一种高压可调电抗器电抗值准确性测试系统的制作方法

文档序号:9186513阅读:310来源:国知局
一种高压可调电抗器电抗值准确性测试系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于高压电抗器测试领域,更为具体的说是一种高压可调电抗器电抗值准确性测试系统。
【背景技术】
[0002]串联谐振升压所需电源容量大大减小,串联谐振电源是利用谐振电抗器和被试品电容谐振产生高电压和大电流的,在整个系统中,电源只需要提供系统中有功消耗的部分,因此,试验所需的电源功率只有试验容量的1/Q。设备的重量和体积大大减少。而并联谐振或者试验变压器方式做耐压试验时,击穿电流立即上升几十倍,两者相比,短路电流与击穿电流相差数百倍。所以,串联谐振能有效的找到绝缘弱点,又不存在大的短路电流烧伤故障点的忧患。不会出现任何恢复过电压。试品发生击穿时,因失去谐振条件,高电压也立即消失,电弧即刻熄灭,且恢复电压的再建立过程很长,很容易在再次达到闪落电压前断开电源,这种电压的恢复过程是一种能量积累的间歇振荡过程,其过程长,而且,不会出现任何恢复过电压。但是,谐振升压时所需高压可调电抗器在出厂前和使用过程中都需要准确的电抗值大小,因此需要进行对其进行准确测量。

【发明内容】

[0003]本实用新型的目的在于提供一种具有故障初始相角控制功能的配网单相接地试验装置系统,可以提高配网单相接地故障试验的安全性和准确性。
[0004]为实现以上技术目的,本实用新型提出了一种高压可调电抗器电抗值准确性测试系统,该系统包括试验电源、升压装置系统、高压可调电抗器、高精度电流传感器、高精度电阻分压测量装置、数据处理系统。其中,所述试验电源与升压装置系统相连接并接地,升压装置系统与高压可调电抗器、高精度电阻分压测量装置并联,高精度电流传感器串联至高压可调电抗器回路中并接地,数据处理系统接入高精度电流传感器和高精度电阻分压测量装置提供的二次信号,通过测量分析得出高压电抗器电抗值。
[0005]本实用新型所述高压可调电抗器电抗值准确性测试系统可以精确测试计算电抗器电抗值。
[0006]本实用新型专利的有益效果以及优点如下:
[0007]1、本实用新型具有较高的安全性、灵活性。
[0008]2、本实用新型具有一次高压和二次低压分离,保障试验人员安全;
[0009]3、本实用新型具有测量准确等级高。
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型的总体结构示意图;
[0011]以下结合附图和具体实施例对本实用新型的【具体实施方式】进一步详细说明。
【具体实施方式】
[0012]如图1所示,一种高压可调电抗器电抗值准确性测试系统,该系统包括试验电源、升压装置系统、高压可调电抗器、高精度电流传感器、高精度电阻分压测量装置、数据处理系统。其中,所述试验电源与升压装置系统相连接并接地,升压装置系统与高压可调电抗器、高精度电阻分压测量装置并联,高精度电流传感器串联至高压可调电抗器回路中并接地,数据处理系统接入高精度电流传感器和高精度电阻分压测量装置提供的二次信号,通过测量分析得出高压电抗器电抗值
[0013]本实用新型所述高压可调电抗器电抗值准确性测试系统可以精确测试计算电抗器电抗值。
[0014]下面分别对各步骤具体说明如下:
[0015]1、首先将该系统试验电源、升压装置系统、高压可调电抗器、高精度电流传感器、高精度电阻分压测量装置、数据处理系统按照总体结构图进行连接,并注意高压尾端和仪器设备的接地可靠。由于是高压试验,因此,数据处理系统应该在安全距离意外进行操作。
[0016]2、然后,升压装置进行升压,并升至电抗器的额定电压值下,此时高精度电流传感器和高精度电阻分压测量装置的二次信号进入数据处理系统,系统可以根据采集电压电流精确计算出电抗值大小。
【主权项】
1.一种高压可调电抗器电抗值准确性测试系统,其特征在于,包括试验电源、升压装置系统、高压可调电抗器、高精度电流传感器、高精度电阻分压测量装置、高压可调电抗器电抗值准确性测试系统;其中,所述试验电源与升压装置系统相连接并接地,升压装置系统与高压可调电抗器、高精度电阻分压测量装置并联,高精度电流传感器串联至高压可调电抗器回路中并接地;数据处理系统分别接入高精度电流传感器和高精度电阻分压测量装置提供的二次信号,通过测量分析得出高压电抗器电抗值。
【专利摘要】一种高压可调电抗器电抗值准确性测试系统,该系统包括试验电源、升压装置系统、高压可调电抗器、高精度电流传感器、高精度电阻分压测量装置、数据处理系统。本实用新型具有升压装置可控,测量准确度等级高并且试验人员使用安全、方便;同时,数据处理系统进行录波存储,为后续数据分析提供平台。
【IPC分类】G01R27/02
【公开号】CN204855645
【申请号】CN201520586497
【发明人】朱梦梦, 林聪 , 郑建云, 朱全聪, 翟少磊
【申请人】云南电网有限责任公司电力科学研究院
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年8月6日
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