一种电源电子负载的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及一种电源电子负载。
【背景技术】
[0002]对电源的性能进行测试时需要提供一个模拟的电子负载。早期由于电阻和电阻箱等负载采用有级调节，有固定阻值或固定负载特性曲线，负载形式单一，功率小。而实际负载形式比较复杂，通常都是动态的以及负载随时间、频率在不断地变化，传统的静态负载越来越不能满足电源测试的需求。因此，国内外学者都在寻求可以替代的负载形式，产生了由电阻、电感、电容、晶体管和集成电路组成的电子负载。
[0003]但现有的电子负载电路电能消耗大、影响供电电路中的其他设备且热损耗大。【实用新型内容】
[0004]鉴于以上内容，本实用新型提供了一种节约电能、不供电电路中其他设备、热损耗大大减少的电子负载。
[0005]为达到上述目的，本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
[0006]一种电源电子负载，包括桥式整流电路、第一滤波电路、MOSFET桥式逆变电路、第二滤波电路、负载特性调整器电路和升压整流电路；
[0007]所述第一滤波电路包括并联的第一电容和第一电阻；
[0008]所述第二滤波电路包括第一电感、第二电感和第二电容，所述第二电容的一端连接所述第一电感的一端、另一端连接所述第二电感的一端；
[0009]所述负载特性调整器电路包括第四电感、第三二极管、第一金属-氧化物半导体场效应管、第三电容；所述第三电容的一端连接所述第三二极管的负极，另一端连接所述第一金属-氧化物半导体场效应管的漏极；所述第一金属-氧化物半导体场效应管的源极连接所述第三二极管的正极；所述第四电感的一端连接所述第一金属-氧化物半导体场效应管的源极和所述第三二极管的正极连接的交汇点；
[0010]所述升压整流电路包括第二金属-氧化物半导体场效应管、第三金属-氧化物半导体场效应管、变压器、第一二极管、第二二极管、第三电感，所述第二金属-氧化物半导体场效应管的栅极连接所述变压器的低压线圈的一端，所述第三金属-氧化物半导体场效应管的源极连接所述变压器的低压线圈的另一端，所述第一二极管的正极连接所述变压器的高压线圈的一端，所述第二二极管的正极连接所述变压器的高压线圈的另一端，所述第一二极管的负极、第二二极管的负极和第三电感的一端连接在一起；
[0011]所述桥式整流电路的两个输入端连接供电电源，两个输出端连接第一滤波电路的两个输入端；所述第一滤波电路的两个输出端连接所述MOSFET桥式逆变电路的两个输入端；所述MOSFET桥式逆变电路的两个输出端连接所述第二滤波电路的两个输入端；所述第二滤波电路的两个输出端连接被测电源的两个输入端；所述被测电源的两个输出端连接所述负载特性调整器电路的两个输入端；所述负载特性调整器电路的两个输出端连接所述升压整流电路的两个输入端；所述升压整流电路的两个输入端连接第一滤波电路的两个输入端。
[0012]其进一步特征如下:
[0013]所述被测电源两个输入端中的任一输入端中串联一分流器，用来采样所述被测电源的电压电流。
[0014]由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列有益效果:
[0015]①:可以根据实际需要灵活调整负载的特性。②:馈电部分直接为被测电源所用，节约了宝贵的电能。③:馈电没有直接输出到电网，不影响其他的用电设备。④:由于本产品热损耗较现有技术大大减少，所以设备的体积和重量可以很小。
【附图说明】
[0016]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1是本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0018]下面结合具体实施例，对本实用新型的内容做进一步的详细说明:
[0019]参阅图1，一种电源电子负载，包括桥式整流电路1、第一滤波电路2、MOSFET桥式逆变电路3、第二滤波电路4、负载特性调整器电路5和升压整流电路6 ;
[0020]所述第一滤波电路包括并联的第一电容Cl和第一电阻Rl ;
[0021 ] 所述第二滤波电路包括第一电感L1、第二电感L2和第二电容C2，所述第二电容的一端连接所述第一电感的一端、另一端连接所述第二电感的一端；
[0022]所述负载特性调整器电路包括第四电感L4、第三二极管D3、第一金属-氧化物半导体场效应管G、第三电容C3;所述第三电容的一端连接所述第三二极管的负极，另一端连接所述第一金属-氧化物半导体场效应管的漏极；所述第一金属-氧化物半导体场效应管的源极连接所述第三二极管的正极；所述第四电感的一端连接所述第一金属-氧化物半导体场效应管的源极和所述第三二极管的正极连接的交汇点；
