HZ至1000MHZ频段均表现出优良的通信电气参数性能，具体的，辐射单元最低频点前后比大于30dB，频带内前后比平均大于32dB ;低频点增益大于9.37dBi,频带内平均增益大于9.8dB1
[0024]具体实际测试结果如下表HFSS15软件计算:
测试频带段
频带内前后比对应增益 700MHz
31.225dB9.3521dBi750MHz
31.927dB9.4956dBi850MHz
32.012dB9.5352dBi870MHz
32.22 IdB 9.6149dBi 890MHz
33.313dB9.7550dBi910MHz
33.918dB9.8321dBi920MHz
34.125dB
9.9115dBi940MHz
35.232dB9.9960dBi1000MHz
36.0OOdB
10.200dBi
如上表所示，其在700MHz至1000MHz频段均表现出优良的通信电气参数性能，具体的，单个辐射单元最低频点前后比均大于31dB，在950MHz，单个辐射单元最低频点前后比均为
35.232dB ;而低频点增益均大于9.35dBi,频带内平均增益大于9.8dBi。
[0025]具体从实验数据中截取三个频段的前后比数据图以及三个频段的增益数据图，如图4至图9，在700MHz至1000MHz实现了优良的前后比特性，其中，在700MHz时，如图4，其频带内前后比为31.225dB ;在890MHz时，如图5，其频带内前后比为33.313dB ;在950MHz时，如图6，其频带内前后比为36.0OOdB ;而在增益上的表现:如图7，其在700MHz时，其增益达到:9.3521 dBi ;如图8，其在890MHz时，其增益达到:9.7550dBi ;如图9，其在1000MHz时，其增益达到:10.200dBi ;可以得知，其平均内前后比大于33dB，其增益平均大于 9.8dBiο
[0026]因此，作为接收天线，反向性能要求也较高，因此该结构天线的反向性能非常优异，增益均在9.3dBi以上，满足强电场下，对700MHz至1000MHz频段的使用要求，性能稳定，测量精度大大提高。
[0027]实施例2。
[0028]本实施例所述的变电站放电信号检测系统，与实施例1的区别在于:第一半导体填充区13和第二半导体填充区17所填充的半导体由以下20份的二氧化硅、8份的铝粉、
1.5份的碳粉组成。在实验配比下，该组分中的铝粉和碳粉弥补了半导体导电性能，将信号的通过速率降低，从而在理论上延长了电流流经的长度，从而增加了增益性能。通过具体测量，增益增加在2%-5%。如下表，其选取了三个频段测试来验证提高比率。
[0029]测试频带段原增益
后测试增益提尚比率 800MHz
9.500dBi
9.690dBi2%
900MHz
9.8121dBi
10.077dBi
2.7%
1000MHz10.200dBi
10.557dBi
3.5%
实施例3。
[0030]本实施例所述的变电站放电信号检测系统，其余实施例1和实施例2的区别在于所述第一 PCB板上设有两个呈中心对称上下分布的、呈正三角形设置的第一寄生振子片19ο所述第二 PCB板上设有两个呈中心对称左右分布的、呈圆形设置的第二寄生振子片36。寄生振子片除了本身具有的功能外还增加了频带宽度。利于电信号的捕获。
[0031]本实施例所述的变电站放电信号检测系统，还包括有绝缘隔离层5，所述绝缘隔离层5包裹所述第一 PCB板与第二 PCB板的两个侧边以及第二 PCB板的底边。隔离层不仅增加了隔离度还使得天线防水防尘，保护天线免受其他因素干扰。
[0032]本实施例所述的变电站放电信号检测系统，第二半导体填充区17数量为四个。还包括有贯通与第一 PCB板与第二 PCB板的馈电孔6。第九振子臂35的上设有多个呈一列的多个第三半导体填充区。
[0033]实施例4。
[0034]本实施例所述的变电站放电信号检测系统，所述微带天线的与法线的夹角为45度。通过实验得知，其为45度角时，接收效果最好。
