和32中产生的磁场与另外的磁场、例如地磁场的叠加，各个磁芯结构12、16和32的自发的交变磁化(Ummagnetisierung)可能出现。借助在至少一个探测线圈中感应的电压，磁芯结构12、16和32的自发的交变磁化可以是能探测的。接着，可以通过评估磁芯结构12、16和32的自发的交变磁化的时间点来确定所述另外的磁场的场强。
[0043]上述的实施方式由此有利地适用于构造2D或者3D磁场传感器。此外，可以将所有的实施方式与加速传感器结合。例如可以由传感器数据合并(Sensordatenfus1n)来确定相对于磁北极的当前方向。因此，这些实施方式也适合于罗盘。
[0044]在上述的实施方式中，第二磁芯结构16的第一端部面16a(的所有点)相对于第一磁芯结构12的第一重心SI的(最小)间距称为al或者a2。由此要表达的是，根据磁芯结构12和16相对于彼此的布置而定，第二磁芯结构16的第一端部面16a相对于第一重心SI的间距例如可以是第一端部面16a的中点的距离al(看图1a)或者第一端部面16a的角点的距离a2(看图2)。但这里给出的例子应不被限制地解读。
[0045]图3示出用于解释磁传感器装置的制造方法的实施方式的流程图。
[0046]在下文中描述的制造方法适合于所有上述实施方式的制造。要指出的是，制造方法的可实施性不局限于这样的磁传感器装置的制造。
[0047]在方法步骤SI中，具有至少一个第一线圈的第一磁芯结构沿第一中心纵轴线这样取向/构成，使得该至少一个第一线圈的线匝围绕第一中心纵轴线走向。此外，在方法步骤S2中，具有至少一个第二线圈的第二磁芯结构沿第二中心纵轴线取向/构成，该第二中心纵轴线位于垂直于第一中心纵轴线取向的平面内。这样执行方法步骤S2，使得第二磁芯结构从第二磁芯结构的第一端部面沿第二中心纵轴线向第二磁芯结构的第二端部面延伸并且至少一个第二线圈的线匝围绕第二磁芯结构的第二中心纵轴线走向。(第一端部面和第二端部面的限定已经在上面说明。)在执行方法步骤SI和S2时保证，将第二磁芯结构相对于第一磁芯结构这样布置，使得第二磁芯结构的第一端部面相对于第一磁芯结构的第一重心的间距小于第一磁芯结构沿第一中心纵轴线的最大延伸的20 %。
[0048]方法步骤SI和S2可以以任意的顺序或者同时被执行。在有利的扩展构造中还可以添加具有至少一个第三线圈的第三磁芯结构，其中，至少一个第三线圈的线匝围绕第三磁芯结构的第三中心纵轴线走向。第三磁芯结构的第三中心纵轴线垂直于第一中心纵轴线并且垂直于第二中心纵轴线取向。上面已经说明了三个磁芯结构相互的有利布置的可能性。
【主权项】
1.磁传感器装置，其具有: 沿第一中心纵轴线(10)取向的、具有至少一个第一线圈(18)的第一磁芯结构(12)，其中，所述至少一个第一线圈(18)的线匝围绕第一磁芯结构(12)的第一中心纵轴线(10)走向；和 具有至少一个第二线圈(20)的第二磁芯结构(16)，其中，所述第二磁芯结构(16)从该第二磁芯结构(16)的第一端部面(16a)沿第二中心纵轴线(14)延伸至该第二磁芯结构(16)的第二端部面(16b)并且所述至少一个第二线圈(20)的线匝围绕该第二磁芯结构(16)的第二中心纵轴线(14)走向； 其中，所述第二中心纵轴线(14)位于与所述第一中心纵轴线(10)垂直地取向的平面内， 其特征在于， 所述第二磁芯结构(16)相对于所述第一磁芯结构(12)这样布置，使得该第二磁芯结构(16)的第一端部面(16a)相对于该第一磁芯结构(12)的第一重心(SI)的间距(al，a2)小于所述第一磁芯结构(12)沿该第一中心纵轴线(10)的最大延伸(LI)的20%。2.根据权利要求1所述的磁传感器装置，其中，第二磁芯结构(16)相对于第一磁芯结构(12)这样布置，使得第二中心纵轴线(14)位于一与第一中心纵轴线(10)垂直地取向并且包括第一磁芯结构(12)的第一重心(SI)的平面内。3.根据权利要求2所述的磁传感器装置，其中，所述第二磁芯结构(16)相对于所述第一磁芯结构(12)这样布置，使得所述第二中心纵轴线(14)穿过该第一磁芯结构(12)的第一重心(SI)地走向。4.根据以上权利要求之一所述的磁传感器装置，其中，所述磁传感器装置包括沿第三中心纵轴线(30)取向的、具有至少一个第三线圈(34)的第三磁芯结构(32)，其中，所述至少一个第三线圈(34)的线匝围绕第三磁芯结构(32)的第三中心纵轴线(30)走向，其中，该第三中心纵轴线(30)垂直于所述第一中心纵轴线(10)并且垂直于所述第二中心纵轴线(14)地取向。