弹性体薄膜LAF而按压半导体芯片CHPl的压力变弱，也能够得到防止半导体芯片CHPl的破损的效果。
[0203](6)由如上所述，本实施方式I中的基本思想在于，通过将树脂MR注入的压力，在弹性体薄膜LAF与半导体芯片CHPl接触的接触部分SEL产生间隙，使树脂MR2渗入该间隙。该基本思想是与相关技术的思想完全不同的崭新的思想。也就是说，例如在相关技术中，对于弹性体薄膜LAF与半导体芯片CHPl接触的接触部分SEL，通常要求充分确保应对树脂泄漏的封闭性。在该情况下，上述的接触部分SEL未由树脂MR覆盖，从而浇铸工序后，会成为半导体芯片CHPl露出的区域。相对于此，本实施方式I的基本思想颠覆了以往的常识，在弹性体薄膜LAF与半导体芯片CHPl接触的接触部分SEL，故意构成为由于将树脂MR注入的压力而产生间隙，使树脂MR2渗入该间隙。其结果是，根据本实施方式1，上述的接触部分SEL也会由树脂MR覆盖，从而浇铸工序后，能够使半导体芯片CHPl的露出区域变小，由此能够有效地抑制半导体芯片CHPl的破损。
[0204]<变形例I >
[0205]在本变形例I中，对弹性体薄膜LAF与半导体芯片CHPl接触的接触部分SEL配置在俯视中与隔膜DF重合的区域的示例进行说明。
[0206]图19是表示本变形例I中的流量传感器的树脂封闭工序的剖视图。在图19中，覆盖流量检测部FDU的第一空间SPl自身的尺寸SL比隔膜DF的尺寸小，以俯视中隔膜DF将第一空间SPl包含在内的方式配置贴附有弹性体薄膜LAF的上模具UM0换句话说，以弹性体薄膜LAF与半导体芯片CHPl接触的接触部分SEL在俯视中与隔膜DF重合的方式配置。
[0207]此时，在本变形例I中也构成为，由于将树脂MR注入的压力，在弹性体薄膜LAF与半导体芯片CHPl接触的接触部分SEL产生间隙，树脂MR2渗入该间隙。
[0208]其结果是，根据本变形例1，在从树脂MR露出的半导体芯片CHPl的区域中，除了流量检测部FDU以及其附近区域以外的区域，形成树脂MR2，并且能够使覆盖流量检测部FDU的第一空间SPl的尺寸SL变小。由此，根据本变形例I，与前述实施方式I相比，能够使第一空间SPl的尺寸SL变小，从而能够使从树脂MR以及树脂MR2露出的半导体芯片CHPl的区域更加变小。
[0209]在此，在本变形例I中构成为，在弹性体薄膜LAF与半导体芯片CHPl接触的接触部分SEL的正下方区域配置厚度薄的隔膜DF。因此，施加于上模具UM的压力，通过弹性体薄膜LAF与半导体芯片CHPl接触的接触部分SEL，将直接施加至厚度薄的隔膜DF，从而可认为无法充分地抑制半导体芯片CHPl的破损。然而，关于这点，在本变形例I中，来自上模具UM并通过弹性体薄膜LAF而施加于半导体芯片CHPl的压力也是弱的。具体而言，将施压于上模具UM的压力弱化至，由于将树脂MR注入的压力，在弹性体薄膜LAF与半导体芯片CHPl接触的接触部分SEL，弹性体薄膜LAF发生变形而产生间隙的程度。由此，在本变形例I中也与前述实施方式I同样地，来自上模具UM并通过弹性体薄膜LAF将半导体芯片CHPl按压的压力变弱，因此，即使是采用在弹性体薄膜LAF与半导体芯片CHPl接触的接触部分SEL的正下方区域配置厚度薄的隔膜DF的结构的情况下，也能够防止半导体芯片CHPl的破损。
[0210]<变形例2>
[0211]在本变形例2中，对仅由树脂MR2来覆盖除了流量检测部FDU以及其附近区域以外的半导体芯片CHPl的表面区域的示例进行说明。
[0212]图20是表示本变形例2中的流量传感器的树脂封闭工序的剖视图。在图20中，弹性体薄膜LAF与半导体芯片CHPl接触的接触部分SEL形成直至半导体芯片CHPl的端部。此时，在本变形例2中也构成为，由于将树脂MR注入的压力，在弹性体薄膜LAF与半导体芯片CHPl接触的接触部分SEL产生间隙，树脂MR2渗入该间隙。其结果是，在本变形例2中，构成为仅由树脂MR2来覆盖除了流量检测部FDU以及其附近区域以外的半导体芯片CHPl的表面区域。在该情况下，也能够使从树脂MR2露出的半导体芯片CHPl的区域变小，从而能够抑制半导体芯片CHPl的破损。
[0213]<变形例3>
[0214]在本变形例3中，对在流量传感器的树脂封闭工序中不使用弹性体薄膜的示例进行说明。
