技术总结
一种成像系统（100）包括辐射源（110）和辐射敏感探测器阵列（116），所述辐射敏感探测器阵列包括闪烁体阵列（118）和被光学耦合到所述闪烁体阵列的光传感器阵列（120），其中，所述闪烁体阵列包括Gd2O2S：Pr，Tb，Ce。一种方法，包括利用成像系统（100）的辐射敏感探测器阵列（116）探测辐射，其中，所述辐射敏感探测器阵列包括基于Gd2O2S：Pr，Tb，Ce的闪烁体阵列（118）。一种辐射敏感探测器阵列（116）包括闪烁体阵列（118）和被光学耦合到所述闪烁体阵列的光传感器阵列（120），其中，所述闪烁体阵列包括Gd2O2S：Pr，Tb，Ce，并且Gd2O2S：Pr，Tb，Ce中Tb3+的量等于或小于200摩尔百万分率。
技术研发人员：C·R·龙达;N·康拉茨;H·奥兰德;H·施赖讷马赫尔
受保护的技术使用者：皇家飞利浦有限公司
文档号码：201280037639
技术研发日：2012.07.03
技术公布日：2017.04.26