一种温度调节惯性传感器的制作方法

本发明涉及传感器领域，特别涉及了一种温度调节惯性传感器。

背景技术：

目前，传感器领域，普遍存在成本高，整体尺寸大，功率高，同时精度低的问题。

技术实现要素：

本发明的目的是，为了降低成本，减小器件尺寸，降低功率以及提高精准度，特提供了一种温度调节惯性传感器。

本发明提供了一种温度调节惯性传感器，其特征在于：所述的温度调节惯性传感器，包括集成电路模块1，温度传感器2，串行接口模块3，温度控制回路4，加热系统5，数字或模拟电路模块6，mems模块7，可拓展部分模块8，加热电阻9，功率器件10，晶体管驱动装置11，脉宽调解12，目标温度设定模块13，增加震动预防电路进入极限循环模块14，加速剂陀螺仪输出端15；

其中：集成电路模块1上布置有温度传感器2、串行接口模块3、温度控制回路4、加热系统5、数字或模拟电路模块6；

mems模块7与集成电路模块1连接，温度控制回路4和加热系统5上带有可拓展部分模块8；温度传感器2与加热电阻9连接，加热电阻9与功率器件10和晶体管驱动装置11连接，脉宽调解12、目标温度设定模块13与增加震动预防电路进入极限循环模块14连接，加速剂陀螺仪输出端15与集成电路模块1连接。

所述的温度调节惯性传感器，还包括加热环16，温度控制17，金属盖18，自由空气循环19，衬底20；加热环16布置在温度调节惯性传感器内部，温度控制17与加热环16连接，金属盖18位于温度调节惯性传感器上部，金属盖18内部为自由空气循环19，衬底20布置于温度调节惯性传感器底部。

所述的加热环16，能是金属件，也能是多晶硅件。

所述的温度调节惯性传感器还包括塑料盖21，塑料盖21位于温度调节惯性传感器顶部。

加热环，其材料可以是金属，pvd方法制作，也可以使用多晶硅，cvd方法制作。该器件由集成电路模块1，温度传感器2，加热系统5的重要组成部分加热环16，温度控制17几部分组成。

温度惯性传感器封装可以使用两种材料一种为金属盖，另一种为塑料盖，金属盖18，自由空气循环19，mems模块7，集成电路模块1，衬底20，塑料盖21。

本发明的优点：

本发明所述的温度调节惯性传感器，低成本，器件尺寸小，功率低，高精准度。

附图说明

下面结合附图及实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1为温度调节惯性传感器结构示意图；

图2为模拟电路图；

图3为温度调节惯性传感器俯视图；

图4为封装部分结构示意图。

具体实施方式

实施例1

本发明提供了一种温度调节惯性传感器，其特征在于：所述的温度调节惯性传感器，包括集成电路模块1，温度传感器2，串行接口模块3，温度控制回路4，加热系统5，数字或模拟电路模块6，mems模块7，可拓展部分模块8，加热电阻9，功率器件10，晶体管驱动装置11，脉宽调解12，目标温度设定模块13，增加震动预防电路进入极限循环模块14，加速剂陀螺仪输出端15；

其中：集成电路模块1上布置有温度传感器2、串行接口模块3、温度控制回路4、加热系统5、数字或模拟电路模块6；

mems模块7与集成电路模块1连接，温度控制回路4和加热系统5上带有可拓展部分模块8；温度传感器2与加热电阻9连接，加热电阻9与功率器件10和晶体管驱动装置11连接，脉宽调解12、目标温度设定模块13与增加震动预防电路进入极限循环模块14连接，加速剂陀螺仪输出端15与集成电路模块1连接。

所述的温度调节惯性传感器，还包括加热环16，温度控制17，金属盖18，自由空气循环19，衬底20；加热环16布置在温度调节惯性传感器内部，温度控制17与加热环16连接，金属盖18位于温度调节惯性传感器上部，金属盖18内部为自由空气循环19，衬底20布置于温度调节惯性传感器底部。