[0035]以上所述仅是本发明的一个较佳实施例，故凡依本发明专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，包含在本发明专利申请的保护范围内。
【主权项】
1.一种变电站放电信号检测系统，其特征在于:包括有多通道数据采集单元、滤波器、数据处理系统以及天线阵列； 所述多通道数据采集单元用于采集天线阵列接收到的局部放电信号；滤波器用于滤除多通道数据采集单元采集到的信号的杂波； 所述天线阵列包括有多个微带天线，每个所述微带天线包括有第一 PCB板层(2)、第二PCB板层(4)、设于第一 PCB板上的第一振子层(I )、设于第二 PCB板上的第二振子层(3)，第一 PCB板与第二 PCB板叠加设置在一起； 还包括有绝缘隔离层(5)，所述绝缘隔离层(5)包裹所述第一 PCB板与第二 PCB板的两个侧边以及第二 PCB板的底边。2.根据权利要求1所述的一种变电站放电信号检测系统，其特征在于:所述第一振子层(I)包括有两个呈中心对称且左右设置的第一微带振子，每个所述第一微带振子包括有一半圆形的第一振子臂(11)，第一振子臂(11)的两端相连形成第二振子臂(12)，所述第二振子臂(12)呈波浪形；所述第一振子臂(11)的底端朝向第二振子臂(12)的一侧延伸出有第一支柱(131)，所述第一支柱(131)的自由端设有一弧形的第三振子臂(14)，所述第三振子臂(14)的弧口朝向第二振子臂(12);每个所述第一微带振子还包括有呈凹字形的第四振子臂(16)，所述第四振臂凹口朝向第二振子臂(12)方向；所述第四振子臂(16)与第二振子臂(12)之间还设有第五振子臂(15)，所述第五振子臂(15)呈波浪形； 所述第二振子层(3)包括有两个呈中心对称且上下设置的第二微带振子，每个所述所述第二微带振子包括有一半圆形的第六振子臂(31)，所述第六振子臂(31)的底端朝向第六振子臂(31)开口方向延伸出有第二支柱(33)，所述第二支柱(33)的自由端设有第七振子臂(34)，所述第七振子臂(34)上设有锯齿；所述第六振子臂(31)的两端向内延伸有第八振子臂(32 )，所述第八振子臂(32 )的尾部向前延伸有多个第九振子臂(35 )。3.根据权利要求2所述的一种变电站放电信号检测系统，其特征在于:所述第九振子臂(35)的个数为三个。4.根据权利要求2所述的一种变电站放电信号检测系统，其特征在于:所述第一振子臂(11)与第六振子臂(31)的半径均为3cm_8.5cm。5.根据权利要求2所述的一种变电站放电信号检测系统，其特征在于:所述第一支柱(131)上设有第一半导体填充区(13);四振子臂的两个支臂上设有多个呈一列的多个第二半导体填充区(17)。6.根据权利要求2所述的一种变电站放电信号检测系统，其特征在于:所述第四振子臂(16)中间设有弧形凹陷(18)，所述弧形凹陷(18)的开口方向朝外。7.根据权利要求5所述的一种变电站放电信号检测系统，其特征在于:第一半导体填充区(13)和第二半导体填充区(17)所填充的半导体由以下20份的二氧化硅、8份的铝粉、1.5份的碳粉组成。8.根据权利要求5所述的一种变电站放电信号检测系统，其特征在于:第二半导体填充区(17)数量为四个。9.根据权利要求2所述的一种变电站放电信号检测系统，其特征在于:还包括有贯通与第一 PCB板与第二 PCB板的馈电孔(6)。10.根据权利要求2所述的一种变电站放电信号检测系统，其特征在于:第九振子臂 (35)的上设有多个呈一列的多个第三半导体填充区。
【专利摘要】本发明公开了一种变电站放电信号检测系统；包括有多通道数据采集单元、滤波器、数据处理系统以及天线阵列；所述多通道数据采集单元用于采集天线阵列接收到的局部放电信号；滤波器用于滤除多通道数据采集单元采集到的信号的杂波；利用漏电源有信号释放出的原理进行捕捉测定漏电源位置，改进接收天线，将天线的各项指标增加，实现更高灵敏度的探测。
【IPC分类】G01R31/12
【公开号】CN105067971
【申请号】CN201510450381
【发明人】胡洁维
【申请人】胡洁维
【公开日】2015年11月18日
【申请日】2015年7月26日