基于传输线结构的宽带非接触式镀层无源互调测试装置的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种基于传输线结构的宽带非接触式镀层无源互调测试装置，包括微带传输线、第一低频同轴连接器、第二低频同轴连接器及PIM测试仪，微带传输线的一端通过第一低频同轴连接器与PIM测试仪相连接，微带传输线的另一端通过第二低频同轴连接器与PIM测试仪相连接，待测镀层金属母板位于微带传输线的介质层内。本发明的互调指标测试结果具有较高的针对性及准确性。
【专利说明】
基于传输线结构的宽带非接触式镀层无源互调测试装置
技术领域
[0001]本发明属于镀层测试技术领域，涉及一种基于传输线结构的宽带非接触式镀层无源互调测试装置。
【背景技术】
[0002]两个或两个以上的载波信号经过具有非线性响应的部件时，会产生不同于载波频率的新信号，此现象称为无源互调。无源互调(passive intermodulat1n PIM)是指两个或两个以上频率的发射载波在无源非线性器件中混合而产生的杂散信号，其已经对现代大功率、多通道通信系统造成严重干扰。
[0003]目前，关于镀层材料的无源互调测试，主要基于实验室特定环境。通用的关于材料及镀层的无源互调测试的方案，基本是在现有的同轴或波导上，通过改变内外导体或金属接触面的材料及镀层实现对无源互调指标的评估。但由于现有的同轴或波导本身已作为已知的标准件，其封闭结构，使得在待测件的更换过程中，往往会将连接不可靠性引入，使得测试结果中包含不确定因素。而传统的对镀层无源互调测试装置往往无法避免接触无源互调特性对非接触式无源互调特性测试的干扰。传统的无源互调测试过程中，往往不能做到对无源互调测试回路的原位校准，使得测试结果包含于测试不确定之中，使得镀层材料的互调指标的针对性亟待提尚。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供了一种基于传输线结构的宽带非接触式镀层无源互调测试装置，该装置的互调指标测试结果具有较高的针对性及准确性。
[0005]为达到上述目的，本发明所述的基于传输线结构的宽带非接触式镀层无源互调测试装置包括微带传输线、第一低频同轴连接器、第二低频同轴连接器及PIM测试仪，微带传输线的一端通过第一低频同轴连接器与PIM测试仪相连接，微带传输线的另一端通过第二低频同轴连接器与PIM测试仪相连接，待测镀层金属母板位于微带传输线的介质层内。
[0006]微带传输线的上导体的中部开设有通孔，微带传输线的介质层上开设有凹槽，待测镀层金属母板穿过所述通孔内嵌于所述凹槽内。
[0007]所述第一低频同轴连接器及第二低频同轴连接器均为L29连接器。
[0008]镀于金属母板上的待测镀层为磁滞性材料。
[0009]磁滞性材料为镍。
[0010]所述凹槽的横截面为圆形或长方形。
[0011]本发明具有以下有益效果:
[0012]本发明所述的基于传输线结构的宽带非接触式镀层无源互调测试装置在具体操作时，以微带传输线为待测镀层金属母板的载体，将待测镀层金属母板放置于介质层中，通过上导体产生的电磁场使用非接触的电磁场扰动方法激励位于介质层中的待测镀层金属母板，使其产生的无源互调信号传输至PM测试仪中，避免接触无源互调对镀层无源互调测试结果的干扰，提高测试结果的准确性，解决镀层材料无源互调测试中存在的接触不确定问题，从而使待测镀层材料的互调指标测试结果具有较高的针对性及准确性。
[0013]进一步，微带传输线的上导体的中部开设有通孔，微带传输线的介质层上开设有凹槽，待测镀层金属母板穿过所述通孔内嵌于所述凹槽内，便于待测镀层金属母板的安装放置，提高镀层材料无源互调测试效率。
【附图说明】
[0014]图1(a)为本发明中微带传输线的结构示意图；
[0015]图1(b)为本发明中微带传输线的侧视图；
