SC检测电路的制作方法

文档序号:21196960发布日期:2020-06-23 18:51阅读:315来源:国知局
SC检测电路的制作方法

本发明涉及sc检测技术领域,更具体地说是指sc检测电路。



背景技术:

目前行业在逆变电路驱动下桥电路中,广泛采用带检测的光耦(如:acpl-330j),相对单一的驱动光耦,其成本偏高,特别当只是部分损坏时,维修成本更大,无法满足需求。



技术实现要素:

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷,提供sc检测电路。

为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:

sc检测电路,包括第一电平信号输入端,第一驱动模块,第一开关模块,第二电平信号输入端,第二驱动模块,第二开关模块,检测模块,第一输出端,及第二输出端;所述第一电平信号输入端和第二电平信号输入端均与第一驱动模块,及第二驱动模块连接,所述第一开关模块与第一驱动模块,检测模块,及第一输出端连接,所述第二开关模块与第二驱动模块,检测模块,及第一输出端连接,所述第二驱动模块还与检测模块连接,所述第一输出端还与检测模块连接,所述第二输出端与检测模块连接。

其进一步技术方案为:所述第一驱动模块包括电源输入端,驱动光电耦合器u1,电阻r1,电阻r2,电阻r3,电容c1,及瞬态抑制二极管dz1;所述第一电平信号输入端与驱动光电耦合器u1的2脚连接,第二电平信号输入端与电阻r2的1脚连接,电阻r2的2脚与驱动光电耦合器u1的3脚连接,驱动光电耦合器u1的8脚与电源输入端的正极连接,驱动光电耦合器u1的5脚与电源输入端的负极连接,驱动光电耦合器u1的6脚和7脚与电阻r1的1脚连接,电阻r1的2脚与电阻r3的1脚,电容c1的1脚,瞬态抑制二极管dz1的阴极,及第一开关模块连接,电阻r3的2脚,电容c1的2脚,及瞬态抑制二极管dz1的阳极接地。

其进一步技术方案为:所述第一开关模块为绝缘栅双极型晶体管q1,所述绝缘栅双极型晶体管q1的栅极与电阻r1的2脚连接,绝缘栅双极型晶体管q1的发射极与电池的正极连接,绝缘栅双极型晶体管q1的集电极与所述检测模块,及第一输出端连接。

其进一步技术方案为:所述第二驱动模块包括电压输入端,驱动光电耦合器u2,电阻r4,电阻r5,电阻r6,电容c2,及瞬态抑制二极管dz2;所述第一电平信号输入端与电阻r6的2脚连接,电阻r6的1脚与驱动光电耦合器u1的3脚连接,第二电平信号输入端与驱动光电耦合器u2的2脚连接,驱动光电耦合器u2的8脚与电源输入端的正极连接,驱动光电耦合器u2的5脚与电源输入端的负极连接,驱动光电耦合器u2的6脚和7脚与电阻r4的1脚,及检测模块连接,电阻r4的2脚与电阻r5的1脚,电容c2的1脚,瞬态抑制二极管dz2的阴极,及第二开关模块连接,电阻r5的2脚,电容c2的2脚,及瞬态抑制二极管dz2的阳极接地。

其进一步技术方案为:所述驱动光电耦合器u1和驱动光电耦合器u2的型号相同,均为tlp350h。

其进一步技术方案为:所述第二开关模块为绝缘栅双极型晶体管q2,所述绝缘栅双极型晶体管q2的栅极与电阻r4的2脚连接,绝缘栅双极型晶体管q2的集电极与电池的负极连接,绝缘栅双极型晶体管q2的发射极与所述检测模块,及第一输出端连接。

