刻蚀硅片水膜去水装置的制作方法

本发明涉及硅片生产设备技术领域，尤其是涉及一种刻蚀硅片水膜去水装置。

背景技术：

所谓刻蚀，实际上就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造工艺的发展；刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法，而湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除为被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。

在非扩散面加上水膜是防止硅片过刻的重要途径，而在实际生产过程中，硅片上的水膜会溢出在刻蚀槽造成刻蚀槽内酸性溶液浓度变小，为了达到要求的浓度，要不断的增加供酸量，无形中增加了生产成本。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题是：为了解决硅片上的水膜会溢出在刻蚀槽造成刻蚀槽内酸性溶液浓度变小，为了达到要求的浓度，要不断的增加供酸量，无形中增加了生产成本的问题，现提供了一种刻蚀硅片水膜去水装置。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种刻蚀硅片水膜去水装置，包括水槽，所述水槽内转动设有若干用于输送硅片的输送辊，所述水槽外设有用于驱动输送辊转动的第一电机，所述水槽上转动设置有去水辊，所述去水辊位于所述输送辊上方且一一对应，所述去水辊外周面开设有若干第一环形槽，所述水槽外设有用于驱动去水辊转动的第二电机，所述输送辊与所述去水辊旋转方向相反，所述水槽上设有集水盒，所述集水盒上设有开口朝上的集水腔，所述集水盒与所述去水辊一一对应，所述集水盒位于所述去水辊靠近硅片输入的一侧，所述集水盒靠近相对应去水辊的一侧为斜边，所述斜边沿硅片输送方向向上倾斜设置，所述斜边的上端与所述去水辊外周面接触，所述水槽上设有将集水腔与所述水槽连通的通道。在对硅片蚀刻前，先对硅片表面多余的水膜进行去水处理，在硅片上设置好水膜后，通过将硅片放置在输送辊上输送，硅片在输送辊和去水辊之间通过，去水辊能够引导掉硅片表面的一些水，去水辊上的水由集水盒收集并引入到水槽内，能够有效保障硅片上多余的水及时的处理掉，保证水膜多余的水不会进入到蚀刻槽内。

在硅片上进行水膜处理时，水膜过多会流至硅片的下表面，进一步地，所述输送辊外周面开设有若干第二环形槽，所述水槽内转动设有与输送辊相对应的辊轴，所述辊轴位于所述输送辊下方，所述辊轴上设有凸环，所述凸环与所述第二环形槽相对应，所述凸环的外周面位于第二环形槽内。位于硅片下表面的水由输送辊去除，同时输送辊的第二水槽内的水由辊轴上的凸环引入到水槽内，尽量减少硅片在蚀刻过程中硅片上的水掉入至蚀刻槽内。

进一步地，所述第一环形槽倾斜设置。通过去水辊与硅片上的水膜接触，使得第二环形槽能够在水膜的一定范围内进行去水。

进一步地，所述水槽的底部设有用于水槽内排水的排水管。通过水槽底部的排水管将水槽内的水排出。

本发明的有益效果是：本发明刻蚀硅片水膜去水装置在使用时，在对硅片蚀刻前，先对硅片表面多余的水膜进行去水处理，在硅片上设置好水膜后，通过将硅片放置在输送辊上输送，硅片在输送辊和去水辊之间通过，第一环形槽和第二环形槽能够引导掉硅片表面的一些水，输送辊的第一水槽内的水由辊轴上的凸环引入到水槽内，而去水辊上的水由集水盒收集并引入到水槽内，能够有效保障硅片上多余的水及时的处理掉，保证水膜多余的水不会进入到蚀刻槽内，本发明操作简单方便，能够有效去除硅片水膜多余的水，防止了硅片上的水膜会溢出在刻蚀槽造成刻蚀槽内酸性溶液浓度变小，为了达到要求的浓度，要不断的增加供酸量，无形中增加了生产成本的问题。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。

图1是本发明刻蚀硅片水膜去水装置的主视图；

图2是本发明刻蚀硅片水膜去水装置的左视图。

图中：1、水槽，2、输送辊，201、第二环形槽，3、第一电机，4、辊轴，401、凸环，5、去水辊，501、第一环形槽，6、集水盒，601、集水腔，602、斜边，7、硅片，8、第二电机。

具体实施方式

现在结合附图对本发明做进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。

实施例

如图1和2所示，一种刻蚀硅片水膜去水装置，包括水槽1，所述水槽1内转动设有若干用于输送硅片7的输送辊2，所述水槽1外设有用于驱动输送辊2转动的第一电机3，第一电机3和第二电机8由外接电源接入，并通过外部控制器控制第一电机3和第二电机8的启闭，第一电机3和输送辊2通过链轮链条传动，第二电机8和去水辊5也是通过链轮链条传动，所述水槽1上转动设置有去水辊5，所述去水辊5位于所述输送辊2上方且一一对应，所述去水辊5外周面开设有若干第一环形槽501，所述水槽1外设有用于驱动去水辊5转动的第二电机8，所述输送辊2与所述去水辊5旋转方向相反，所述水槽1上设有集水盒6，所述集水盒6上设有开口朝上的集水腔601，所述集水盒6与所述去水辊5一一对应，所述集水盒6位于所述去水辊5靠近硅片7输入的一侧，所述集水盒6靠近相对应去水辊5的一侧为斜边602，所述斜边602沿硅片7输送方向向上倾斜设置，所述斜边602的上端与所述去水辊5外周面接触，所述水槽1上设有将集水腔601与所述水槽1连通的通道。

所述集水盒6内的集水腔601沿输送辊2的轴线方向呈两端低中间高。

所述输送辊2外周面开设有若干第二环形槽201，所述水槽1内转动设有与输送辊2相对应的辊轴4，所述辊轴4位于所述输送辊2下方，所述辊轴4上设有凸环401，所述凸环401与所述第二环形槽201相对应，所述凸环401的外周面位于第二环形槽201内。

所述第一环形槽501倾斜设置。

所述水槽1的底部设有用于水槽1内排水的排水管。

上述刻蚀硅片水膜去水装置在使用时，在硅片7设置好水膜后，在硅片7进行蚀刻前，先对硅片7表面进行水膜多余的水去除，首先启动第一电机3和第二电机8，第一电机3带动输送辊2转动，第二电机8带动去水辊5转动，将表面具有水膜的硅片7放置在输送辊2上，输送辊2带动硅片7并与去水辊5 接触，输送辊2和去水辊5上的第一环形槽501和第二环形槽201，将硅片7上表面及下表面的多余水吸入，同时去水辊5将水膜上多余的水吸附在去水辊5的外周面，输送辊2上第二环形槽201内的水由下方的辊轴4上的凸环401引入到水槽1内，去水辊5上内的水由集水盒6的斜边602引入到集水腔601内，由于集水腔601呈中间高两端低，水向两端流到最后流入到水槽1内，实现对硅片7表面水膜多余的水的收集，最后通过水槽1底部的排水管排出。

上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。