基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置的制作方法

文档序号:11382254阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置,其特征在于:包括未镀非晶硒膜的TFT板(1)、可控曝光强度脉冲氙灯组件(2)、信号读取电路板(3)和上位机(4),所述可控曝光强度脉冲氙灯组件(2)包括灯体(5),所述可控曝光强度脉冲氙灯组件(2)的灯体(5)通过固定夹具(6)固定在TFT板(1)的上方用于模拟X射线照射TFT板(1),所述上位机(4)与信号读取电路板(3)通信连接用于通过信号读取电路板(3)来读取TFT板(1)上各像素点存储的电荷。

2.根据权利要求1所述的一种基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置,其特征在于:所述可控曝光强度脉冲氙灯组件(2)还包括驱动电路板(7),所述上位机(4)与可控曝光强度脉冲氙灯的驱动电路板(7)电连接用于自动控制脉冲氙灯的曝光强度。

3.根据权利要求2所述的一种基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置,其特征在于:所述固定夹具(6)包括固定座(8)和设置在固定座(8)上的电动旋转台(9),所述可控曝光强度脉冲氙灯组件(2)的灯体(5)固定在电动旋转台(9)上,所述电动旋转台(9)与驱动电路板(7)电连接。

4.根据权利要求3所述的一种基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置,其特征在于:所述可控曝光强度脉冲氙灯组件(2)的灯体(5)上还设有无线摄像头(10),所述无线摄像头(10)、信号读取电路板(3)和驱动电路板(7)均与上位机(4)无线通信连接。

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