其进一步技术方案为:所述绝缘栅双极型晶体管q1和绝缘栅双极型晶体管q2的型号相同,均为kwbw40n120s3e1。

其进一步技术方案为:所述检测模块包括电源,电阻r7,电阻r8,电阻r9,电阻r10,电阻r11,电阻r12,电阻r13,二极管d1,二极管d2,电容c3,电容c4,可控精密稳压源u4,及光电耦合器u3;所述电阻r7的2脚与驱动光电耦合器u2的6脚和7脚连接,电阻r7的1脚与二极管的阴极连接,二极管的阳极与电阻r8的1脚,电阻r12的1脚,及二极管d1的阳极连接;电阻r8的2脚与电源的正极连接,二极管d1的阴极与绝缘栅双极型晶体管q1的集电极,绝缘栅双极型晶体管q2的发射极,及第一输出端连接;电阻r12的2脚与电阻r13的1脚,电容c4的1脚,及可控精密稳压源u4的参考极连接,电阻r13的2脚,电容c4的2脚,及可控精密稳压源u4的阳极接地,可控精密稳压源u4的阴极与电阻r9的1脚,及光电耦合器u3的2脚连接,电阻r9的2脚与电源的正极,及电阻r10的2脚连接,电阻r10的1脚与光电耦合器u3的1脚连接,光电耦合器u3的3脚接地,光电耦合器u3的4脚与电阻r11的1脚,电容c3的1脚,及第二输出端连接,电阻r11的2脚与电源连接,电容c3的2脚接地。

其进一步技术方案为:所述光电耦合器u3的型号为ltv-356t。

其进一步技术方案为:所述第一电平信号输入端为pwm-信号;第二电平信号输入端为pwm+信号;第一输出端为逆变输出信号,用于接电机马达;第二输出端为检测输出信号;当pwm-信号和pwm+信为高电平时,驱动光电耦合器u1的6脚和7脚输出低电压,绝缘栅双极型晶体管q1截止,驱动光电耦合器u2的6脚和7脚输出负压,绝缘栅双极型晶体管q2截止,可控精密稳压源u4的参考极为负压,可控精密稳压源u4的阴极无电流通过,光电耦合器u3截止,此时检测输出信号为+5v高电平;当pwm-信号为高电平,pwm+信号为低电平时,驱动光电耦合器u1的6脚和7脚输出高电压,绝缘栅双极型晶体管q1导通,驱动光电耦合器u2的6脚和7脚输出负压,绝缘栅双极型晶体管q2截止,可控精密稳压源u4的参考极为负压,可控精密稳压源u4的阴极无电流通过,光电耦合器u3截止,此时检测输出信号为+5v高电平;当pwm-信号为低电平,pwm+信号为高电平时,驱动光电耦合器u1的6脚和7脚输出低电压,绝缘栅双极型晶体管q1截止,驱动光电耦合器u1的6脚和7脚输出高电压,绝缘栅双极型晶体管q2导通,随着绝缘栅双极型晶体管q2输出电流的增大,逆变输出信号的电压也会增大,当电压增大到使可控精密稳压源u4的参考极电压为2.5v时,可控精密稳压源u4的阴极输出低电平,光电耦合器u3导通,检测输出信号为低电平,此时,输出故障信号。

本发明与现有技术相比的有益效果是:使得随着绝缘栅双极型晶体管q2输出电流的增大,逆变输出信号的电压也会增大,当电压增大到使可控精密稳压源u4的参考极电压为2.5v时,可控精密稳压源u4的阴极输出低电平,光电耦合器u3导通,检测输出信号为低电平,此时,输出故障信号,从而封锁屏蔽pwm的输出,保护绝缘栅双极型晶体管q1和绝缘栅双极型晶体管q2,降低了成本,且便于维护。

上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本发明的上述和其他目的、特征及优点能够更明显易懂,以下特举较佳实施例,并配合附图,详细说明如下。

附图说明

图1为本发明sc检测电路的方框示意图;

图2为本发明sc检测电路的具体电路图。

具体实施方式

为阐述本发明的思想及目的,下面将结合附图和具体实施例对本发明做进一步的说明。

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

需要说明,本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后等)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变,所述的连接可以是直接连接,也可以是间接连接。