[0215]图21是表示本变形例3中的流量传感器的树脂封闭工序的剖视图。在图21中，在本变形例3的流量传感器的树脂封闭工序中，没有在上模具UM的底面贴附弹性体薄膜。在该情况下，如图21所示，上模具UM与半导体芯片CHPl不接触而设有间隙。
[0216]也就是说，在前述实施方式I中，形成弹性体薄膜LAF与半导体芯片CHPl接触的接触部分SEL，并构成为由于将树脂MR注入的压力，该接触部分SEL的弹性体薄膜LAF发生变形而产生间隙，树脂MR2渗入该间隙。
[0217]相对于此，在本变形例3中，预先使上模具UM与半导体芯片CHPl不接触而以能够在上模具UM与半导体芯片CHPl之间设有间隙的方式配置上模具UM，这点是与前述实施方式I不同的。
[0218]在如此构成的本变形例3中，树脂MR2也会进入上述的间隙。其结果是，根据本变形例3，也在从树脂MR露出的半导体芯片CHPl的区域中，除了流量检测部FDU以及其附近区域以外的区域，形成有树脂MR2。由此，根据本变形例3，也能够使从树脂MR以及树脂MR2露出的半导体芯片CHPl的区域变小。
[0219]特别是，在本变形例3中，也期望将上述的间隙调整为例如以凝聚状态存在的着色材料、填料难以流入的尺寸。在该情况下，在本变形例3，树脂MR2所含有的着色剂、填料的量，也比树脂MR所含有的着色材料、填料的量少。因此，进入上模具UM与半导体芯片CHPl之间所产生的间隙的树脂MR2，由于其着色剂、填料的含量少，因此能够对例如可见光呈透明。
[0220]予以说明的是，在本变形例3中，上模具UM与半导体芯片CHPl不接触。由此，在上模具UM与半导体芯片CHPl之间设置的间隙的配置位置，不仅仅在例如俯视中与隔膜DF不重合的位置配置的情况下，在与隔膜DF重合的位置配置的情况下，也不会发生在半导体芯片CHPl容易产生裂纹这样的问题。这是因为，由于在本变形例3中，上模具UM和半导体芯片CHPl本来就没有接触，因此来自上模具UM的压力不会被施加至半导体芯片CHPl。因而，在本变形例3中，即使使覆盖流量检测部FDU的第一空间SPl的尺寸变小，例如在上模具UM与半导体芯片CHPl之间设置的间隙配置在俯视中与隔膜DF重合的位置的情况下，也能够与来自上模具UM的压力无关地，使从树脂MR或树脂MR2露出的半导体芯片CHPl的区域变小。
[0221](实施方式2)
[0222]在前述实施方式I中，对通过使用蚀刻技术在半导体芯片CHPl的背面形成隔膜DF的示例进行了说明，但在本实施方式2中，对通过使用例如喷沙法在半导体芯片CHPl的背面形成隔膜DF的示例进行说明。
[0223]图22是表示本实施方式2中的流量传感器FSl的安装结构的图，是表示由树脂封闭后的结构的图。特别是，图22(a)是表示本实施方式2中的流量传感器FSl的安装结构的俯视图。图22(b)是以图22(a)的A-A线切断的剖视图，图22(c)是以图22(a)的B-B线切断的剖视图。
[0224]图22(a)?(C)所示的本实施方式2中的流量传感器FSl的安装结构，与图7(a)?(c)所示的前述实施方式I中的流量传感器FSl的安装结构是几乎同样的。不同点在于，在前述实施方式I中，由于利用蚀刻技术来形成隔膜DF，因此形成倾斜状的隔膜DF，相对于此，在本实施方式2中，利用喷沙法来形成隔膜DF，因此会形成方槽状的隔膜DF。
[0225]在如此构成的本实施方式2中的流量传感器FSl中，也在从树脂MR露出的半导体芯片CHPl的区域中，除了流量检测部FDU以及其附近区域以外的区域，形成有树脂MR2。由此，根据本实施方式2，也能够使从树脂MR以及树脂MR2露出的半导体芯片CHPl的区域变小。即，根据本实施方式2，能够使作为半导体芯片CHPl的主成分的硅材料露出的区域变小。其结果是，能够抑制由于冲击、温度变化所引起的热应力等外力负荷而导致半导体芯片CHPl断裂。
[0226]进而，根据本实施方式2，也能够使半导体芯片CHPl的表面区域中，由树脂MR或树脂MR2覆盖的区域的面积变大。由此，半导体芯片CHPl与树脂MR或树脂MR2的接触面积变大，能够防止半导体芯片CHPl和树脂MR或半导体芯片CHPl和树脂MR2的剥离。从而，根据本实施方式2中的流量传感器FSl，能够实现可靠性的提高。
