一种用于超辐射发光二极管的老化监测装置的制作方法

本实用新型涉及OCT光学相干成像和光纤传感领域，尤其是涉及一种用于超辐射发光二极管的老化监测装置。

背景技术：

随着超辐射发光二极管(SLD)模块广泛应用于OCT光学相干成像、光纤传感和光纤陀螺等领域，超辐射发光二极管(SLD)模块的稳定性显得尤为重要。对超辐射发光二极管(SLD)模块进行老化和输出光进行监控是挑选合格稳定的超辐射发光二极管(SLD)模块重要办法之一。现有挑选办法是对模块先进行连续老化N小时后再测试光功率，比对模块老化前后功率变化进行挑选，在超辐射发光二极管(SLD)模块较多的情况下就显得耗时、耗力，效率低，并且不能监测到实时功率变化，在老化过程中模块功率发生变化时不能及时调节和处理。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于克服上述技术不足，提出一种用于超辐射发光二极管的老化监测装置，解决现有技术中效率低、不能监测到实时功率变化、的技术问题。

为达到上述技术目的，本实用新型的技术方案提供一种用于超辐射发光二极管的老化监测装置，包括：

主控机，其包括单片机，及与所述单片机连接的A/D转换电路；

功率采集机，其包括依次连接的多路光电探测器、I/V转换电路、运放电路、滤波电路和开关电路，所述多路光电探测器连接多路待测超辐射发光二极管，所述开关电路连接所述A/D转换电路。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果包括：在模拟SLD老化过程的同时进行输出光监测，并且同时进行可多个SLD的老化与监测，大大提高了效率；实时监测SLD老化过程中光功率变化，有助于设计SLD时进行针对性的调整，大大提高模块老化合格率；可对采集的数据进行自动分析处理，老化完成后自动挑选出稳定合格的超SLD，对不合格的模块自动分析原因，大大提高了效率、准确性和直观性。

附图说明

图1是本实用新型的原理框图；

图2是本实用新型的主控机的电路示意图；

图3是本实用新型的功率采集机的电路示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

本实用新型提供了一种用于超辐射发光二极管的老化监测装置，如图1所示，包括：

如图2所示，主控机2，其包括单片机21，及与所述单片机21连接的A/D转换电路22，所述单片机21可选用MCU；

如图3所示，功率采集机3，其包括依次连接的多路光电探测器31、I/V转换电路32、运放电路33、滤波电路和开关电路34，所述多路光电探测器31连接多路待测超辐射发光二极管6，所述开关电路34连接所述A/D转换电路22。

作为优选的，所述开关电路34通过DB9连接线与所述A/D转换电路连接。

作为优选的，所述多路光电探测器31通过FC/APC光纤跳线分别与多路待测超辐射发光二极管6连接。

作为优选的，还包括用于放置所述多路待测超辐射发光二极管6的散热台，及为所述多路待测超辐射发光二极管6和散热台供电的电源5。

作为优选的，所述电源5通过多路模块供电接口板4与所述多路待测超辐射发光二极管6连接。

作为优选的，所述主控机2还包括与所述单片机21连接的电平转换电路23，该电平转换电路23连接人机交互控制终端1，人机交互控制终端1可以是PC。

作为优选的，所述电平转换电路23通过RS232连接线与人机交互控制终端1连接。

所述主控机2中的单片机21、A/D转换电路22和电平转换电路23可集成于同一个电路板，作为主控机板；所述功率采集机3中的多路光电探测器31、I/V转换电路32、运放电路33、滤波电路和开关电路34也可集成于同一个电路板，作为功率采集机板。所述主控机板、功率采集机板、散热台、电源5均可置于机箱7中，均可固定于机箱7的固定架上。

所述电源5输出DC5V电压，通过导线为所述多路待测超辐射发光二极管6(SLD)和散热台供电，多路超辐射发光二极管6(SLD)输出光，并通过FC/APC光纤跳线发送给功率采集机3。所述功率采集机3对多路输出光进行一一对应的光电转换、信号处理，然后将处理后的信号经DB9连接线传递给主控机2。所述主控机2对信号进一步处理和识别、对比，单片机可根据其内嵌程序对信号实现预设的监控。当然，单片机还可以连接外部的人机交互控制终端1实现更高一级的监控，连接时根据需要选择相应规格的电平转换电路匹配电平。

所述人机交互控制终端1控制所述主控机2内的单片机输出TTL信号，控制所述功率采集机3内的开关电路34，逐一获取多路上述输出的稳定电压信号，再通过所述主控机2内的A/D转换电路，将稳定电压信号转换成数字信号输入单片机，通过电平转换电路使单片机与所述人机交互控制终端1进行RS232串口通讯，将数据传输到所述人机交互控制终端1进行转换、显示、处理、分析和记录，根据需求自定义数据采集周期，完成对多路超辐射发光二极管6(SLD)模块的老化和输出光监测。

以上所述本实用新型的具体实施方式，并不构成对本实用新型保护范围的限定。任何根据本实用新型的技术构思所做出的各种其他相应的改变与变形，均应包含在本实用新型权利要求的保护范围内。