另外,在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外,各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本发明要求的保护范围之内。

如图1至图2所示的具体实施例,其中,如图1所示,本发明sc检测电路的方框示意图,包括第一电平信号输入端10,第一驱动模块20,第一开关模块30,第二电平信号输入端40,第二驱动模块50,第二开关模块60,检测模块70,第一输出端80,及第二输出端90;所述第一电平信号输入端10和第二电平信号输入端40均与第一驱动模块20,及第二驱动模块50连接,所述第一开关模块30与第一驱动模块20,检测模块70,及第一输出端80连接,所述第二开关模块60与第二驱动模块50,检测模块70,及第一输出端80连接,所述第二驱动模块50还与检测模块70连接,所述第一输出端80还与检测模块70连接,所述第二输出端90与检测模块80连接。

具体地,如图2所示,所述第一驱动模块20包括电源输入端(在本实施例中,对应图2中的vu+和vu-,用于给驱动光电耦合器u1供电),驱动光电耦合器u1,电阻r1,电阻r2,电阻r3,电容c1,及瞬态抑制二极管dz1;所述第一电平信号输入端10与驱动光电耦合器u1的2脚连接,第二电平信号输入端40与电阻r2的1脚连接,电阻r2的2脚与驱动光电耦合器u1的3脚连接,驱动光电耦合器u1的8脚与电源输入端的正极连接,驱动光电耦合器u1的5脚与电源输入端的负极连接,驱动光电耦合器u1的6脚和7脚与电阻r1的1脚连接,电阻r1的2脚与电阻r3的1脚,电容c1的1脚,瞬态抑制二极管dz1的阴极,及第一开关模块30连接,电阻r3的2脚,电容c1的2脚,及瞬态抑制二极管dz1的阳极接地。

具体地,如图2所示,所述第一开关模块30为绝缘栅双极型晶体管q1,所述绝缘栅双极型晶体管q1的栅极(对应图2中的1脚)与电阻r1的2脚连接,绝缘栅双极型晶体管q1的发射极(对应图2中的2脚)与电池的正极(在本实施例中,对应图2中的p,为逆变部分直流母线正极)连接,绝缘栅双极型晶体管q1的集电极(对应图2中的3脚)与所述检测模块70,及第一输出端连接。

具体地,如图2所示,所述第二驱动模块50包括电压输入端(在本实施例中,对应图2中的vb+和vb-,用于给驱动光电耦合器u2供电),驱动光电耦合器u2,电阻r4,电阻r5,电阻r6,电容c2,及瞬态抑制二极管dz2;所述第一电平信号输入端10与电阻r6的2脚连接,电阻r6的1脚与驱动光电耦合器u1的3脚连接,第二电平信号输入端40与驱动光电耦合器u2的2脚连接,驱动光电耦合器u2的8脚与电源输入端的正极连接,驱动光电耦合器u2的5脚与电源输入端的负极连接,驱动光电耦合器u2的6脚和7脚与电阻r4的1脚,及检测模块70连接,电阻r4的2脚与电阻r5的1脚,电容c2的1脚,瞬态抑制二极管dz2的阴极,及第二开关模块60连接,电阻r5的2脚,电容c2的2脚,及瞬态抑制二极管dz2的阳极接地。

其中,所述驱动光电耦合器u1和驱动光电耦合器u2的型号相同,均为tlp350h。

具体地,如图2所示,所述第二开关模块为绝缘栅双极型晶体管q2,所述绝缘栅双极型晶体管q2的栅极(对应图2中的1脚)与电阻r4的2脚连接,绝缘栅双极型晶体管q2的集电极(对应图2中的3脚)与电池的负极(在本实施例中,对应图2中的n,为逆变部分直流母线负极)连接,绝缘栅双极型晶体管q2的发射极(对应图2中的2脚)与所述检测模块70,及第一输出端80连接。

