基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置的制作方法

文档序号:11382254阅读:来源:国知局
技术总结
一种基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置,其特征在于:包括未镀非晶硒膜的TFT、可控曝光强度脉冲氙灯组件、信号读取电路板和上位机,所述可控曝光强度脉冲氙灯组件包括灯体,所述可控曝光强度脉冲氙灯组件的灯体通过固定夹具固定在TFT的上方用于模拟X射线照射TFT,所述上位机与信号读取电路板通信连接用于通过信号读取电路板来读取TFT上各像素点存储的电荷。该基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置在TFT镀非晶硒膜之前可模拟镀膜后真实的X射线光电子的情况,对TFT各像素点的一致性和电荷存储能力进行相应的测试。

技术研发人员:宋彦佑
受保护的技术使用者:德润特医疗科技(武汉)有限公司
文档号码:201720032718
技术研发日:2017.01.12
技术公布日:2017.09.22

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