光子计数探测器去极化的方法、系统和计算机设备与流程

本申请涉及医疗设备领域，特别是涉及光子计数探测器去极化的方法、系统和计算机设备。

背景技术：

电子计算机断层扫描技术(computedtomography，简称ct)，它是利用精确准直的x线束、γ射线、超声波等，与灵敏度极高的探测器一同围绕人体的某一部位作一个接一个的断面扫描，具有扫描时间快，图像清晰等特点，可用于多种疾病的检查，但由于现有ct探测器的局限，x射线所携带的能量信息还没有被充分的利用起来，而光子计数探测器技术，可以很好的克服传统ct探测器所存在的不足，与传统ct相比，基于光子计数探测器的能谱ct具有可实现材料成分分析、降低病人辐射剂量、提高ct定量分析准确性和实现超高空间分辨率等优点。

在相关技术中，光子计数能谱ct的核心是光子计数探测器，它是通过在探测器专用读出电路中添加信号幅度分析器件来分辨不同能量的光子，从而得到不同能量区间的光子计数，目前的光子计数探测器多是基于半导体材料制备的，诸如，gaas、cdte、cdznte(czt)等，但是这些半导体材料因在晶体生长过程中存在生长缺陷，导致在x射线的照射下存在极化现象，特别是在高束流条件下，x射线和光子计数探测器材料(如cdte、cdznte(czt))的相互作用生成电子空穴对，电子空穴对中的空穴在输运过程中会被半导体材料中的空位所捕获，捕获的空穴会在半导体材料内部形成空间电荷区，该空间电荷区会导致探测器内部的电场发射畸变，并且该电场强度会随时间变化，从而导致探测器的响应随着时间的变化存在不稳定性，使得光子计数能谱ct中的光子计数探测器计数不精确的问题。

目前针对相关技术中光子计数能谱ct的光子计数探测器计数不精确的问题，尚未提出有效的解决方案。

技术实现要素：

本申请实施例提供了一种光子计数探测器去极化的方法、系统和计算机设备，以至少解决相关技术中光子计数能谱ct的光子计数探测器计数不精确的问题。

第一方面，本申请实施例提供了一种光子计数探测器去极化的方法，所述方法包括：

根据晶体生长过程中产生的缺陷能级，确定光照设备的光照波长范围；

根据所述光照波长范围，控制所述光照设备照射所述光子计数探测器。

在其中一些实施例中，所述根据晶体生长过程中产生的缺陷能级，确定所述光照设备的光照波长范围包括：

根据所述缺陷能级，确定所述光照设备的光子能量范围；

根据所述光子能量范围，确定所述光照设备的光照波长范围。

在其中一些实施例中，在所述光照设备的光子能量不小于所述缺陷能级的情况下，所述光照波长范围为1000-1500nm。

在其中一些实施例中，在所述光照设备的光子能量不小于所述缺陷能级的情况下，所述控制光照设备照射所述光子计数探测器为：

周期性切换所述光照设备的开启和关闭，来照射所述光子计数探测器。

在其中一些实施例中，所述周期性切换所述光照设备的开启和关闭，来照射所述光子计数探测器包括：

获取所述空穴被捕获的捕获时间以及所述空穴解捕获的解捕获时间；

根据所述捕获时间和所述解捕获时间，确定所述光照设备的光照周期。

根据所述光照周期切换所述光照设备的开启和关闭，来照射所述光子计数探测器。

在其中一些实施例中，所述获取所述空穴被捕获的捕获时间，并获取所述空穴解捕获的解捕获时间包括：

利用预设的光照波长照射光子计数探测器，记录光子计数探测器达到极化的第一时间集；

利用预设的光照波长照射光子技术探测器，记录光子计数探测器去极化的第二时间集；

根据第一时间集和第二时间集，确定捕获时间和解捕获时间。

在其中一些实施例中，在周期性切换所述光照设备的开启和关闭的情况下，所述光照设备的开启时间小于或等于20ms，所述光照设备的关闭时间小于或等于20ms。

第二方面，本申请实施例提供了一种光子计数探测器去极化的系统，所述系统包括处理器、光子计数探测器和光照设备；

所述处理器，用于根据晶体生长过程中产生的缺陷能级，确定光照设备的光照波长范围；

所述处理器，根据所述光照波长范围，控制所述光照设备照射所述光子计数探测器。

第三方面，本申请实施例提供了一种计算机设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上述第一方面所述的光子计数探测器去极化的方法。

第四方面，本申请实施例提供了一种存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如上述第一方面所述的光子计数探测器去极化的方法。

