用于测量晶片堆叠的层厚度和晶格缺陷的测量装置和方法与流程

文档序号:11627122阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明涉及用于测量晶片堆叠的层厚度和晶格缺陷的测量装置和方法,其中相对于该晶片堆叠可移动的发送器,其用于发送电磁波或超声波形式的信号,与该发送器一起相对于该晶片堆叠可移动的接收器,其用于接收由该发送器所发送的并在该晶片堆叠处所反射的信号,以及用于分析由该接收器所接收的信号的分析单元,其中由该分析单元能区分由该晶片堆叠的层之间的至少两个过渡所反射的信号,并能确定其相互之间的和/或到参考平面的间距,并且其中能够检测该晶片堆叠和/或该测量装置平行于该参考平面的移动,并从而能够检测沿该参考平面的每个测量位置的位置。

技术研发人员:M.温普林格
受保护的技术使用者:EV集团E·索尔纳有限责任公司
技术研发日:2010.11.12
技术公布日:2017.08.01
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