一种半导体制冷片参数测试装置及多参数测量方法

文档序号:8281298阅读:432来源:国知局
一种半导体制冷片参数测试装置及多参数测量方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及热电材料测试领域,具体涉及一种半导体制冷片的测试装置及测量方 法。
【背景技术】
[0002] 半导体制冷片是基于赛贝克效应和帕尔贴效应制造的换能器件,能够将电能直接 转化为热能。它具有无污染,无噪音,寿命长等优点,随着人类环保意识的增强,半导体制冷 片的应用范围也越来越大。优值系数Z是衡量半导体制冷片制冷效率最直观的参数。N是 半导体制冷片内所有温差电偶的对数,温差电偶的对数不足会影响制冷片的制冷效果,半 导体制冷片在相同温度不同压力下的制冷效率ε是衡量半导体制冷片制造质量的一个重 要参数,品质优良的半导体制冷片在安装压力〇. 〇〇2N/m2?0. 0085N/m2之间时制冷效率较 高,且波动不会太大,品质低劣的制冷片将给制冷片的安装带来不必要的麻烦,生产出的产 品没有一致性。准确,方便的测定半导体制冷片的以上三个参数对提高半导体制冷片的产 品质量,以及对需要使用半导体制冷片的厂商方便而正确的选择,采购半导体制冷片具有 非常重要的应用价值。如专利公开号为CN102004123 A的《热电材料测试仪》公开的一种 热电材料测试仪,包括工作台及设于工作台上的箱体、电导率测量装置和温差电动势测量 装置,箱体的前面板上嵌装有低阻测量表、电压测量表和温度显示表,低阻测量表的电流输 出端、电压输入端和电导率测量装置电连接,温差电动势测量装置上设有电加热元件和温 度传感器,电加热元件和设于箱体内的电源模块电连接,温度传感器和温度显示表电连接, 电压测量表和温差电动势测量装置电连接。上述热电材料测试仪仅测量赛贝克系数和电导 率,并且赛贝克系数和电导率测试方法繁琐,制作复杂。
[0003] 综合上述,现有半导体制冷片多参数测试装置存在进一步改进的空间。

【发明内容】

[0004] 本发明所要解决的技术问题是一种提供全新的测试方法,从而测得多种参数的半 导体制冷片测试装置。
[0005] 本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为:
[0006] 一种半导体制冷片参数测量装置,包括散热风扇,铜散热器,样品固定夹具,固定 导轨,滚珠丝杆,移动滑台,压力铝块,温度测量模块,电压测量模块,其特征在于:还包括一 压力测量模块、电机驱动模块、步进电机,所述铜散热器与所述样品固定夹具相连,所述散 热风扇,样品固定夹具安装于固定导轨上,所述样品固定夹具相对应的另一端安装有一移 动滑台,所述移动滑台中安装有一用于移动滑台的滚珠丝杆,所述步进电机通过所述电机 驱动模块驱动所述滚珠丝杠,所述压力铝块固定在与所述样品固定夹具相对的移动滑台侧 面上,所述铜散热器与所述温度测量模块相连接,所述压力铝块与所述压力测量模块相连 接,所述电压测量模块位于样品固定夹具上。
[0007] 第一,将待测半导体制冷片固定于所述样品固定夹具上,通过半导体制冷片驱动 模块(17)驱动制冷片,通过所述电压测量模块,得到制冷器两端的电阻电压Vk和赛贝克电 压Vs,所述温度测量模块分别测量得到半导体制冷度τ和热端温度Ttl;
【主权项】
1. 一种半导体制冷片参数测量装置,包括散热风扇(1),铜散热器(2),样品固定夹 具(3),固定导轨(4),滚珠丝杆巧),移动滑台化),压力侣块(7),温度测量模块(13),电 压测量模块(14),其特征在于;还包括一压力测量模块(15)、电机驱动模块(16)、步进电 机(10),所述铜散热器(2)与所述样品固定夹具(3)相连,所述散热风扇(1),样品固定夹 具(3)安装于固定导轨(4)上,所述样品固定夹具(3)相对应的另一端安装有一移动滑台 化),所述移动滑台化)中安装有一用于移动滑台的滚珠丝杆巧),所述步进电机(10)通过 所述电机驱动模块(16)驱动所述滚珠丝杠巧),所述压力侣块(7)固定在与所述样品固定 夹具做相对的移动滑台做侧面上,所述铜散热器似与所述温度测量模块(蝴相连接, 所述压力侣块(7)与所述压力测量模块(15)相连接,所述电压测量模块(14)位于样品固 定夹具做上。
2. -种应用如权利要求1所述的半导体制冷片多参数测量方法,其特征在于: 第一,将待测半导体制冷片固定于所述样品固定夹具(3)上,通过半导体制冷片驱动 模块(17)驱动制冷片,通过所述电压测量模块(14),得到制冷器两端的电阻电压Vc和赛贝 克电压Vs,所述温度测量模块(13)分别测量得到半导体制冷片冷端温度T和热端温度T。; 第二,将上述所得参数V。、Vs和T代入到Z = 从而得到需要测量的优值系数Z ; 巧 第=,通过电机驱动模块(16)驱动步进电机(10),带动滚珠丝杠巧),推动压力侣 块(7),从而对待测半导体制冷片施加不同压力,同时所述温度测量模块(13)分别测 量得到半导体制冷片冷端温度T和热端温度T。,将采集的T,T。,与第二步测得的Z代入
,得到各个压力下的半导体制冷片的制冷效率e ; 第四,测得半导体制冷片最大制冷效率下的冷端温度T和热端温度T。代入到计算公式 V〇=讀枯应从而得到单对温差电偶的工作电压V。,其中M = +T) S为半导 体制冷片材料的赛贝克系数; 第五,将计算所得的单对温差电偶的工作电压V。和测得的总电压V = V c+Vs代入到式 M V W = 从而获得温差电偶的对数N。 v〇,
【专利摘要】本发明公开了一种半导体制冷片参数测量装置,包括散热风扇,铜散热器,样品固定夹具,固定导轨,滚珠丝杆,移动滑台,压力铝块,控制盒,温度测量模块,电压测量模块,压力检测模块、电机驱动模块、步进电机,所述铜散热器与所述样品固定夹具相连,所述移动滑台中安装有一用于移动滑台的滚珠丝杆,所述步进电机通过所述电机驱动模块驱动所述滚珠丝杠,所述压力铝块固定在与所述样品固定夹具相对的移动滑台侧面上,所述铜散热器与所述温度测量模块相连接,所述压力铝块与所述压力检测量模块相连接。由于采用全新的测量方法以及进行相应的结构设计,从而降低半导体装置的成本并测量多种参数。
【IPC分类】G01R31-26
【公开号】CN104597387
【申请号】CN201510035472
【发明人】陈红岩, 宋平
【申请人】中国计量学院
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2015年1月23日
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