相比于相关技术，本申请实施例提供的光子计数探测器去极化的方法，通过根据晶体生长过程中产生的缺陷能级，确定光照设备的光照波长范围，根据所述光照波长范围，控制所述光照设备照射所述光子计数探测器，解决了相关技术中光子计数能谱ct的光子计数探测器计数不精确的问题，提高了光子计数能谱ct中光子计数探测器计数精度。

本申请的一个或多个实施例的细节在以下附图和描述中提出，以使本申请的其他特征、目的和优点更加简明易懂。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1是根据本申请实施例的高束流条件下光子计数探测器内部的极化示意图；

图2是根据本申请实施例的光子计数探测器去极化的方法的流程图一；

图3是根据本申请实施例的光子计数探测器去极化的方法的流程图二；

图4是根据本申请实施例的光照设备与光子计数探测器的位置关系示意图；

图5是根据本申请实施例的光子计数探测器去极化的方法的流程图三；

图6是根据本申请实施例的光子计数探测器去极化的方法的流程图四；

图7是根据本申请实施例的获取捕获时间和解捕获时间的方法的流程图；

图8是根据本申请实施例的光子计数探测器阴极面电场分布的示意图；

图9是根据本申请实施例的光子计数探测器去极化的装置的结构框图；

图10是根据本申请实施例的光子计数探测器去极化的系统的结构框图；

图11是根据本申请实施例的计算机设备的内部结构示意图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行描述和说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。基于本申请提供的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，还可以理解的是，虽然这种开发过程中所作出的努力可能是复杂并且冗长的，然而对于与本申请公开的内容相关的本领域的普通技术人员而言，在本申请揭露的技术内容的基础上进行的一些设计，制造或者生产等变更只是常规的技术手段，不应当理解为本申请公开的内容不充分。

在本申请中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域普通技术人员显式地和隐式地理解的是，本申请所描述的实施例在不冲突的情况下，可以与其它实施例相结合。

除非另作定义，本申请所涉及的技术术语或者科学术语应当为本申请所属技术领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请所涉及的“一”、“一个”、“一种”、“该”等类似词语并不表示数量限制，可表示单数或复数。本申请所涉及的术语“包括”、“包含”、“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含；例如包含了一系列步骤或模块(单元)的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可以还包括没有列出的步骤或单元，或可以还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。本申请所涉及的“连接”、“相连”、“耦接”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电气的连接，不管是直接的还是间接的。本申请所涉及的“多个”是指大于或者等于两个。“和/或”描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，“a和/或b”可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。本申请所涉及的术语“第一”、“第二”、“第三”等仅仅是区别类似的对象，不代表针对对象的特定排序。

光子计数能谱ct的核心是光子计数探测器，目前的光子计数探测器多是基于半导体材料制备的，诸如，cdte、cdznte(czt)等，但这些半导体材料目前都存在极化现象，图1是根据本申请实施例的高束流条件下光子计数探测器内部的极化示意图，如图1所示，光子计数能谱ct在工作过程中，光子计数探测器在接收x射线的情况下，x射线在光子计数探测器所产生的空穴在输运过程中会被半导体材料中的空位所捕获，被捕获的空穴会在半导体材料内部形成空间电荷区，该空间电荷区会导致探测器内部的电场发射畸变，并且该电场强度会随时间变化，从而导致探测器的响应随着时间的变化存在不稳定性，使得光子计数能谱ct的光子计数探测器计数不准确，本申请提供的一种ct探测器去极化的方法，应用于光子计数能谱ct中，在光子计数探测器接收射线的情况下，控制光照设备照射光子计数探测器，且根据晶体生长过程中产生的缺陷能级，确定光照设备的光照波长范围，例如，在光照波长范围内，光子计数探测器中gd空位捕获的空穴可被解捕获，进而达到去除光子计数探测器极化的效果，且本申请中光子计数探测器接收的射线，可以是x射线、γ射线或者超声波等。

本实施例提供了一种光子计数探测器去极化的方法，图2是根据本申请实施例的光子计数探测器去极化的方法的流程图一，如图2所示，该方法包括如下步骤：

步骤s201，根据晶体生长过程中产生的缺陷能级，确定光照设备的光照波长范围；

需要说明的是，导致cdte、czt等半导体材料发生极化效应的原因是由于晶体生长过程中的生长缺陷引起的，也就是晶体中因生长缺陷而存在缺陷能级，例如，gd空位在半导体禁带中产生的缺陷能级是导致cdte、czt探测器发生极化现象的主要原因，在光子计数探测器接收x射线的情况下，x射线和光子计数探测器材料的相互作用产生电子空穴对，电子空穴对中的空穴在输运过程中存在被gd空位捕获的情况；需要进一步说明的是，理想的半导体是只有价带和导带的，当掺入杂质或存在缺陷时会在导带和价带中间引入其它能级，这个能级叫缺陷能级。