其中,所述绝缘栅双极型晶体管q1和绝缘栅双极型晶体管q2的型号相同,均为kwbw40n120s3e1。

具体地,如图2所示,所述检测模块70包括电源(在本实施例中,对应图2中的vb+和+5v),电阻r7,电阻r8,电阻r9,电阻r10,电阻r11,电阻r12,电阻r13,二极管d1,二极管d2,电容c3,电容c4,可控精密稳压源u4,及光电耦合器u3;所述电阻r7的2脚与驱动光电耦合器u2的6脚和7脚连接,电阻r7的1脚与二极管的阴极连接,二极管的阳极与电阻r8的1脚,电阻r12的1脚,及二极管d1的阳极连接;电阻r8的2脚与电源的正极连接,二极管d1的阴极与绝缘栅双极型晶体管q1的集电极,绝缘栅双极型晶体管q2的发射极,及第一输出端连接;电阻r12的2脚与电阻r13的1脚,电容c4的1脚,及可控精密稳压源u4的参考极(对应图2中的1脚)连接,电阻r13的2脚,电容c4的2脚,及可控精密稳压源u4的阳极(对应图2中的2脚)接地,可控精密稳压源u4的阴极(对应图2中的3脚)与电阻r9的1脚,及光电耦合器u3的2脚连接,电阻r9的2脚与电源的正极,及电阻r10的2脚连接,电阻r10的1脚与光电耦合器u3的1脚连接,光电耦合器u3的3脚接地,光电耦合器u3的4脚与电阻r11的1脚,电容c3的1脚,及第二输出端连接,电阻r11的2脚与电源连接,电容c3的2脚接地。

其中,所述光电耦合器u3的型号为ltv-356t,可控精密稳压源u4的型号为tl431i。

其中,在本实施例中,所述第一电平信号输入端10为pwm-信号;第二电平信号输入端40为pwm+信号;第一输出端80为逆变输出信号,用于接电机马达;第二输出端90为检测输出信号;当pwm-信号和pwm+信为高电平时,驱动光电耦合器u1的6脚和7脚输出低电压,绝缘栅双极型晶体管q1截止,驱动光电耦合器u2的6脚和7脚输出负压,绝缘栅双极型晶体管q2截止,可控精密稳压源u4的参考极为负压,可控精密稳压源u4的阴极无电流通过,光电耦合器u3截止,此时检测输出信号为+5v高电平;当pwm-信号为高电平,pwm+信号为低电平时,驱动光电耦合器u1的6脚和7脚输出高电压,绝缘栅双极型晶体管q1导通,驱动光电耦合器u2的6脚和7脚输出负压,绝缘栅双极型晶体管q2截止,可控精密稳压源u4的参考极为负压,可控精密稳压源u4的阴极无电流通过,光电耦合器u3截止,此时检测输出信号为+5v高电平;当pwm-信号为低电平,pwm+信号为高电平时,驱动光电耦合器u1的6脚和7脚输出低电压,绝缘栅双极型晶体管q1截止,驱动光电耦合器u1的6脚和7脚输出高电压,绝缘栅双极型晶体管q2导通,随着绝缘栅双极型晶体管q2输出电流的增大,逆变输出信号的电压也会增大,当电压增大到使可控精密稳压源u4的参考极电压为2.5v时,可控精密稳压源u4的阴极输出低电平,光电耦合器u3导通,检测输出信号为低电平,此时,输出故障信号(输出),从而封锁屏蔽pwm的输出,保护绝缘栅双极型晶体管q1和绝缘栅双极型晶体管q2,降低了成本,且便于维护。

在本实施例中,未写出的各个元器件及其型号、及连接关系,在图2的具体电路图中已经标明,在此不在赘述。

上述仅以实施例来进一步说明本发明的技术内容,以便于读者更容易理解,但不代表本发明的实施方式仅限于此,任何依本发明所做的技术延伸或再创造,均受本发明的保护。本发明的保护范围以权利要求书为准。

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