一种检测8英寸抛光片痕量元素的检测方法
【专利摘要】本发明创造提供一种检测8英寸抛光片痕量元素的检测方法，该检测方法首先通过化学机械抛光的方法制备8英寸抛光片；然后通过X荧光光谱仪检测硅抛光片中的痕量元素并进行数据分析；最终得出各痕量元素的种类和含量。本发明创造具有的优点和积极效果是：采用半导体制造技术企业常用设备全反射X荧光光谱仪对8英寸抛光片痕量元素，不需要复杂的样品前期处理过程，测定步骤简单，高效快速，检测结果准确度高，有着广阔的应用前景。
【专利说明】一种检测8英寸抛光片痕量元素的检测方法
【技术领域】
[0001]本发明创造属于半导体制造【技术领域】，尤其是涉及一种检测8英寸抛光片痕量元素的检测方法。
【背景技术】
[0002]伴随着半导体技术的发展，电子器件正朝着高速度化，高集成度，高密度，高性能的方向发展。由于作为衬底的硅材料的直径逐渐增大、超大规模集成电路的特征尺寸逐渐降低以及集成度逐渐提高等因素，对于硅片质量的要求越来越高。
[0003]众所周知，一些痕量元素对半导体的影响很大，例如一些深能级的金属杂质，这些杂质可能很快在硅中扩散，并起到复合中心的作用，严重影响少子寿命；这些杂质也可能本身产生缺陷，并易于缺陷络合，影响材料和器件的性能。因此，掌握一种能够快速准确的检测8英寸抛光片中的痕量元素的检测方法，对于提高硅抛光片的质量，有着非常重要的作用。
【发明内容】
[0004]本发明创造要解决的问题是提供一种应用全反射X荧光光谱仪检测8英寸抛光片痕量元素的检测方法。
[0005]为解决上述技术问题，本发明创造采用的技术方案是:1、一种检测8英寸抛光片痕量元素的检测方法，所述检测方法包括如下步骤:
[0006]步骤一:在抛光设备中对8英寸硅片依次进行边缘抛光、粗抛光、精抛光工序，制备8英寸硅抛光片；
[0007]步骤二:将8英寸硅抛光片放置于全反射X荧光光谱仪中；
[0008]步骤三:在8英寸硅抛光片上随机选取若干测试点；
[0009]步骤四:通过全反射X荧光光谱仪依次检测8英寸硅抛光片上各测试点各痕量元素的荧光强度值。
[0010]优选地，所述测试点数量不小于5个。
[0011 ] 优选地，所述测试点的选取方法为随机选取。
[0012]优选地，所述测试点的选取方法为，首先在8英寸硅抛光片边缘上均匀选取若干测试点，再在8英寸硅抛光片上均匀选取若干测试点。
[0013]优选地，单个所述测试点的测试时间20?30min。
[0014]本发明创造具有的优点和积极效果是:采用半导体制造技术企业常用设备全反射X荧光光谱仪对8英寸抛光片痕量元素，检测方法简单，同时全反射X荧光光谱仪的检测速度非常快，缩短了检测时间，采用该方法检测能够精确检测痕量元素的种类及含量，同时检测时间短，检测成本低，提高了检测效率。
【具体实施方式】
[0015]一种检测8英寸抛光片痕量元素的检测方法，所述检测方法包括如下步骤:步骤一:在抛光设备中进行8英寸硅抛光片的制备；步骤二:将8英寸硅抛光片放置于全反射X荧光光谱仪中；步骤三:在8英寸硅抛光片上确定测试点，所述测试点数量不小于5个，单个所述测试点的测试时间20?30min ;步骤四:通过全反射X荧光光谱仪依次检测各测试点痕量元素的种类及含量。
[0016]X射线荧光光谱仪的原理是:X射线照到样品上激发样品中的原子，使原子激发出具有特征能量和波长的二次射线，然后收集和分析这些二次射线的能量和强度，可以确定样品中各种元素的种类和含量。不同元素激发出的二次射线的能量和波长不同，可据此来分析二次射线为何种元素发出的，进行元素种类的定性分析。同时，二次射线的强度跟某一元素在样品中的含量有关，因此，通过强度的测量可进行某种元素的定量分析。
[0017]实施例:
[0018]步骤一:采用不二越公司生产的抛光机制备8英寸硅抛光片样品，待用；步骤二:将8英寸硅抛光片样品放入全反射X荧光光谱仪中；步骤三:采用随机选点法选择至少5个测试点；步骤四:通过全反射X荧光光谱仪依次检测8英寸硅抛光片上各测试点各痕量元素的荧光强度值，单个测试点时间为20至30分钟。
[0019]全反射X荧光光谱分析仪利用全反射技术，使样品荧光的杂散本底比X射线荧光光谱仪降低了约4个量级，从而大大增强了能量分辨率和检测的灵敏度和精确度，同时，全反射X荧光光谱仪是半导体制造技术中常用到的检测仪器，一般的半导体制造技术公司都配备有此设备，因此，用全反射X荧光光谱分析仪检测8英寸硅抛光片中的痕量元素，检测时间短，检测成本低，提高了检测效率。
[0020]以上对本发明创造的一个实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本发明创造的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明创造的实施范围。凡依本发明创造申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本发明创造的专利涵盖范围之内。
【权利要求】
1.一种检测8英寸抛光片痕量元素的检测方法，其特征在于:所述检测方法包括如下步骤: 步骤一:在抛光设备中对8英寸硅片依次进行边缘抛光、粗抛光、精抛光工序，制备8英寸娃抛光片； 步骤二:将8英寸硅抛光片放置于全反射X荧光光谱仪中； 步骤三:在8英寸硅抛光片上选取若干测试点； 步骤四:通过全反射X荧光光谱仪依次检测8英寸硅抛光片上各测试点各痕量元素的荧光强度值。
2.根据权利要求1所述的一种检测8英寸抛光片痕量元素的检测方法，其特征在于:所述测试点数量不小于5个。
3.根据权利要求2所述的一种检测8英寸抛光片痕量元素的检测方法，其特征在于:所述测试点的选取方法为随机选取。
4.根据权利要求2所述的一种检测8英寸抛光片痕量元素的检测方法，其特征在于:所述测试点的选取方法为，首先在8英寸硅抛光片边缘上均匀选取若干测试点，再在8英寸娃抛光片上均勻选取若干测试点。
5.根据权利要求1所述的一种检测8英寸抛光片痕量元素的检测方法，其特征在于:单个所述测试点的测试时间20?30min。
【文档编号】G01N23/223GK104390993SQ201410659999
【公开日】2015年3月4日 申请日期:2014年11月18日 优先权日:2014年11月18日
【发明者】王丹, 王广勇, 李诺, 尼志超, 张晋会 申请人:天津中环领先材料技术有限公司