所述的加热环16，能是金属件，也能是多晶硅件。

所述的温度调节惯性传感器还包括塑料盖21，塑料盖21位于温度调节惯性传感器顶部。

加热环，其材料可以是金属，pvd方法制作，也可以使用多晶硅，cvd方法制作。该器件由集成电路模块1，温度传感器2，加热系统5的重要组成部分加热环16，温度控制17几部分组成。

温度惯性传感器封装可以使用两种材料一种为金属盖，另一种为塑料盖，金属盖18，自由空气循环19，mems模块7，集成电路模块1，衬底20，塑料盖21。

实施例2

本发明提供了一种温度调节惯性传感器，其特征在于：所述的温度调节惯性传感器，包括集成电路模块1，温度传感器2，串行接口模块3，温度控制回路4，加热系统5，数字或模拟电路模块6，mems模块7，可拓展部分模块8，加热电阻9，功率器件10，晶体管驱动装置11，脉宽调解12，目标温度设定模块13，增加震动预防电路进入极限循环模块14，加速剂陀螺仪输出端15；

其中：集成电路模块1上布置有温度传感器2、串行接口模块3、温度控制回路4、加热系统5、数字或模拟电路模块6；

mems模块7与集成电路模块1连接，温度控制回路4和加热系统5上带有可拓展部分模块8；温度传感器2与加热电阻9连接，加热电阻9与功率器件10和晶体管驱动装置11连接，脉宽调解12、目标温度设定模块13与增加震动预防电路进入极限循环模块14连接，加速剂陀螺仪输出端15与集成电路模块1连接。

所述的温度调节惯性传感器，还包括加热环16，温度控制17，金属盖18，自由空气循环19，衬底20；加热环16布置在温度调节惯性传感器内部，温度控制17与加热环16连接，金属盖18位于温度调节惯性传感器上部，金属盖18内部为自由空气循环19，衬底20布置于温度调节惯性传感器底部。

所述的温度调节惯性传感器还包括塑料盖21，塑料盖21位于温度调节惯性传感器顶部。

加热环，其材料可以是金属，pvd方法制作，也可以使用多晶硅，cvd方法制作。该器件由集成电路模块1，温度传感器2，加热系统5的重要组成部分加热环16，温度控制17几部分组成。

实施例3

本发明提供了一种温度调节惯性传感器，其特征在于：所述的温度调节惯性传感器，包括集成电路模块1，温度传感器2，串行接口模块3，温度控制回路4，加热系统5，数字或模拟电路模块6，mems模块7，可拓展部分模块8，加热电阻9，功率器件10，晶体管驱动装置11，脉宽调解12，目标温度设定模块13，增加震动预防电路进入极限循环模块14，加速剂陀螺仪输出端15；

其中：集成电路模块1上布置有温度传感器2、串行接口模块3、温度控制回路4、加热系统5、数字或模拟电路模块6；

mems模块7与集成电路模块1连接，温度控制回路4和加热系统5上带有可拓展部分模块8；温度传感器2与加热电阻9连接，加热电阻9与功率器件10和晶体管驱动装置11连接，脉宽调解12、目标温度设定模块13与增加震动预防电路进入极限循环模块14连接，加速剂陀螺仪输出端15与集成电路模块1连接。

所述的温度调节惯性传感器，还包括加热环16，温度控制17，金属盖18，自由空气循环19，衬底20；加热环16布置在温度调节惯性传感器内部，温度控制17与加热环16连接，金属盖18位于温度调节惯性传感器上部，金属盖18内部为自由空气循环19，衬底20布置于温度调节惯性传感器底部。

所述的加热环16，能是金属件，也能是多晶硅件。

加热环，其材料可以是金属，pvd方法制作，也可以使用多晶硅，cvd方法制作。该器件由集成电路模块1，温度传感器2，加热系统5的重要组成部分加热环16，温度控制17几部分组成。