步骤s202，根据光照波长范围，控制光照设备照射光子计数探测器，其中，在光照波长范围内，光子计数探测器中空位捕获的空穴可被解捕获；

例如，在空穴被空位捕获的情况下，通过光照设备照射光子计数探测器，空位捕获的空穴会解除捕获，进而达到消除极化效应的效果。

通过步骤s201至步骤s202，由于空位在半导体禁带中产生的缺陷能级是导致cdte、czt探测器发生极化现象的主要原因，也就是在光子计数探测器接收x射线的情况下，x射线和光子计数探测器材料的相互作用产生电子空穴对，电子空穴对中的空穴在输运过程中存在被空位捕获的情况，在光子计数探测器接收x射线的情况下，控制光照设备照射光子计数探测器，且光照设备所发出光的波长位于根据空位产生的缺陷能级所确定的光照波长范围内，使得空位捕获的空穴获得解除，进而达到消除极化效应的效果，解决了相关技术中光子计数能谱ct的光子计数探测器因极化效应导致计数不精确的问题，提高了光子计数能谱ct中光子计数探测器计数精度。

在其中一些实施例中，图3是根据本申请实施例的光子计数探测器去极化的方法的流程图二，如图3所示，根据晶体生长过程中产生的缺陷能级，确定光照设备的光照波长范围的方法包括如下步骤：

步骤s301，根据缺陷能级，确定光照设备的光子能量范围；

需要说明的是，gd空位所产生的缺陷能级大约位于cdte或者czt价带上方0.75ev的位置，因此要使被捕获的空穴解俘获，所使用的光照设备的光子能量也就需要大于0.75ev。

步骤s302，根据光子能量范围，确定光照设备的光照波长范围；

其中，e＝hc/λ，e为光子能量，h为普朗克常量，c为光速，λ为波长，因此在已知光子能量范围的情况下，可确定光照设备的光照波长范围。

通过步骤s301至步骤s302，根据光子计数探测器中gd空位产生的缺陷能级，确定gd空位所捕获的空穴获得解除所需要的光子能量范围，在已知光照设备所需达到的光子能量范围下，确定光照设备的光照波长范围，进而确保在光子计数探测器被光照设备照射的情况下，gd空位所捕获的空穴获得解除。

在其中一些实施例中，在光照设备的光子能量不小于gd空位产生的缺陷能级的情况下，光照波长范围可以为1000-1500nm；gd空位产生的缺陷能级大约位于价带以上0.75ev(ev+0.75ev)，原则上一个大于0.75ev(光照波长<1650nm)的光子可以使缺陷能级上的空穴跃迁回价带，即完成解俘获，从而完成czt的去极化，实验结果显示，当使用光照波长为1000-1500nm的光照有较好的去极化效果，并且在1200nm时去极化效果最佳，因此本申请中的可使用1200nm的红外光进行照射。

在其中一些实施例中，图4是根据本申请实施例的光照设备与光子计数探测器的位置关系示意图，如图4所示，光照设备led在光子计数探测器的上方，考虑到阳极面需要连接读出电路，所以光照设备从光子计数探测器的阴极面照射，且光照设备的照射角度可优选在±60°内，且光照设备led的波长优选1200nm；需要说明的是，要把电流引出来就需要阴极和阳极，电子流向的方向为阳极面，反方向就是阴极面。

在其中一些实施例中，图5是根据本申请实施例的光子计数探测器去极化的方法的流程图三，如图5所示，在光照设备的光子能量不小于gd空位产生的缺陷能级的情况下，控制光照设备照射光子计数探测器为如下步骤：

步骤s501，周期性切换光照设备的开启和关闭，来照射光子计数探测器；

需要说明的是，从方便切换光照设备的角度考虑，照射光子计数探测器的光照设备优先是周期性的切换，但在切换光照设备时也可以设定程序来控制光照设备间歇性来照射光子计数探测器；

通过步骤s501，在光照设备持续照射光子计数探测器的情况下，会产生大量的光生载流子和热激载流子，从而增加光子计数探测器的暗电流和噪声，周期性切换光照设备的开启和关闭，来照射光子计数探测器，可以实现去极化效果的情况下降低因持续照射带来的信号噪声。

