技术特征：
技术总结
本发明属于器件建模技术领域，涉及一种用于MOSFET器件模型参数提取的测试方法及装置。方法包括：基于所述MOSFET器件的漏体结击穿电压，在不同体偏下的曲线测试中采用不同的体端偏置。装置包括：电压获取单元，用于获取在不同体偏下的曲线测试中采用的电压；曲线测试单元，用于根据所述电压获取单元确定的电压进行不同体偏下的曲线测试，获得测试数据；参数提取单元，用于根据所述曲线测试单元获得的测试数据进行所述MOSFET器件模型参数提取。由此解决了现有技术中的不能够兼顾既可以全面提取衬偏效应参数又不影响器件参数提取结果的技术问题，达到了确保MOS器件测试结果正确又兼顾体效应参数提取的技术效果。
技术研发人员：卜建辉;李莹;罗家俊;韩郑生
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2017.04.24
技术公布日：2017.10.10