一种验证C波段GaN微波功率器件用测试板性能的装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种验证C波段GaN微波功率器件用测试板性能的装置，其特征是，包括散热底座、测试板和测试器件；所述测试板焊接在散热底座上；所述测试板的输入端和输出端均采用焊接方式，并采用螺丝钉固定接地；所述测试板上焊接有无源元器件。本实用新型所达到的有益效果：散热底座采用铜底座可以增强电特性和散热特性。测试板和散热底座采用焊接的方式连接，有利于C波段频率下的接地性能。测试器件采用RF2417SPC-E封装,该器件的封装形式和C波段GaN微波功率器件采用了同一种封装形式，从而可以尽量的减小因为封装不同而在匹配上带来的误差。整个装置结构简单，且尽量避免了一切外界因素的干扰，提高了检测的准确度，且成本低，操作起来简易。
【专利说明】一种验证c波段GaN微波功率器件用测试板性能的装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种验证C波段GaN微波功率器件用测试板性能的装置，属于微波功率器件检测【技术领域】。
【背景技术】
[0002]测试板是对C波段微波功率器件性能评价的一种测试手段。但是，在检测过程中，如果测试板本身性能偏差，会造成对微波功率器件性能评估的偏差，这样不仅无法体现出真实的微波功率器件性能，也很有可能使得本身很有发展前景的微波功率器件因为测试结果不良而被埋没掉，极大地阻碍了这一领域的发展。
实用新型内容
[0003]为解决现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种可以准确的验证C波段GaN微波功率器件用测试板性能的装置。
[0004]为了实现上述目标，本实用新型采用如下的技术方案:
[0005]一种验证C波段GaN微波功率器件用测试板性能的装置，其特征是，包括散热底座、测试板和封装器件；所述测试板焊接在散热底座上；所述测试板的输入端和输出端均采用焊接方式，并采用螺丝钉固定接地；所述测试板上焊接有无源元器件；所述无源元器件包括输入射频接口、输出射频接口、耦合电容、电阻和滤波电容。
[0006]前述的一种验证C波段GaN微波功率器件用测试板性能的装置，其特征是，所述散热底座采用铜底座。
[0007]前述的一种验证C波段GaN微波功率器件用测试板性能的装置，其特征是，所述封装器件内设置有50欧姆微带线，其微带线采用介电常数为9.9的氧化铝陶瓷基板。
[0008]前述的一种验证C波段GaN微波功率器件用测试板性能的装置，其特征是，所述微带线采用共晶的方式焊接在封装器件上。
[0009]本实用新型所达到的有益效果:散热底座采用铜底座可以增强电特性和散热特性。测试板和散热底座采用焊接的方式连接，有利于C波段频率下的接地性能。封装器件采用RF2417SPC-E封装，该器件的封装形式和C波段GaN微波功率器件采用了同一种封装形式，从而可以尽量的减小因为封装不同而在匹配上带来的误差。整个装置结构简单，且尽量避免了一切外界因素的干扰，提高了检测试的准确度，且成本低，操作起来简易。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1是本装置的结构示意图；
[0011]图2是图1的背面结构示意图。
[0012]图中附图标记的含义:
[0013]1-散热底座，2-输入端测试板，3-输出端测试板，4-输入端SMA接头，5_输出端SMA接头，6、7-耦合电容，8、9-滤波电容，10-电阻，11 -螺钉，12-测试器件，121 -为50欧姆微带线。
【具体实施方式】
[0014]下面结合附图对本实用新型作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案，而不能以此来限制本实用新型的保护范围。
[0015]本实用新型设计的验证C波段GaN微波功率器件用测试板性能的装置，包括散热底座、测试板和封装器件。封装器件内设置有50欧姆微带线，其微带线采用介电常数为9.9的氧化铝陶瓷基板。微带线采用共晶的方式焊接在封装器件上。
[0016]封装器件采用RF2417SPC-E封装，其封装形式和C波段GaN微波功率器件采用了同一种封装形式，从而可以尽量的减小因为封装不同而在匹配上带来的误差，器件的外尺寸为 17.4mm*24mmο
[0017]散热底座采用铜底座，采用铜的原因是铜的电特性和散热特性比较好，减少因为底座散热导电不良而导致的测试误差。
[0018]测试板和散热底座采用焊接的方式连接，有利于C波段频率下的接地性能。
[0019]测试板焊接上无源元器件，包括输入射频接口、输出射频接口、耦合电容、电阻、滤波电容等。
[0020]在检测本装置在C波段时测试板的损耗来分析本装置的性能，按如下步骤进行:
[0021](1)使用矢量网络分析仪测试该测试板装置损耗为S21';
[0022](2)已知内带50欧姆微带线的测试器件的损耗为S21"；
[0023](3)输入输出测试板的损耗为S21 = S2P -S21"。
[0024]输入输出测试板的损耗S21越小说明本装置的性能越好。
[0025]整个装置结构简单，且尽量避免了一切外界因素的干扰，提高了检测试的准确度，且成本低，操作起来简易。
[0026]以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本实用新型的保护范围。
【权利要求】
1.一种验证C波段GaN微波功率器件用测试板性能的装置，其特征是，包括散热底座、测试板和封装器件；所述测试板焊接在散热底座上；所述测试板的输入端和输出端均采用焊接方式，并采用螺丝钉固定接地；所述测试板上焊接有无源元器件；所述无源元器件包括输入射频接口、输出射频接口、耦合电容、电阻和滤波电容。
2.根据权利要求1所述的一种验证C波段GaN微波功率器件用测试板性能的装置，其特征是，所述散热底座采用铜底座。
3.根据权利要求1所述的一种验证C波段GaN微波功率器件用测试板性能的装置，其特征是，所述封装器件内设置有50欧姆微带线，其微带线采用介电常数为9.9的氧化铝陶瓷基板。
4.根据权利要求3所述的一种验证C波段GaN微波功率器件用测试板性能的装置，其特征是，所述微带线采用共晶的方式焊接在封装器件上。
【文档编号】G01R31/00GK204228852SQ201420663313
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年11月7日 优先权日:2014年11月7日
【发明者】沈美根, 陈强, 郑立荣, 关晓龙, 闫峰, 李贺 申请人:江苏博普电子科技有限责任公司