在其中一些实施例中，图6是根据本申请实施例的光子计数探测器去极化的方法的流程图四，如图6所示，周期性切换光照设备的开启和关闭来照射光子计数探测器的方法包括如下步骤：

步骤s601，获取空穴被捕获的捕获时间以及空穴解捕获的解捕获时间；

步骤s602，根据捕获时间和解捕获时间，确定光照设备的光照周期；其中，cdte或者czt晶体中空穴被捕获和解捕获时间分别为τp和τd；需要说明的是，光照周期包括光照设备在一个周期内的开启时间和关闭时间。

步骤s603，根据光照周期切换光照设备的开启和关闭，来照射光子计数探测器；

通过步骤s601至步骤s603，根据光子计数探测器，cdte或者czt晶体中空穴被捕获和解捕获的时间分别为τp和τd，来确定光照设备的照射时间和关闭时间，以使得周期性工作的光照设备在实现去极化效果的情况下，降低因持续照射带来的信号噪声。

在其中一些实施例中，图7是根据本申请实施例的获取捕获时间和解捕获时间的方法的流程图，如图7所示，该方法包括如下步骤：

步骤s701，利用预设的光照波长照射光子计数探测器，记录光子计数探测器达到极化的第一时间集；

需要说明的是，利用预设的光照波长照射光子计数探测器，就是指模拟光子计数探测器中gd空位捕获空穴的光照波长，在模拟过程中，可采用波长为940nm的led进行照射以使光子计数探测器达到极化状态。

步骤s702，利用预设的光照波长照射光子技术探测器，记录光子计数探测器去极化的第二时间集；

需要说明的是，利用预设的光照波长照射光子技术探测器，就是指模拟光子计数探测器中gd空位捕获的空穴被解捕获的光照波长，在模拟过程中，可采用波长为1200nmled进行照射，且照射期间1200nmled周期性开关。

步骤s703，根据第一时间集和第二时间集，确定捕获时间和解捕获时间；

其中，图8是根据本申请实施例的光子计数探测器阴极面电场分布的示意图，如图8所示，940nmled照射的作用是使探测器达到极化状态，模拟期间，且940nmled一直处于开启状态，得到第一时间集；1200nmled是用来去极化的，模拟期间1200nmled周期性开关，得到第二时间集，第一时间集和第二时间集进行拟合，分别得到极化和去极化时间，τp＝160ms，τd＝65ms。

通过步骤s701至步骤s703，通过模拟光子计数探测器达到极化状态以及去极化状态，来获得基于阴极面电场的第一数据点和第二数据点，并将第一数据点和第二数据点进行拟合，以确定光子计数探测器极化和去极化的时间，以确保获得精确的空穴被捕获和解捕获的时间。

在其中一些实施例中，在周期性切换光照设备的开启和关闭的情况下，光照设备的开启时间可以小于或等于20ms，光照设备的关闭时间可以小于或等于20ms，如可以设置光照设备开启20ms关闭20ms再开启20ms关闭20ms在一定时间段内进行周期性照射；

需要说明的是，czt晶体中空穴被捕获和解捕获的时间分别为τp和τd，原则上光照设备开启和关闭的频率需要大于1/τp和1/τd方可保证较好的去极化效果，示例性地，czt晶体中空穴被捕获和解捕获的时间分别为τp＝160ms和τd＝65ms，原则上光照设备开启和关闭的频率需要大于1/τp(6hz)和1/τd(16hz)方可保证较好的去极化效果，进而光照设备开启和关闭的频率>25hz时会有更好的去极化效果，所以在本申请实施例中，光照设备开启和关闭的频率可以设置为≥25hz(如25hz、50hz,100hz等)；

需要进一步说明的是，因光照设备开启和关闭的频率可以设置为≥25hz(如25hz、50hz,100hz等)，又因光照设备的光照周期包括光照设备的开启时间和光照设备的关闭时间，进而光照设备的光照周期小于等于40ms，优选地可以设置光照设备的开启时间小于或等于20ms，光照设备的关闭时间可以小于或等于20ms，光照设备的开启时间可以等于光照设备的关闭时间，如光照设备的开启时间为20ms,光照设备的关闭时间为20ms；光照设备的开启时间也可以不等于光照设备关闭时间，如光照设备的开启时间为20ms，光照设备的关闭时间为15ms，根据光照周期切换光照设备的开启和关闭，来照射光子计数探测器使得光子计数探测器相较于持续照射，可有效解决光子计数探测器中cdte、czt等半导体探测器的极化现象，同时不会引起探测器噪声的明显增加。