5.根据权利要求4所述的磁传感器装置，其中，所述第三磁芯结构(32)相对于所述第一磁芯结构(12)和所述第二磁芯结构(16)这样布置，使得该第三磁芯结构(32)相对于该第一磁芯结构(12)的第一重心(SI)的间距小于该第一磁芯结构(12)沿所述第一中心纵轴线(10)的最大延伸(LI)的20%和/或所述第三磁芯结构(30)相对于该第二磁芯结构(16)的第二重心的间距小于该第二磁芯结构(16)沿所述第二中心纵轴线(14)的最大延伸的20%。6.根据权利要求4或者5所述的磁传感器装置，其中，所述第三磁芯结构(32)这样相对于所述第一磁芯结构(12)和所述第二磁芯结构(16)布置，使得该第一磁芯结构(12)相对于该第三磁芯结构(32)的第三重心(S3)的间距小于该第三磁芯结构(32)沿所述第三中心纵轴线(30)的最大延伸(L3)的20%和/或该第二磁芯结构(16)相对于该第三磁芯结构(32)的第三重心(S3)的间距小于该第三磁芯结构(32)沿所述第三中心纵轴线(30)的最大延伸(L3)的 20%。7.根据权利要求4至6之一所述的磁传感器装置，其中，所述第三磁芯结构(32)这样相对于所述第一磁芯结构(12)和所述第二磁芯结构(16)布置，使得所述第三中心纵轴线(30)位于一与所述第一中心纵轴线(10)垂直地取向并且包括所述第一磁芯结构(12)的第一重心(SI)的平面内或者位于一与所述第二中心纵轴线(14)垂直地取向并且包括所述第二磁芯结构(16)的第二重心的平面内。8.根据权利要求7所述的磁传感器装置，其中，所述第三磁芯结构(32)这样相对于所述第一磁芯结构(12)和所述第二磁芯结构(16)布置，使得所述第三中心纵轴线(30)穿过该第一磁芯结构(12)的第一重心(SI)或者该第二磁芯结构(16)的第二重心地走向。9.根据以上权利要求之一所述的磁传感器装置，其中，至少一个驱动线圈和/或者至少一个探测线圈作为所述至少一个线圈(18、20、34)布置在所述至少两个磁芯结构(12、16、32)中的至少一个上。10.用于磁传感器装置的制造方法，其包括步骤: 使具有至少一个第一线圈(18)的第一磁芯结构(12)沿第一中心纵轴线(10)这样取向，使得所述至少一个第一线圈(18)的线匝围绕所述第一中心纵轴线(10)走向(SI);和 使具有至少一个第二线圈(20)的第二磁芯结构(16)沿位于一与所述第一中心纵轴线(10)垂直地取向的平面内的第二中心纵轴线(14)这样取向，使得该第二磁芯结构(16)从该第二磁芯结构(16)的第一端部面(16a)沿所述第二中心纵轴线(14)延伸至第二磁芯结构(16)的第二端部面(16b)并且所述至少一个第二线圈(20)的线匝围绕所述第二磁芯结构(16)的第二中心纵轴线(14)走向(S2); 其特征在于， 使第二磁芯结构(16)相对于第一磁芯结构(12)这样布置，使得所述第二磁芯结构(16)的第一端部面(16a)相对于该第一磁芯结构(12)的第一重心(SI)的间距(al，a2)小于该第一磁芯结构(12)沿所述第一中心纵轴线(10)的最大延伸(LI)的20%。
【专利摘要】本发明涉及一种磁传感器装置，其具有：沿第一中心纵轴线(10)取向的、具有至少一个第一线圈(18)的第一磁芯结构(12)，和具有至少一个第二线圈(20)的第二磁芯结构(16)，其中，该第二磁芯结构(16)从该第二磁芯结构(16)的第一端部面(16a)沿第二中心纵轴线(14)延伸至该第二磁芯结构(16)的第二端部面(16b)，其中，所述第二中心纵轴线(14)位于一与所述第一中心纵轴线(10)垂直地取向的平面内，并且其中，所述第二磁芯结构(16)相对于所述第一磁芯结构(12)这样布置，使得该第二磁芯结构(16)的第一端部面(16a)相对于该第一磁芯结构(12)的第一重心(S1)的间距(a1，a2)小于该第一磁芯结构(12)沿该第一中心纵轴线(10)的最大延伸(L1)的20％。此外，本发明涉及用于该磁传感器装置的制造方法。
【IPC分类】G01R33/04, G01R33/00
【公开号】CN105705960
【申请号】CN201480060663
【发明人】T·锡南奥卢, S·真科尔, C·保陶克, A·布赖特林, A·丹嫩贝格, V·森兹
【申请人】罗伯特·博世有限公司
【公开日】2016年6月22日
【申请日】2014年9月5日
【公告号】DE102013222538A1, WO2015067391A1