基于P基层盖帽的霍尔基片及霍尔集成传感器芯片的制作方法

本发明属于半导体工艺领域，尤其涉及基于P基层盖帽的霍尔基片及霍尔集成传感器芯片。

背景技术：

理论上，霍尔基片的输入电阻越大越好，这样可以提高基片的灵敏度，并能在固定电压的情况下减小耗电电流。

由于各工艺厂提供的外延层方块电阻是固定，为增加灵敏度，就得增加霍尔基片的尺10寸，这会导致更大的芯片尺寸，增加芯片的成本。

技术实现要素：

本发明提供一种基于P基层盖帽的霍尔基片及霍尔集成传感器芯片，以提高灵敏度。

为实现上述目的，本发明实施例提供一种基于P基层盖帽的霍尔基片，霍尔基片包括一P基层构成的掩膜层，且该P基层罩在霍尔基片本体上。

优选的，所述霍尔基片的P基层为P型硅。

优选的，所述P基层位于霍尔基片的外延层上。

本发明实施例还提供一种霍尔集成传感器芯片，芯片包括上述所述的霍尔基片结构。

通过本发明实施例，能够在不显著提高成本的前提下，提高灵敏度并减小磁偏置。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术中的霍尔基片结构；

图2为图1截面图；

图3为本发明霍尔基片结构图；

图4为图3截面图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。

本申请旨在提供一种PCAP(P基层盖帽)结构设计：在标准工艺在外延层方块电阻的阻值限制的基础上，通过在外延层上增加一层P基层的植入，增加外延层的等效方块电阻的阻值，从而提高霍尔基片的提高灵敏度，减小偏置，减小传感器的功耗。

理论上，霍尔基片的输入电阻越大越好，这样可以提高基片的灵敏度，并能在固定电压的情况下减小耗电电流。

图1和2为现有技术中的霍尔基片结构，由于各工艺厂提供的外延层方块电阻是固定，为增加灵敏度，就得增加霍尔基片的尺寸，这会导致更大的芯片尺寸，增加芯片的成本。

基于此，本发明提供一种基于PCAP的基片结构：用P型硅(形成基极的材料，原本就需要该掩膜层)做成一个帽子套刻在霍尔基片上(如图3和4示)。

这样，就形成了一层pinched结构，在现有工艺的基础上，不增加额外的掩膜层，不增加基片面积的情况下，获得高的输入电阻，从而增加了灵敏度，减小噪声，同时减小了耗电电流。

无PCAP的结构，使得在同等霍尔片尺寸的情况下，输入阻抗较小，输入阻抗均匀性较差，导致器件耗电大，灵敏度低，并使得噪声较大。

相反，有PCAP的结构，使得输入阻抗大，耗电小，灵敏度高，噪声小。

典型例子为,无PCAP时，耗电为10mA，灵敏度为2uV/Gauss。有PCAP时，耗电为3mA，灵敏度为6uV/Gauss。

虽然通过实施例描绘了本申请，本领域普通技术人员知道，本申请有许多变形和变化而不脱离本申请的精神，希望所附的权利要求包括这些变形和变化而不脱离本申请的精神。