表3和标准表2提供 100%额定电压Un和100%标定电流Ib，且设置功率因数PF= 0. 5L，即电流滞后电压的相 位角为60°，本发明只需对100%lb点感性0.5这个误差点进行调试，在上位机1中设置 增益初值PGAIN、功率转换系数Kp、校正次数的上限值M、校正次数C1 = 0,增益初值PGAIN 是一个经验值，功率转换系数Κρ是由上位机1根据被校表3的规格、硬件设计和EC脉冲常 数进行设置的；
[0039] (2)待标准表2功率稳定后，上位机1自动将增益初值PGAIN通过被校表3的MCU7 写入到被校表3的计量芯片8的功率增益校正寄存器中，由于开始时先对计量芯片8的功 率增益校正寄存器赋初值，使得100 %lb点阻性1. 0的初始误差减小了，根据计量芯片8的 线性特性，使得其他误差点的误差也跟着减小，这样可以快速接近目标误差值，避免重复调 试，加速了功率的稳定速度，提高了校表效率和精度，接下来的调试是在此基础上的微调；
[0040] (3)上位机1通过标准表2的MCU5自动获取标准表2的计量芯片6检测到的电压 有效值U0、电流有效值10和有功功率P0 ;
[0041] (4)上位机1通过被校表3的MCU7自动获取被校表3的计量芯片8检测到的电压 有效值U1、电流有效值II和有功功率P1 ;
[0042] (5)上位机1自动计算标准表2的视在功率SO=U0*I0/Kp，被校表3的视在功率 SI=U1*I1，根据标准表2和被校表3的视在功率，自动计算第一误差ERR1 = (S1-S0)/S0， 再根据第一误差ERR1，自动计算修正的增益值PGAIf;
[0043] (6)上位机1通过被校表3的MCU7自动将修正的增益值PGAIf写入到被校表3 的计量芯片8的功率增益校正寄存器中，完成100%lb点阻性1. 0校表；
[0044] (7)上位机1根据标准表2和被校表3的有功功率，自动计算第二误差ERR2,ERR2 = [Pl(l+PGAIf)-(P0/Kp)]パP0/Kp)，再自动根据第二误差ERR2计算相位值θ;
[0045] (8)上位机1通过被校表3的MCU7自动将相位值Θ写入被校表3的计量芯片8 的相位校正寄存器中，校正次数C1自动加1;
[0046] (9)重新读取校正后的被校表3的有功功率P1和标准表2的有功功率P0,若两 者之间的误差满足100%lb点感性0. 5的误差要求，则校正次数C1自动清零并进入步骤 (10)，若否，则自动判断校正次数C1是否到达校正次数的上限值M，若是，则本次校表结束， 若否，则返回步骤（7);
[0047] (10)上位机1根据第二误差ERR2,自动计算偏置值BS，并通过被校表3的MCU7自 动将偏置值BS写入到被校表3的计量芯片8的有功功率偏置校正寄存器中，完成5%lb点 阻性1. 0校表。
[0048] 本发明单相电能表的快速校表方法中，采用预先设置增益初值PGAIN快速定位到 目标误差值，避免重复调试，只需在100%lb点感性0. 5这个误差点同时获取视在功率偏差 和有功功率偏差，即可利用视在功率偏差进行100%lb点阻性1. 0的增益校正，利用有功功 率偏差进行100%lb点感性0. 5的相位校正，实现了 100%lb点阻性1. 0和100%lb点 感性0. 5的同时校正，而5%lb点阻性1. 0小信号校正由于误差值与100%lb点感性0. 5 的误差值接近，因此直接利用已经计算得到的100%lb点感性0. 5的误差值，来进行5 %lb 点阻性1. 0小信号校正，避免了小信号调试时间长、误差不稳定，容易跳变的问题，显著提 高了校表的效率和精度。
[0049] 作为优选，所述计量芯片8的型号为RN8209C。RN8209C计量芯片误差线性较好， 有利于提尚表计的精度。
[0050] 作为优选，步骤（5)中根据第一误差ERR1，自动计算修正的增益值PGAIN'的公式 为：PGAIf= -ERRlAl+ERRl)。采用RN8209C计量芯片给出的较好的计算方法，可提高表 计的精度。
[0051] 作为优选，步骤（7)中根据第二误差ERR2,自动计算相位值Θ的公式为：
[0052]
，采用RN8209C计量芯片给出的较好的 计算方法，可提高表计的精度。
[0053] 作为优选，步骤（10)中根据第二误差ERR2,自动计算偏置值BS的公式为：
[0054]BS= (PO/Kp) * (-ERR2)Al+PGAIf)。采用RN8209C计量芯片给出的较好的计算 方法，可提高表计的精度。
[0055] 作为优选，所述校正次数的上限值Μ为3-5次。合理的次数既可满足正常的校表 需求，又可提高校表的效率。
【主权项】