[0016]图2为本发明中微带传输线的截面图；
[0017]图3为本发明中待测镀层金属母板的结构示意图；
[0018]图4(a)为当待测镀层金属母板为圆柱体结构时本发明中的电磁场分布图；
[0019]图4(b)为当待测镀层金属母板为与长方体形结构时本发明中的电磁场分布图；
[0020]图5为立方体型待测镀层金属母板及圆柱体的待测镀层金属母板的电性能(VSWR)仿真图；
[0021]图6为本发明的结构示意图。
[0022]其中，I为介质层、2为第一低频同轴连接器、3为第二低频同轴连接器、4为上导体、5为PIM测试仪。
【具体实施方式】
[0023]下面结合附图对本发明做进一步详细描述:
[0024]参考图1(a)、图1(b)、图2及图3，本发明所述的基于传输线结构的宽带非接触式镀层无源互调测试装置包括微带传输线、第一低频同轴连接器2、第二低频同轴连接器3及P頂测试仪5，微带传输线的一端通过第一低频同轴连接器2与P頂测试仪5相连接，微带传输线的另一端通过第二低频同轴连接器3与PIM测试仪5相连接，待测镀层金属母板位于微带传输线的介质层I内。
[0025]需要说明的是，微带传输线的上导体4的中部开设有通孔，微带传输线的介质层I上开设有凹槽，待测镀层金属母板穿过所述通孔内嵌于所述凹槽内；所述第一低频同轴连接器2及第二低频同轴连接器3均为L29连接器;镀于金属母板上的待测镀层为磁滞性材料，例如，磁滞性材料为镍;凹槽的横截面为圆形或长方形。
[0026]所述通孔开设有上导体4的中央位置，上导体4、介质层1、待测镀层金属母板及下导体设计为标准的50 Ω特性阻抗，微带传输线的两端通过低频同轴连接器与P頂测试仪5相连接。
[0027]微带传输线中的电磁场信号按照图4(a)及图4(b)所示激励待测镀层金属母板;其中，磁力线方向垂直于待测镀层金属母板，完全穿透待测镀层金属母板。而垂直的电场方向与待测镀层金属母板窄条方向平行，使得电场不激励待测件;参考图5，根据不同的测试及制样需求，在确定待测镀层金属母板尺寸后，使用EDA软件设计相应的测试工装。使其满足无源互调测试的电性能需求。
[0028]参考图6，本发明先使用未镀层的金属母板用于对测试回路残余互调的自校准，之后将有镀层的金属母板插入凹槽内进行互调测试，然后通过比较两次测量的结果评估镀层材料互调值的大小。
【主权项】
1.一种基于传输线结构的宽带非接触式镀层无源互调测试装置，其特征在于，包括微带传输线、第一低频同轴连接器(2)、第二低频同轴连接器(3)及P頂测试仪(5)，微带传输线的一端通过第一低频同轴连接器(2)与PIM测试仪(5)相连接，微带传输线的另一端通过第二低频同轴连接器(3)与PIM测试仪(5)相连接，待测镀层金属母板位于微带传输线的介质层(I)内。2.根据权利要求1所述的基于传输线结构的宽带非接触式镀层无源互调测试装置，其特征在于，微带传输线的上导体(4)的中部开设有通孔，微带传输线的介质层(I)上开设有凹槽，待测镀层金属母板穿过所述通孔内嵌于所述凹槽内。3.根据权利要求1所述的基于传输线结构的宽带非接触式镀层无源互调测试装置，其特征在于，所述第一低频同轴连接器(2)及第二低频同轴连接器(3)均为L29连接器。4.根据权利要求1所述的基于传输线结构的宽带非接触式镀层无源互调测试装置，其特征在于，镀于金属母板上的待测镀层为磁滞性材料。5.根据权利要求4所述的基于传输线结构的宽带非接触式镀层无源互调测试装置，其特征在于，磁滞性材料为镍。6.根据权利要求1所述的基于传输线结构的宽带非接触式镀层无源互调测试装置，其特征在于，所述凹槽的横截面为圆形或长方形。
【文档编号】G01N27/00GK106053534SQ201610279798
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年4月28日
【发明人】贺永宁, 陈雄
【申请人】西安交通大学