晶片频率测试装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明属于晶片制造生产技术领域，具体涉及一种晶片频率测试装置。
【背景技术】
[0002]随着电子制造业的不断发展，晶片被广泛应用于电子制造中，如何对晶片的性能进行有效地测试，从而获得合格的晶片成为人们关注的问题。目前，在对晶片的频率性能进行测试时，一般采用“接触式”测试方法，即通常首先采用两个金属探头压住晶片，然后向两个金属探头分别施加交流电源，根据在不同交流电源频率下两个金属探头与晶片的组合的振幅来确定晶片的谐振频率。然而，该方法在将两个金属探头压住晶片时可能对晶片造成损坏，并且经研究发现，该方法测试得出的晶片谐振频率相比于晶片实际谐振频率较低，即该方法测试得出的晶片谐振频率的准确度较低。而采用“空气隙”测试方法，上方的金属探头离开晶片表面一定的距离来感应晶片的振动，会造成一定的能量损失，在频率测试仪器上测试的幅频曲线响应较弱，幅度最大对应的频率点不准确，也不能准确测试出晶片的谐振频率。
【发明内容】
[0003]本发明提供一种晶片频率测试装置，以解决目前在对晶片进行频率测试时容易损坏晶片和准确度较低的问题。
[0004]根据本发明实施例的第一方面，提供一种晶片频率测试装置，包括金属探头、金属台面、固定架和频率测试仪器，其中所述金属探头的顶端通过弹性组件连接所述固定架，底端设置有与所述金属台面平行的金属片；
[0005]所述频率测试仪器用于向所述金属台面和所述金属片之间依次施加不同频率的交流电源，并在所述不同频率的交流电源下，对置于所述金属片与所述金属台面之间的晶片的振幅进行测量，从而形成所述晶片的幅频曲线，以根据所述幅频曲线确定所述晶片的谐振频率。
[0006]在一种可选的实现方式中，所述幅频曲线中幅值最尚点对应的频率即为所述晶片的谐振频率。
[0007]在另一种可选的实现方式中，所述金属片的面积随着所述晶片的预期谐振频率、机电耦合系数的增大而减小，随着所述晶片尺寸的减小而减小且所述金属片面积小于所述晶片的面积。
[0008]在另一种可选的实现方式中，所述金属探头采用螺纹连接的方式固定在所述固定架中。
[0009]在另一种可选的实现方式中，所述频率测试仪器的测量端与所述弹性组件、所述金属探头和所述金属片中任意一个进行连接，以对置于所述金属片与所述金属台面之间的晶片的振幅进行测量。
[0010]在另一种可选的实现方式中，所述频率测试仪器用于在所述不同频率的交流电源下，对置于所述金属片与所述金属台面之间的晶片的居中区域的振幅进行测量。
[0011]本发明的有益效果是:
[0012]1、本发明的晶片频率测试装置中频率测试仪器对与晶片接触的金属台面和晶片正上方的金属片之间依次施加不同频率的交流电源，因此在金属片与金属台面之间会形成不同频率的交流电场，晶片在不同频率的交流电场下可以发生振动，另外由于金属片固定在金属探头底端而金属探头顶端通过弹性组件连接固定架，晶片在振动过程中弹性组件会给金属探头一个向上的拉力，因此可以减轻金属探头和金属片对晶片振动的影响，从而使频率测试仪器测试出的振幅能够更加准确地反映出晶片的实际振动情况，进而可以提高晶片谐振频率的测试准确度;此外，本发明通过将金属片固定在金属探头底端而金属探头顶端通过弹性组件连接固定架，可以使晶片在置于金属片与金属台面之间后，金属片、晶片和金属台面相互之间可以良好接触，但又不至于对晶片造成损坏；
[0013]2、本发明通过使金属片的面积随着晶片的预期谐振频率、机电耦合系数的增大而减小，随着晶片尺寸的减小而减小，可以提尚晶片的频率测试准确度；
[0014]3、本发明通过使金属片的面积小于晶片的面积，可以提高晶片的频率测试准确度；
[0015]4、本发明通过将金属探头采用螺纹连接的方式固定在固定架中，可以方便测试人员根据晶片的预期谐振频率、机电耦合系数和尺寸来更换金属片，从而可以提高该晶片频率测试装置的适用范围；
[0016]5、本发明通过将频率测试仪器的测量端连接可以反映晶片振动情况的弹性组件或金属探头或金属片，而非直接连接晶片，可以降低振幅测量过程对晶片振动的影响；
[0017]6、本发明通过将晶片的居中区域置于金属片与金属台面之间进行频率测试，由此可以进一步提高晶片的频率测试准确度。
【附图说明】
[0018]图1是本发明晶片频率测试装置的一个实施例结构图。
【具体实施方式】
[0019]为了使本技术领域的人员更好地理解本发明实施例中的技术方案，并使本发明实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明实施例中技术方案作进一步详细的说明。
[0020]在本发明的描述中，除非另有规定和限定，需要说明的是，术语“连接”应做广义理解，例如，可以是机械连接或电连接，也可以是两个元件内部的连通，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
[0021]参见图1，为本发明晶片频率测试装置的一个实施例结构图。该晶片频率测试装置可以包括金属探头110、金属台面120、固定架130和频率测试仪器140，其中金属探头110的顶端可以通过弹性组件150连接固定架130，顶端可以设置有与金属台面120平行的金属片160，频率测试仪器140可以用于向金属台面120和金属片160之间依次施加不同频率的交流电源，并在不同频率的交流电源下，对置于金属片160与金属台面120之间的晶片170的振幅进行测量，从而形成该晶片170的幅频曲线，以根据该幅频曲线确定该晶片170的谐振频率。
[0022]本实施例中，在对晶片的频率特性进行测试之前，金属探头110顶端连接的弹性组件150可以处于拉伸状态，且金属探头110底端连接的金属片160与金属台面120之间可以存在预设的距离(该预设的距离可以小于对应晶片的设计厚度)。这样，当将晶片170置于金属片160与金属台面120之间时，金属片160、晶片170和金属台面120相互之间可以良好接触，但又不至于对晶片170造成损坏。
[0023]在对晶片的频率性能进行测试时，可以首先将