1. 一种单相电能表的快速校表方法，应用于单相电能表的校表系统中，所述单相电能 表的校表系统包括上位机（1)、程控功率源（4)、被校表（3)和标准表（2)，所述程控功率源 (4)、被校表（3)和标准表（2)均与上位机（1)电连接，所述被校表（3)和标准表（2)均与 程控功率源（4)电连接，所述被校表（3)设有MCU(7)和计量忍片（8)，所述标准表（2)也设 有MCU(5)和计量忍片化），其特征在于：它包括W下步骤： (1) 上电初始化，上位机（1)控制程控功率源（4)同时给被校表（3)和标准表（2)提供 100%额定电压化和100%标定电流扣，且设置功率因数PF= 0. 5以在上位机（1)中设置 增益初值PGAIN、功率转换系数化、校正次数的上限值M、校正次数C1 = 0; (2) 待标准表（2)功率稳定后，上位机（1)自动将增益初值PGAIN通过被校表（3)的 MCU(7)写入到被校表（3)的计量忍片（8)的功率增益校正寄存器中； (3) 上位机（1)通过标准表（2)的MCU巧）自动获取标准表（2)的计量忍片（6)检测到 的电压有效值U0、电流有效值10和有功功率P0 ; (4) 上位机（1)通过被校表（3)的MCU(7)自动获取被校表（3)的计量忍片（8)检测到 的电压有效值U1、电流有效值II和有功功率P1 ; (5) 上位机（1)自动计算标准表（2)的视在功率SO=U0*I0/化，被校表（3)的视在 功率S1 =U1*I1，根据标准表（2)和被校表（3)的视在功率，自动计算第一误差ERR1 = (S1-S0)/S0,再根据第一误差ERR1，自动计算修正的增益值PGAIN'; (6) 上位机（1)通过被校表（3)的MCU(7)自动将修正的增益值PGAIN'写入到被校表 (3)的计量忍片（8)的功率增益校正寄存器中，完成100%Ib点阻性1. 0校表； (7) 上位机（1)根据标准表（2)和被校表（3)的有功功率，自动计算第二误差ERR2，ERR2= [Ρ?α+PGAIN' )-(Ρ0/Κρ)]/(Ρ0/Κρ)，再自动根据第二误差ERR2 计算相位值Θ; (8) 上位机（1)通过被校表（3)的MCU(7)自动将相位值Θ写入被校表（3)的计量忍 片（8)的相位校正寄存器中，校正次数C1自动加1 ; (9) 重新读取校正后的被校表（3)的有功功率Ρ1和标准表（2)的有功功率Ρ0,若两 者之间的误差满足100%Ib点感性0. 5的误差要求，则校正次数C1自动清零并进入步骤 (10)，若否，则自动判断校正次数C1是否到达校正次数的上限值M，若是，则本次校表结束， 若否，则返回步骤（7); (10) 上位机（1)根据第二误差邸R2,自动计算偏置值BS，并通过被校表（3)的MCU(7) 自动将偏置值BS写入到被校表（3)的计量忍片（8)的有功功率偏置校正寄存器中，完成 5%Ib点阻性1.0校表。2. 根据权利要求1所述的一种单相电能表的快速校表方法，其特征在于：所述计量忍 片（8)的型号为RN8209C。3. 根据权利要求2所述的一种单相电能表的快速校表方法，其特征在于：步骤巧） 中根据第一误差ERR1，自动计算修正的增益值PGAIN'的公式为：PGAIN' = -ERR1/ (1 巧RR1)。4. 根据权利要求2所述的一种单相电能表的快速校表方法，其特征在于：步骤（7)中 根据第二误差ERR2,自动计算相位值Θ的公式为：g二[J:化滿锁/?2/、巧)*('!80.''对].''0.02,5. 根据权利要求2所述的一种单相电能表的快速校表方法，其特征在于：步骤（10)中 根据第二误差ERR2,自动计算偏置值BS的公式为：BS= (ΡΟ/Κρ) * (-ERR2) /α+PGAIN')。6.根据权利要求1所述的一种单相电能表的快速校表方法，其特征在于：所述校正次 数的上限值Μ为3-5次。
【专利摘要】一种单相电能表的快速校表方法，采用预先设置被校表的计量芯片的功率增益校正寄存器的增益初值快速定位到目标误差值，只调试100％Ib点感性0.5这个误差点，在此误差点同时获取视在功率偏差和有功功率偏差，利用视在功率偏差进行100％Ib点阻性1.0的增益校正，利用有功功率偏差进行100％Ib点感性0.5的相位校正，直接利用已经计算得到的100％Ib点感性0.5的误差值，来进行5％Ib点阻性1.0小信号校正，避免了小信号调试时间过长，该方法具有快速定位误差目标值，校表效率和精度显著提高的优点。
【IPC分类】G01R35/04
【公开号】CN105242233
【申请号】CN201510686086
【发明人】郑坚江, 季上满, 应必金, 陈恢云
【申请人】宁波三星医疗电气股份有限公司
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2015年10月21日