>[0028]图9是本实用新型一种实施例提供的一种场效应管的测试电路中第二开关电路的电路图；
[0029]图10是本实用新型一种实施例提供的一种场效应管的测试电路中运算放大电路的电路图。
【具体实施方式】
[0030]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0031]为了说明本实用新型的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。
[0032]本实用新型一种实施例提供一种场效应管的测试电路，如图1所示，测试电路包括控制电路101、第一测试源102、第一开关器件103、第二开关器件104以及第三开关器件105，场效应管106上设有第一源极测试端、第二源极测试端、第一漏极测试端以及第二漏极测试端，第一源极测试端与第二源极测试端通过源极连接，第一漏极测试端与第二漏极测试端通过漏极连接。
[0033]第一测试源102连接场效应管的栅极，场效应管的栅极连接第一开关器件103的输入端，第一开关器件103的输出端连接第一源极测试端，第二开关器件104的输入端连接第二源极测试端，输出端连接第一漏极测试端，第三开关器件105的输入端连接第二漏极测试端，输出端接地，控制电路101的第一输出端连接第一开关器件103的控制端，控制电路101的第二输出端连接第二开关器件104的控制端，控制电路101的第三输出端连接第三开关器件105的控制端。
[0034]控制电路101控制第一开关器件103、第二开关器件104以及第三开关器件105处于导通状态，使第一测试源102、第一源极测试端、场效应管的栅极、第二源极测试端、第一漏极测试端、第二漏极测试端以及地形成测量回路，并在第一测试源102输出电流时检测测量回路的电压值，根据电压值和电流值测试场效应管106的接触阻抗。
[0035]本实施例中，具体的，对场效应管106的接触阻抗进行测试，通过布线和继电器的切换，使测试源、管脚、与管脚接触的夹手以及地形成一个串联的回路，通过加流测压的方式，换算出接触阻抗。
[0036]本实用新型另一种实施例一种场效应管的测试电路，如图2所示，所述测试电路还包括第二测试源109、第四开关器件107、第一开关电路101、测试电阻110以及运算放大芯片111。
[0037]所述第四开关器件107的输入端连接第二测试源109，输出端连接所述场效应管106的漏极，所述第一开关电路101的输入端连接所述场效应管106的栅极，输出端连接所述运算放大芯片111的输入端和测试电阻110的第一端，所述测试电阻110的第二端连接所述运算放大芯片111的输出端，所述控制电路101的第四输出端连接所述第四开关器件107的控制端，所述控制电路101的第五输出端连接所述第一开关电路101的控制端。
[0038]控制电路101控制第二开关器件104、第四开关器件107和第一开关电路101处于导通状态，使场效应管106的源极和漏极连接在一起，使场效应管106的栅极连接运算放大芯片111的输入端，并在第二测试源109输出电流时检测运算放大芯片111的输出电压值，根据输出电压值和测试电阻110的阻值测试场效应管106的栅极和漏极之间的漏电电流。
[0039]在本实施例中，具体的，对栅极和源极进行漏电(IGSS)测试:源极和漏极短接到第二测试源109，闭合第一开关电路101，使栅极接到运放输入端；第二测试源109施加相应的电压V_B，DVM通过运放测量输出电SV_DVM，根据运放的虚短原理:第二施加电压(V_B)/栅极源极之间阻抗=V_DVM/10M欧姆，因为栅极源极漏电(IGSS)=第二测试源109施加电压(V_B)/栅极源极之间阻抗，所以栅源漏电(IGSS) = V_DVM/10M欧姆。
[0040]进一步的，第一开关电路101包括第五开关器件、第六开关器件以及第七开关器件，第五开关器件、第六开关器件以及第七开关器件串连在一起，第五开关器件输入端连接场效应管106的栅极，第五开关器件在断开时连接第一测试源102，在闭合时连接第六开关器件的输入端，第六开关器件在断开时连接第七开关器件的输入端，在闭合时连接场效应管106的漏极，第七开关器件在断开时接地，在闭合时连接运算放大芯片111的输入端。
[0041]优选的，第一开关器件103、第二开关器件104、第三开关器件105、第四开关器件107、第五开关器件、第六开关器件以及第七开关器件为双刀双掷开关。
[0042]进一步的，如图3所示，测试电路还包括第二开关电路112，第二开关电路112的输入端连接场效应管106的源极，输出端连接运算放大芯片111的输入端和测试电阻110的
AA-上山弟一栖;
[0043]控制电路101控制第四开关器件107、第一开关电路101和第二开关电路112处于导通状态，使场效应管106的栅极和源极连接运算放大芯片111的输入端，并在第二测试源109输出电流时检测运算放大芯片111的输出电压值，根据输出电压值和测试电阻110的阻值测试场效应管106的源极和漏极之间的漏电电流。
[0044]在本实施例中，具体的，对漏极源极进行漏电(IDSS)测试:闭合继电器第一开关电路101、第二开关电路112、第四开关器件107 ;使栅极(G)和源极(S)短接到运放输入端；第二测试源109施加相应的电压V_B，DVM通过运放测量输出电压V_DVM，根据运放的虚短原理:第二测试源109施加电压(V_B)/漏极源极之间阻抗=V_DVM/10M欧姆，因为漏极源极之间漏电(IDSS)=第二测试源109施加电压(V_B)/漏极源极之间阻抗，所以漏极源极之间漏电(IGSS) = V_DVM/10M 欧姆；(P-MOS V_B 为负，N-MOS V_B 为正)。
[0045]进一步的，第二开关电路112包括第八开关器件、第九开关器件以及第十开关器件，第八开关器件、第九开关器件以及第十开关器件串连在一起，第八开关器件输入端连接场效应管106的源极，第八开关器件在断开时连接第九开关器件的输入端，在闭合时接地，第九开关器件在闭合时连接第十开关器件的输入端，第十开关器件在断开时连接场效应管106的漏极，在闭合时连接运算放大芯片111的输入端。
[0046]优选的，第八开关器件、第九开关器件以及第十开关器件为双刀双掷开关。
[0047]测试电路还包括第一二极管和第二二极管，第一二极管的阴极连接运算放大芯片111的输入端和第二二极管的阳极，第一二极管的阳极与的第二二极管的阴极共地连接。
[0048]具体的，请参见图4至图10具体开关器件的电路图，如图4所示，第一开关器件103为双刀双掷开关K13，在闭合时将第一测试源通过栅极GlS和源极SlS短接。如图5所示，第二开关器件104为双刀双掷开关K14，在闭合式将源极SlS和漏极DlF短接。如图6和图7所示，第三开关器件105为双刀双掷开关K15，在闭合式将漏极DlF与地短接。
[0049]如图8所示，第一开关电路101包括第五开关器件K3、第六开关器件K6以及第七开关器件K4，第五开关器件K3、第六开关器件K6以及第七开关器件K4串连在一起，第五开关器件K3输入端连接场