[0023]所述升压整流电路包括第二金属-氧化物半导体场效应管E、第三金属-氧化物半导体场效应管F、变压器T、第一二极管D1、第二二极管D2、第三电感L3，所述第二金属-氧化物半导体场效应管的栅极连接所述变压器的低压线圈的一端，所述第三金属-氧化物半导体场效应管的源极连接所述变压器的低压线圈的另一端，所述第一二极管的正极连接所述变压器的高压线圈的一端，所述第二二极管的正极连接所述变压器的高压线圈的另一端，所述第一二极管的负极、第二二极管的负极和第三电感的一端连接在一起；
[0024]所述桥式整流电路的两个输入端连接供电电源，两个输出端连接第一滤波电路的两个输入端；所述第一滤波电路的两个输出端连接所述MOSFET桥式逆变电路的两个输入端；所述MOSFET桥式逆变电路的两个输出端连接所述第二滤波电路的两个输入端；所述第二滤波电路的两个输出端连接被测电源的两个输入端；所述被测电源的两个输出端连接所述负载特性调整器电路的两个输入端；所述负载特性调整器电路的两个输出端连接所述升压整流电路的两个输入端；所述升压整流电路的两个输入端连接第一滤波电路的两个输入端。
[0025]所述被测电源两个输入端中的任一输入端中串联一分流器，用来采样所述被测电源的电压电流。
[0026]工作原理:
[0027]所述桥式整流电路I和MOSFET桥式逆变电路3为公知常识，不做详细介绍；
[0028]所述负载特性调整器电路5的原理是通过对第一金属-氧化物半导体场效应管G的PWM控制调整输出端电压和电流的相位关系，如果电流相位超前电压则整个电子负载相对于被测电源来讲呈容性负载特性，当电压和电流同相时则电子负载呈纯阻性负载，同理当电流相位落后于电压时则呈感性负载特性。
[0029]上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并加以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围，凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围内。
【主权项】
1.一种电源电子负载，其特征在于:包括桥式整流电路、第一滤波电路、MOSFET桥式逆变电路、第二滤波电路、负载特性调整器电路和升压整流电路； 所述第一滤波电路包括并联的第一电容和第一电阻； 所述第二滤波电路包括第一电感、第二电感和第二电容，所述第二电容的一端连接所述第一电感的一端、另一端连接所述第二电感的一端； 所述负载特性调整器电路包括第四电感、第三二极管、第一金属-氧化物半导体场效应管、第三电容；所述第三电容的一端连接所述第三二极管的负极，另一端连接所述第一金属-氧化物半导体场效应管的漏极；所述第一金属-氧化物半导体场效应管的源极连接所述第三二极管的正极；所述第四电感的一端连接所述第一金属-氧化物半导体场效应管的源极和所述第三二极管的正极连接的交汇点； 所述升压整流电路包括第二金属-氧化物半导体场效应管、第三金属-氧化物半导体场效应管、变压器、第一二极管、第二二极管、第三电感，所述第二金属-氧化物半导体场效应管的栅极连接所述变压器的低压线圈的一端，所述第三金属-氧化物半导体场效应管的源极连接所述变压器的低压线圈的另一端，所述第一二极管的正极连接所述变压器的高压线圈的一端，所述第二二极管的正极连接所述变压器的高压线圈的另一端，所述第一二极管的负极、第二二极管的负极和第三电感的一端连接在一起； 所述桥式整流电路的两个输入端连接供电电源，两个输出端连接第一滤波电路的两个输入端；所述第一滤波电路的两个输出端连接所述MOSFET桥式逆变电路的两个输入端；所述MOSFET桥式逆变电路的两个输出端连接所述第二滤波电路的两个输入端；所述第二滤波电路的两个输出端连接被测电源的两个输入端；所述被测电源的两个输出端连接所述负载特性调整器电路的两个输入端；所述负载特性调整器电路的两个输出端连接所述升压整流电路的两个输入端；所述升压整流电路的两个输入端连接第一滤波电路的两个输入端。2.根据权利要求1所述的一种电源电子负载，其特征在于:所述被测电源两个输入端中的任一输入端中串联一分流器，用来采样所述被测电源的电压电流。
【专利摘要】本实用新型公开了一种电源电子负载，包括桥式整流电路、第一滤波电路、MOSFET桥式逆变电路、第二滤波电路、负载特性调整器电路和升压整流电路。有益效果①：可以根据实际需要灵活调整负载的特性。②：馈电部分直接为被测电源所用，节约了宝贵的电能。③：馈电没有直接输出到电网，不影响其他的用电设备。④：由于本产品热损耗较现有技术大大减少，所以设备的体积和重量可以很小。
【IPC分类】G01R31/40
【公开号】CN204649939
【申请号】CN201520321288
【发明人】郑雷
【申请人】昆山普源电子科技有限公司
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2015年5月19日