技术总结
本申请公开了一种硅片光致衰减的表征方法，包括：在硅片的双面镀氧化铝膜，用于对所述硅片表面的悬挂键进行钝化，并进行退火；在所述氧化铝膜的表面制作用于隔绝所述氧化铝膜与外界空气的保护膜；对所述硅片进行第一次少子寿命测试并得到第一测试值；对所述硅片进行光照，并进行第二次少子寿命测试并得到第二测试值；利用所述第一测试值和所述第二测试值表征所述硅片的光致衰减程度。上述方法通过光照硅片测试少子寿命衰减情况，来表征硅片的光致衰减的影响程度，能够避免电池工艺引入的光致衰减干扰，提高测试效率，增强测试准确度和可靠性。
技术研发人员：王海涛;廖晖;吕锦滇;李林东;肖贵云;陈伟;金浩
受保护的技术使用者：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
文档号码：201610976867
技术研发日：2016.11.07
技术公布日：2017.05.10