[0227]此时，在本实施方式2中的流量传感器FSl中，树脂MR的成分与树脂MR2的成分不同。即，树脂MR以及树脂MR2均含有例如由环氧树脂等构成的树脂、由二氧化硅、玻璃、碳、云母、滑石等构成的填料和着色材料，但树脂MR所含有的填料以及着色材料的量，与树脂MR2所含有的填料以及着色材料的量不同。更详细地说，树脂MR2所含有的填料以及着色材料的量比树脂MR所含有的填料以及着色材料的量少。
[0228]这样在本实施方式2中的流量传感器FSl中，由于树脂MR2所含有的填料以及着色材料的量比树脂MR所含有的填料以及着色材料的量少，因此树脂MR2呈例如透明。由此即使在半导体芯片CHPl的表面区域中，存在由树脂MR2覆盖的区域，也能够识别形成于半导体芯片CHPl的识别号NUM。如上所述，在本实施方式2中的流量传感器FSl中，能够得到与前述实施方式I中的流量传感器FSl同样的效果。
[0229](实施方式3)
[0230]其次，对本实施方式3中的流量传感器FSl进行说明。在前述实施方式I中，对例如，如图7 (b)、图7 (c)所示那样在芯片搭载部TABl上通过粘接材料ADHl配置半导体芯片CHPl的示例进行了说明。在本实施方式3中，对例如，如图23所示那样在半导体芯片CHPl与芯片搭载部TABl之间插入板状结构体PLT的示例进行说明。
[0231 ] 图23是在本实施方式3中表示树脂封闭后的流量传感器FSl的结构的图。图23(a)是表示树脂封闭后的流量传感器FSl的结构的俯视图。此外，图23(b)是以图23(a)的A-A线切断的剖视图，图23 (c)是以图23(a)的B-B线切断的剖视图。
[0232]如图23(b)、图23 (C)所示，可知本实施方式3中的流量传感器FSl，在整个半导体芯片CHPl的下层以及半导体芯片CHP2的下层形成有板状结构体PLT。该板状结构体PLT呈例如矩形形状，具有俯视中将半导体芯片CHPl以及半导体芯片CHP2包含在内的外形尺寸。即，在本实施方式3中，在芯片搭载部TABl以及芯片搭载部TAB2上通过粘接材料ADH2搭载板状结构体PLT，在该板状结构体PLT上通过粘接材料ADHl搭载有半导体芯片CHPl以及半导体芯片CHP2。
[0233]此外，在板状结构体PLT形成有槽DPLT，通过该槽DPLT，将形成于半导体芯片CHPl的隔膜DF的内部空间与形成于树脂MR的开口部OP3连接。其结果是，能够使隔膜DF的内部空间的压力与流量传感器FSl的外部空间的压力相等，能够抑制应力施加在隔膜DF上。
[0234]在此，在本实施方式3中，形成于树脂MR的开口部OP3形成在俯视中与隔膜DF不重合的区域，对于该优点进行说明。例如，在图7(b)所示的前述实施方式I中，在俯视中与隔膜DF重合的正下方区域，形成有开口部OP2。该情况下，隔膜DF的内部空间与流量传感器FSl的外部空间，也通过开口部OPl以及开口部0P2而连通，能够使隔膜DF的内部空间的压力与流量传感器FSl的外部空间的压力相等。
[0235]但，在这样的结构的情况下，开口部0P2将会配置在气体流动的位置。也就是说，气体在开口部0P2附近的外部空间流动，从而外部空间的压力变得不稳定。也就是说，如果通过在隔膜DF的正下方区域形成的开口部0P2来使隔膜DF的内部空间与外部空间连通，则有可能由于在外部空间流动的气流导致隔膜DF的内部空间的压力变得不稳定。
[0236]于是，在本实施方式3，例如，如图23(b)所示，将形成于树脂MR的开口部0P3配置在俯视中与隔膜DF不重合的区域，即远离气体流动的位置。由此，根据本实施方式3，能够不受气体的流动的影响且使隔膜DF的内部空间的压力稳定化。也就是说，根据本实施方式3，通过在难以受到气体流动的影响的部位设置开口部0P3，能够使隔膜DF的内部空间的压力与流量传感器FSl的外部空间的压力相等，同时使隔膜DF的内部空间的压力稳定化。
[0237]其次，在本实施方式3中，例如，如图23(b)所示，在芯片搭载部TABl以及芯片搭载部TAB2上配置有板状结构体PLT。该板状结构体PLT，例如使用粘接材料ADH2与芯片搭载部TAB1、芯片搭载部TAB2粘接，但也可以使用浆糊材料来接合。