需要说明的是，在上述流程中或者附图的流程图中示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。

本实施例还提供了一种光子计数探测器去极化的装置，该装置用于实现上述实施例及优选实施方式，已经进行过说明的不再赘述。如以下所使用的，术语“模块”、“单元”、“子单元”等可以实现预定功能的软件和/或硬件的组合。尽管以下实施例所描述的装置较佳地以软件来实现，但是硬件，或者软件和硬件的组合的实现也是可能并被构想的。

图9是根据本申请实施例的光子计数探测器去极化的装置的结构框图，如图9所示，该装置包括：光照波长范围确定模块90和控制模块91；

光照波长范围确定模块90，用于根据gd空位产生的缺陷能级，确定光照设备的光照波长范围；

控制模块91，用于根据光照波长范围，控制光照设备照射光子计数探测器，其中，在光照波长范围内，光子计数探测器中gd空位捕获的空穴可被解捕获。

通过上述的光子计数探测器去极化的装置，由于gd空位在半导体禁带中产生的缺陷能级是导致cdte、czt探测器发生极化现象的主要原因，也就是在光子计数探测器接收射线的情况下，射线中的光子在光子计数探测器产生空穴，该空穴在输运过程中存在被gd空位捕获，在光子计数探测器接收射线的情况下，控制光照设备照射光子计数探测器，且光照设备所发出光的波长位于根据gd空位产生的缺陷能级所确定的光照波长范围内，使得gd空位捕获的空穴获得解除，进而达到消除极化效应的效果，解决了相关技术中光子计数能谱ct的光子计数探测器因极化效应导致计数不精确的问题，提高了光子计数能谱ct中光子计数探测器计数精度。

在其中一些实施例中，光照波长范围确定模块90和控制模块91还用于实现上述各实施例提供的光子计数探测器去极化的方法中的步骤，在这里不再赘述。

需要说明的是，上述各个模块可以是功能模块也可以是程序模块，既可以通过软件来实现，也可以通过硬件来实现。对于通过硬件来实现的模块而言，上述各个模块可以位于同一处理器中；或者上述各个模块还可以按照任意组合的形式分别位于不同的处理器中。

本申请还提供了一种光子计数探测器去极化的系统，图10是根据本申请实施例的光子计数探测器去极化的系统的结构框图，该系统包括中央处理器101、光子计数探测器100和光照设备102；

中央处理器101，用于根据gd空位产生的缺陷能级，确定光照设备102的光照波长范围；

中央处理器101，还用于根据光照波长范围，控制光照设备102照射光子计数探测器100，其中，在光照波长范围内，光子计数探测器中gd空位捕获的空穴可被解捕获。

通过上述的光子计数探测器去极化的系统，由于gd空位在半导体禁带中产生的缺陷能级是导致cdte、czt探测器发生极化现象的主要原因，也就是在光子计数探测器接收射线的情况下，射线中的光子在光子计数探测器产生空穴，该空穴在输运过程中存在被gd空位捕获，在光子计数探测器接收射线的情况下，控制光照设备照射光子计数探测器，且光照设备所发出光的波长位于根据gd空位产生的缺陷能级所确定的光照波长范围内，使得gd空位捕获的空穴获得解除，进而达到消除极化效应的效果，解决了相关技术中光子计数能谱ct的光子计数探测器因极化效应导致计数不精确的问题，提高了光子计数能谱ct中光子计数探测器计数精度。

在其中一些实施例中，中央处理器101还用于实现上述各实施例提供的光子计数探测器去极化的方法中的步骤，在这里不再赘述。

在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是终端。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、网络接口、显示屏和输入装置。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种光子计数探测器去极化的方法。该计算机设备的显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏，该计算机设备的输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层，也可以是计算机设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板，还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。

在一个实施例中，图11是根据本申请实施例的计算机设备的内部结构示意图，如图11所示，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是服务器，其内部结构图可以如图11所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、网络接口和数据库。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的数据库用于存储数据。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种光子计数探测器去极化的方法。

本领域技术人员可以理解，图11中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。

在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时实现上述各实施例提供的光子计数探测器去极化的方法中的步骤。

在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述各个实施例提供的光子计数探测器去极化的方法中的步骤。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，该计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(ram)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，ram以多种形式可得，诸如静态ram(sram)、动态ram(dram)、同步dram(sdram)、双数据率sdram(ddrsdram)、增强型sdram(esdram)、同步链路(synchlink)dram(sldram)、存储器总线(rambus)直接ram(rdram)、直接存储器总线动态ram(drdram)、以及存储器总线动态ram(rdram)等。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。