技术特征：
技术总结
本发明涉及高压低温原位中子散射装置。根据一示例性实施例，一种原位中子散射装置可包括：真空腔，包括腔体和顶盖；制冷机，设置在所述真空腔的顶盖上；冷头，连接到所述制冷机并且穿过所述顶盖延伸到所述真空腔中；反应釜，连接到所述冷头的末端；以及气体管路，连接到所述反应釜，其中，所述真空腔的腔体包括由第一材料制成的上部腔体和由第二材料制成的下部腔体，所述第一材料具有比所述第二材料更高的强度，所述第二材料具有比所述第一材料更高的中子透过性。
技术研发人员：于晓辉;郑旭;夏元华;房雷鸣;王善民;孙光爱;赵予生;靳常青
受保护的技术使用者：中国科学院物理研究所;南方科技大学;中国工程物理研究院核物理与化学研究所
技术研发日：2017.07.25
技术公布日：2017.10.24