[0238]此外，在该板状结构体PLT上，通过粘接材料ADHl搭载有半导体芯片CHPl，并且通过粘接材料ADHl搭载有半导体芯片CHP2。此时，在板状结构体PLT由金属材料形成的情况下，能够通过金属丝与半导体芯片CHPl连接，并且也能够通过金属丝与半导体芯片CHP2连接。
[0239]上述的板状结构体PLT，主要作为流量传感器FSl的刚性提高、应对来自外部的冲击的缓冲材料来起作用。进而，在图23(b)中，示出利用金线将半导体芯片CHPl的焊垫roi和半导体芯片CHP2的焊垫PD2直接连接的示例。但在板状结构体PLT由导电材料构成的情况下，能够与半导体芯片CHPl (焊垫roi)、半导体芯片CHP2(焊垫TO2)电连接，而用于接地电位(基准电位)的供给，也能够实现接地电位的稳定化。例如板状结构体PLT使用金属材料等刚性高的材料的情况下，能够实现流量传感器FSl的刚性提高。另一方面，在使用树脂材料等刚性低的材料的情况下，在树脂封闭工序中，也能够通过板状结构体PLT的变形来吸收在上模具UM和下模具BM之间夹紧的部件的安装高度的尺寸偏差。
[0240]板状结构体PLT可以由例如PBT树脂、ABS树脂、PC树脂、尼龙树脂、PS树脂、PP树脂、氟树脂等热塑性树脂、环氧树脂、苯酚树脂、聚氨酯树脂等热固性树脂构成。在该情况下，能够使板状结构体PLT主要作为保护半导体芯片CHP1、半导体芯片CHP2不受外部的冲击的缓冲材料而起作用。
[0241]另一方面，板状结构体PLT也可以通过对铁合金、铝合金或铜合金等金属材料进行冲压加工来形成，也可以由玻璃材料形成。尤其，在板状结构体PLT由金属材料形成的情况下，能够提高流量传感器FSl的刚性。进而，能够将板状结构体PLT与半导体芯片CHP1、半导体芯片CHP2电连接，将板状结构体PLT利用于接地电位的供给、接地电位的稳定化。
[0242]予以说明的是，在板状结构体PLT由热塑性树脂、热固性树脂构成的情况下，在热塑性树脂、热固性树脂中可以填充玻璃、滑石、二氧化硅、云母等无机填料、碳等有机填料。此外，板状结构体PLT可以利用传递成型法将树脂填充至模具内进行模制成型，也可以利用辊加工将片形状品任意地层叠来形成。
[0243]此外，将半导体芯片CHP1、半导体芯片CHP2与板状结构体PLT粘接的粘接材料ADH1、将板状结构体PLT与芯片搭载部TABl以及芯片搭载部TAB2粘接的粘接材料ADH2，可以使用例如以环氧树脂、聚氨酯树脂等热固性树脂为成分的粘接材料、以聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、氟树脂等热塑性树脂为成分的粘接材料。此外，可以将热固性树脂或热塑性树脂作为主成分，通过混合金、银、铜、锡等金属材料、二氧化硅、石英、碳、云母、滑石等无机材料，来赋予导电性或控制线膨胀系数。
[0244]在如此构成的本实施方式3中的流量传感器FSl中，也在从树脂MR露出的半导体芯片CHPl的区域中，除了流量检测部FDU以及其附近区域以外的区域形成有树脂MR2。由此，根据本实施方式3，也能够使从树脂MR以及树脂MR2露出的半导体芯片CHPl的区域变小。即，根据本实施方式3，能够使作为半导体芯片CHPl的主成分的硅材料露出的区域变小。其结果是，能够抑制由于冲击、温度变化所引起的热应力等外力负荷而导致半导体芯片CHPl断裂。
[0245]进而，根据本实施方式3，也能够在半导体芯片CHPl的表面区域中，由树脂MR或树脂MR2覆盖的区域的面积变大。由此，半导体芯片CHPl与树脂MR或树脂MR2的接触面积将变大，能够防止半导体芯片CHPl和树脂MR或半导体芯片CHPl和树脂MR2的剥离。因此，根据本实施方式3中的流量传感器FSl，能够实现可靠性的提高。
[0246]此时，在本实施方式3的流量传感器FSl中，树脂MR的成分与树脂MR2的成分不同。即，树脂MR以及树脂MR2均含有例如由环氧树脂等形成的树脂，由二氧化硅、玻璃、碳、云母、滑石等形成的填料和着色材料，但树脂MR所含有的填料以及着色材料的量与树脂MR2所含有的填料以及着色材料的量呈差异。更详细地说，树脂MR2所含有的填料以及着色材料的量比树脂MR所含有的填料以及着色材料的量少。
[0247]这样在本实施方式3中的流量传感器FSl中，由于树脂MR2所含有的填料以及着色材料的量比树脂MR所含有的填料以及着色材料的量少，因此树脂MR2呈例如透明。由此，