接；所述电极板加工步骤包括: 金属层生长步骤，在玻璃基片上形成金属层； 金属层图形化步骤，图 形化所述金属层，形成所述电极板的检测-驱动电极，电信号引出线以及压焊电极。
3.根据权利要求1所述的加速度计的加工方法，其特征在于，当采用单晶硅基片作为基片时，所述上下电极板与所述可动硅敏感结构件基于硅-硅键合方式连接；所述电极板加工步骤包括: 热氧化生长步骤，通过热氧化在单晶硅基片上形成氧化绝缘层； 金属层生长步骤，在所述氧化绝缘层上形成金属层； 金属层图形化步骤，图形化所述金属层，形成所述电极板的检测-驱动电极，电信号引出线以及压焊电极； 氧化绝缘层图形化步骤，腐蚀所述氧化绝缘层，形成键合用裸露硅表面。
4.根据权利要求1所述的加速度计的加工方法，其特征在于，所述硅器件层转移步骤:步骤包括: 器件层表面掺杂步骤:在器件层表面掺杂，掺杂类型与在所述SOI单晶硅圆片器件层掺杂类型相同； 初始电容间距及键合区域获取步骤:在所述SOI单晶硅圆片器件层抛光面上腐蚀出凹槽，得到敏感电容的初始电容间距并同时得到键合区域； 金属层生长步骤:在器件层表面掺杂，掺杂类型与在所述SOI单晶硅圆片器件层掺杂类型相同；在掺杂后的器件层生长金属，并光刻图形化形成电极图形； 金属层图形化步骤:图形化所述金属层，形成电极图形； 器件层转移步骤:将所述形成电极图形的SOI单晶硅圆片与上电极板以键合方式连接; 去除衬底步骤:从背面腐蚀所述已与上电极板连接的SOI单晶硅圆片，去除衬底层。
5.根据权利要求1所述的加速度计的加工方法，其特征在于，所述可动硅敏感结构件加工步骤包括: 背面电容间距及键合区域获取步骤:在所述SOI单晶硅圆片器件层背面腐蚀出凹槽，得到敏感电容的初始电容间距并同时得到键合区域； 可动电极金属层生长步骤:在器件层表面生长金属层； 金属层图形化步骤:图形化所述金属层，形成电极图形； 弹性梁-质量块结构释放步骤:从所述SOI单晶硅圆片器件层背面进行垂直深刻蚀，穿通器件层，释放弹性梁-质量块结构，得到所述所述弹性梁-质量块结构的可动硅结构组件。
6.根据权利要求5中所述的加速度计的加工方法，其特征在于，所述弹性梁-质量块结构释放步骤中，所述垂直深刻蚀为电感耦合等离子体刻蚀。
7.根据权利要求1所述的加速度计的加工方法，其特征在于，所述键合步骤包括: 键合步骤:将所 述带有可动硅结构组件的上电极板与所述下电极板基于键合方式连接。
【文档编号】G01P15/00GK104045049SQ201210164290
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2013年3月12日 优先权日:2013年3月12日
【发明者】张扬熙, 高成臣, 郝一龙 申请人:北京大学